BAT54J,115: Schottky-Barriere-Einzeldiode, SOD323F-Gehäuse, 30 V, 200 mA
Nexperia

Die Nexperia BAT54J,115 ist eine einzelne Schottky-Barriere-Diode, die in einem sehr kleinen und flachen SOD323F (SC-90) SMD-Kunststoffgehäuse (Surface-Mounted Device) gekapselt ist. Sie verfügt über einen integrierten Schutzring zum Schutz vor Belastungen, was zu ihrer Robustheit und Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen beiträgt. Die Diode zeichnet sich durch ihre niedrige Durchlassspannung und geringe Kapazität aus, wodurch sie für hocheffiziente Anwendungen geeignet ist, bei denen Leistungsverluste minimiert werden müssen.

Dieses Bauteil ist für die Oberflächenmontagetechnik (SMT) konzipiert und profitiert von flachen Anschlüssen, die eine hervorragende Koplanarität und ein verbessertes thermisches Verhalten gewährleisten. Die BAT54J,115 kann einen Durchlassstrom von bis zu 200mA und eine Sperrspannung von bis zu 30V bewältigen. Ihre niedrige Kapazität ist besonders vorteilhaft in Anwendungen, die schnelles Schalten und geringe Leistungsverluste erfordern.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Gehäuse: SOD323F (SC-90)
  • Durchlassstrom (IF): 200 mA
  • Sperrspannung (VR): 30 V
  • Durchlassspannung (VF): 320 mV bei 1 mA
  • Wiederkehrender Spitzendurchlassstrom (IFRM): 300 mA
  • Nicht-wiederkehrender Spitzendurchlassstrom (IFSM): 600 mA
  • Gesamtverlustleistung (Ptot): 550 mW bei 25 °C
  • Sperrschichttemperatur (Tj): 150 °C
  • Wärmewiderstand, Sperrschicht zu Umgebung (Rth(j-a)): 230 K/W
  • Sperrstrom (IR): 2 µA bei 25 V
  • Diodenkapazität (Cd): 10 pF bei 1 V, 1 MHz

BAT54J,115 Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für BAT54J,115 dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Spannungsklemmung
  • Leitungsabschluss
  • Verpolungsschutz

Kategorie

Dioden

Allgemeine Informationen

Schottky-Dioden sind eine Art von Halbleiterdiode mit einem niedrigen Vorwärtsspannungsabfall und einem sehr schnellen Schaltverhalten. Sie sind nach dem deutschen Physiker Walter H. Schottky benannt. Das einzigartige Merkmal der Schottky-Barriere-Diode ist der Metall-Halbleiter-Übergang, den sie bildet, im Gegensatz zum p-n-Übergang herkömmlicher Dioden. Dies führt zu einem geringeren Vorwärtsspannungsabfall und schnelleren Schaltzeiten, was Schottky-Dioden ideal für Hochfrequenz- und Hocheffizienzanwendungen macht.

Bei der Auswahl einer Schottky-Diode sollten Ingenieure Parameter wie Durchlassstrom, Sperrspannung, Durchlassspannungsabfall, Verlustleistung und Gehäusetyp berücksichtigen. Anwendungen diktieren oft die Wahl spezifischer Eigenschaften; zum Beispiel sind hoher Durchlassstrom und niedrige Durchlassspannung entscheidend für die Leistungsgleichrichtung, während niedrige Kapazität für Hochfrequenzanwendungen wichtig ist.

Schottky-Dioden werden häufig in Netzteilen, DC-DC-Wandlern und als Gleichrichter in verschiedenen elektronischen Schaltungen verwendet. Sie dienen auch in Anwendungen, die einen geringen Spannungsabfall und Schutz gegen Verpolung erfordern. Das Verständnis der thermischen Eigenschaften der Diode und die Gewährleistung einer ordnungsgemäßen Wärmeableitung sind unerlässlich, um eine Überhitzung zu vermeiden und einen zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten.

Insgesamt bieten Schottky-Dioden ein Gleichgewicht zwischen Effizienz und Geschwindigkeit, was sie zu einer vielseitigen Komponente im Design elektronischer Schaltungen macht. Ihre Auswahl muss auf die spezifischen Anforderungen der Anwendung abgestimmt sein, einschließlich elektrischer Eigenschaften und physikalischer Einschränkungen.

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