1N4148W-13-F: SOD123 Schnelle Schaltdiode, VRRM 100V, IFM 300mA, trr max 4ns
Diodes Inc.

Die 1N4148W-13-F von Diodes Inc. ist eine oberflächenmontierbare (SMD) schnelle Schaltdiode, die für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen entwickelt wurde. Diese Diode zeichnet sich durch einen geringen Vorwärtsspannungsabfall und eine schnelle Sperrverzögerungszeit aus, wodurch sie für Hochfrequenzanwendungen geeignet ist. Das SOD123-Gehäuse ist für automatisierte Bestückungsprozesse optimiert und erhöht so die Produktionseffizienz.

Zu den Hauptmerkmalen gehören eine maximale repetitive Sperrspannung (VRRM) von 100V, ein kontinuierlicher Durchlassstrom (IFM) von 300mA und eine Sperrverzögerungszeit (trr) von bis zu 4ns. Diese Spezifikationen machen die 1N4148W-13-F zu einer idealen Wahl für allgemeine Schaltanwendungen, bei denen Geschwindigkeit ein kritischer Faktor ist.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Gehäuse: SOD123
  • Maximale periodische Sperrspannung (VRRM): 100V
  • Dauergleichstrom (IFM): 300mA
  • Nicht-periodischer Spitzenstoßstrom: 2A bei 1µs, 1A bei 1s
  • Verlustleistung: 400mW
  • Wärmewiderstand Sperrschicht zu Umgebungsluft: 315°C/W
  • Betriebs- und Lagertemperaturbereich: -55 bis +150°C
  • Durchbruchspannung: Mindestens 100V
  • Durchlassspannung: Bis zu 1,25V bei 150mA
  • Sperrstrom: Bis zu 50µA bei 75V, 150°C
  • Gesamtkapazität: Maximal 2pF
  • Sperrverzögerungszeit: Maximal 4ns

1N4148W-13-F Datenblatt

1N4148W-13-F Datenblatt (PDF)

1N4148W-13-F Substitute
Äquivalente alternative Bauteile, die als Ersatz für 1N4148W-13-F dienen können, beliebteste Bauteile zuerst

Anwendungen

  • Hochfrequenz-Schaltkreise
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Kategorie

Diode

Allgemeine Informationen

Schnelle Schaltdioden sind Halbleiterbauelemente, die den Stromfluss in eine Richtung ermöglichen und den Stromfluss bei Umkehrung schnell abschalten können. Sie zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, in kurzer Zeit, typischerweise Nanosekunden bis Mikrosekunden, vom leitenden in den nichtleitenden Zustand und umgekehrt zu wechseln. Dies macht sie für Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen in digitalen und analogen Schaltungen geeignet.

Bei der Auswahl einer schnellen Schaltdiode sollten Ingenieure Parameter wie maximale Sperrspannung, Durchlassstrom, Verlustleistung, Sperrverzögerungszeit und Gehäusetyp berücksichtigen. Diese Spezifikationen bestimmen die Eignung der Diode für bestimmte Anwendungen, einschließlich Signalverarbeitung, Energiemanagement und Schutzschaltungen.

Die Sperrverzögerungszeit (trr) ist besonders wichtig in Hochgeschwindigkeitsanwendungen, da sie die Schaltgeschwindigkeit der Diode beeinflusst. Niedrigere trr-Werte weisen auf schnellere Schaltfähigkeiten hin. Zusätzlich beeinflusst der Gehäusetyp das Wärmemanagement und die physische Integration der Diode in Leiterplatten.

Schnelle Schaltdioden werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu Automobilsystemen, wo schnelles Schalten erforderlich ist. Ihre Fähigkeit, Hochgeschwindigkeitssignale effizient zu verwalten, macht sie zu wesentlichen Bestandteilen moderner elektronischer Designs.

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