BAT54HT1G: Schottky-Barriere-Diode, 30V, SOD-323, schnelles Schalten
onsemi

Die BAT54HT1G ist eine Schottky-Barriere-Diode von onsemi, die für Anwendungen entwickelt wurde, die schnelle Schaltgeschwindigkeiten erfordern. Ihre Konstruktion ermöglicht extrem niedrige Durchlassspannungen, was die Leitungsverluste während des Betriebs erheblich reduziert. Dies macht sie gut geeignet für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen, Schaltungsschutz und Spannungsklemmung.

Untergebracht in einem winzigen SOD-323-Gehäuse, ist die BAT54HT1G für platzbeschränkte Anwendungen optimiert, wie z. B. tragbare und Handheld-Geräte. Ihre niedrige Vorwärtsspannung von 0,35 V (typisch bei IF = 10 mA) und die schnelle Sperrverzögerungszeit gewährleisten eine effiziente Leistung in einer Vielzahl von Schaltungen. Darüber hinaus ist die Diode AEC-Q101 qualifiziert, was sie für Automobilanwendungen und andere Szenarien geeignet macht, die strenge Zuverlässigkeitsstandards erfordern.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Gehäuse: SOD-323
  • Sperrspannung (VR): 30 V
  • Vorwärtsspannung (VF): 0,35 V (typisch bei IF = 10 mA)
  • Vorwärtsstrom (IF): 200 mA
  • Nicht-repetitiver Spitzenvorwärtsstrom (IFSM): 600 mA
  • Wärmewiderstand, Sperrschicht-zu-Umgebung (RθJA): 635 °C/W
  • Betriebstemperaturbereich: -55 °C bis +150 °C

BAT54HT1G Datenblatt

BAT54HT1G Datenblatt (PDF)

BAT54HT1G Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für BAT54HT1G dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Hochgeschwindigkeits-Schaltkreise
  • Schaltungsschutz
  • Spannungsklemmung
  • Tragbare und Handheld-Geräte

Kategorie

Dioden

Allgemeine Informationen

Schottky-Barriere-Dioden sind Halbleiterbauelemente, die einen niedrigen Durchlassspannungsabfall und schnelle Schalteigenschaften aufweisen. Sie werden in verschiedenen elektronischen Schaltungen für Anwendungen wie Gleichrichtung, Spannungsklemmung und Schutz gegen Rückspannung weit verbreitet eingesetzt. Der niedrige Durchlassspannungsabfall von Schottky-Dioden macht sie hocheffizient in Energieumwandlungsanwendungen, reduziert die Wärmeableitung und verbessert die Gesamtsystemleistung.

Bei der Auswahl einer Schottky-Diode sollten Ingenieure Parameter wie maximale Sperrspannung, Durchlassstromfähigkeit, Gehäusetyp und thermische Eigenschaften berücksichtigen. Die Wahl der Diode hängt von den spezifischen Anforderungen der Anwendung ab, einschließlich des Betriebsspannungsbereichs, der Strombelastbarkeit und der Platzbeschränkungen.

Schottky-Dioden eignen sich aufgrund ihrer schnellen Schaltgeschwindigkeit für Hochfrequenzanwendungen. Diese Eigenschaft ist vorteilhaft in Schaltungen, die einen schnellen Übergang zwischen leitenden und nichtleitenden Zuständen erfordern, wie z. B. in Schaltnetzteilen und Hochfrequenzgleichrichtern.

Neben ihrer elektrischen Leistung sind auch die physische Größe und der Gehäusetyp der Diode wichtige Überlegungen beim Schaltungsdesign. Geräte wie die BAT54HT1G, verpackt in einem kompakten SOD-323-Format, sind besonders nützlich in platzbeschränkten Anwendungen, bei denen eine effiziente Nutzung der Leiterplattenfläche entscheidend ist.

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