BAT54C-7-F: SMT Schottky-Barriere-Diode, 200mA, 30V, SOT-23
Diodes Inc.

Die BAT54C-7-F von Diodes Inc. ist eine oberflächenmontierbare Schottky-Barriere-Diode, die in einem SOT-23-Gehäuse gekapselt ist. Sie ist so konzipiert, dass sie eine niedrige Einschaltspannung und schnelle Schaltfähigkeiten bietet, was sie für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen geeignet macht. Die Diode verfügt über einen PN-Übergangsschutzring für verbesserten Schutz vor Transienten und elektrostatischer Entladung (ESD), was die Zuverlässigkeit unter Stressbedingungen gewährleistet. Ihre Konstruktion entspricht der RoHS-Konformität, was sie zu einer umweltfreundlichen Wahl für elektronische Designs macht.

Diese Schottky-Diode kann einen durchschnittlichen gleichgerichteten Ausgangsstrom von 200mA bewältigen und unterstützt eine periodische Spitzensperrspannung von 30V. Sie zeichnet sich durch eine maximale Durchlassspannung von 0,8V und einen Sperrleckstrom von 2μA aus, was die Leistung sowohl im Durchlass- als auch im Sperrbetrieb optimiert. Die BAT54C-7-F eignet sich für eine Vielzahl von Anwendungen, einschließlich Energiemanagement, Schaltungsschutz und Signaldemodulation.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Gehäuse: SOT-23 (Standard)
  • Durchschnittlicher gleichgerichteter Ausgangsstrom (IO): 200mA
  • Spitzen-Wiederhol-Sperrspannung (VRRM): 30V
  • Vorwärtsspannung (VFmax): 0,8V
  • Sperrleckstrom (IRmax): 2μA
  • PN-Übergangsschutzring für Transienten- und ESD-Schutz
  • Betriebstemperaturbereich: -65 bis +150°C

BAT54C-7-F Datenblatt

BAT54C-7-F Datenblatt (PDF)

BAT54C-7-F Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für BAT54C-7-F dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Energiemanagement-Schaltungen
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen
  • Schaltungsschutz
  • Signaldemodulation

Kategorie

Diode

Allgemeine Informationen

Schottky-Barriere-Dioden sind eine Art von Halbleiterdioden mit einem niedrigen Durchlassspannungsabfall und einer sehr schnellen Schaltwirkung. Im Gegensatz zu regulären p-n-Übergangsdioden bestehen Schottky-Dioden aus einem Metall-Halbleiter-Kontakt, was zu ihren einzigartigen elektrischen Eigenschaften führt. Der niedrige Durchlassspannungsabfall macht sie hocheffizient für Anwendungen, die schnelles Schalten und geringe Leistungsverluste erfordern. Sie werden häufig in Stromversorgungsschaltungen, Spannungsklemmanwendungen und zur Verhinderung von Rückstromfluss verwendet.

Bei der Auswahl einer Schottky-Diode sollten Ingenieure Parameter wie die maximale repetitive Sperrspannung, den Nenn-Durchlassstrom, den Durchlassspannungsabfall und den Rückwärts-Leckstrom berücksichtigen. Der Gehäusetyp und die thermischen Eigenschaften sind ebenfalls wichtig, um sicherzustellen, dass die Diode ordnungsgemäß in das Design integriert werden kann und unter den vorgesehenen Bedingungen zuverlässig arbeitet. Schottky-Dioden sind in verschiedenen Konfigurationen erhältlich, einschließlich Einzel-, Dual- und Array-Formaten, um unterschiedlichen Schaltungsanforderungen gerecht zu werden.

Die BAT54-Serie, einschließlich der BAT54C-7-F, bietet zusätzliche Funktionen wie ESD-Schutz und einen PN-Übergangsschutzring, was die Robustheit der Diode gegen transiente Spannungsspitzen und elektrostatische Entladungen erhöht. Diese Eigenschaften machen die BAT54-Serie geeignet für Automobil- und Industrieanwendungen, bei denen Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen von größter Bedeutung ist.

Zusammenfassend sind Schottky-Barriere-Dioden wesentliche Komponenten in modernen elektronischen Designs, die effiziente, schnelle Schaltfähigkeiten bieten. Die BAT54C-7-F ist ein bemerkenswertes Beispiel, das eine niedrige Einschaltspannung, schnelles Schalten und verbesserte Schutzfunktionen in einem kompakten SOT-23-Gehäuse bietet, was sie zu einer vielseitigen Wahl für eine breite Palette von Anwendungen macht.

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