1N4148W-13-F: SOD123 Schnellschaltende Diode, VRRM 100V, IFM 300mA, trr max 4ns
Diodes Inc.

Die 1N4148W-13-F von Diodes Inc. ist eine oberflächenmontierbare Schnellschaltdiode, die für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen entwickelt wurde. Diese Diode zeichnet sich durch eine niedrige Durchlassspannung und eine schnelle Rückwärts-Erholzeit aus, was sie für Hochfrequenzanwendungen geeignet macht. Das SOD123-Gehäuse ist für automatisierte Einsetzprozesse optimiert und erhöht die Produktionseffizienz.

Wichtige Attribute umfassen eine maximale wiederkehrende Sperrspannung (VRRM) von 100V, einen durchgehenden Vorwärtsstrom (IFM) von 300mA und eine Rückwärts-Erholzeit (trr) von bis zu 4ns. Diese Spezifikationen machen die 1N4148W-13-F zu einer idealen Wahl für allgemeine Schaltanwendungen, bei denen Geschwindigkeit ein kritischer Faktor ist.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Gehäuse: SOD123
  • Maximale wiederkehrende Sperrspannung (VRRM): 100V
  • Durchlassstrom (IFM): 300mA
  • Nicht wiederholbarer Spitzen-Durchlassstrom: 2A bei 1µs, 1A bei 1s
  • Leistungsverlust: 400mW
  • Thermischer Widerstand Sperrschicht zu Umgebungsluft: 315°C/W
  • Betriebs- und Lagerungstemperaturbereich: -55 bis +150°C
  • Durchbruchspannung in Sperrrichtung: Mindestens 100V
  • Durchlassspannung: Bis zu 1.25V bei 150mA
  • Spitzen-Sperrstrom: Bis zu 50µA bei 75V, 150°C
  • Gesamtkapazität: Maximal 2pF
  • Sperrverzögerungszeit: Maximal 4ns

1N4148W-13-F Datenblatt

1N4148W-13-F Datenblatt (PDF)

1N4148W-13-F Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für 1N4148W-13-F dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Hochfrequenz-Schaltkreise
  • Allgemeine Schaltanwendungen

Kategorie

Diode

Allgemeine Informationen

Schnellschaltende Dioden sind Halbleiterbauelemente, die den Strom in eine Richtung fließen lassen und den Stromfluss schnell unterbrechen können, wenn sie umgekehrt werden. Sie zeichnen sich durch ihre Fähigkeit aus, in kurzer Zeit, typischerweise Nanosekunden bis Mikrosekunden, vom leitenden in den nichtleitenden Zustand und umgekehrt zu wechseln. Dies macht sie geeignet für Hochgeschwindigkeitsschaltanwendungen in digitalen und analogen Schaltungen.

Bei der Auswahl einer schnellen Schaltdiode sollten Ingenieure Parameter wie maximale Rückwärtsspannung, Vorwärtsstrom, Leistungsverlust, Rückwärts-Erholzeit und Gehäusetyp berücksichtigen. Diese Spezifikationen bestimmen die Eignung der Diode für spezifische Anwendungen, einschließlich Signalverarbeitung, Energiemanagement und Schutzschaltungen.

Die Sperrverzögerungszeit (trr) ist besonders wichtig in Hochgeschwindigkeitsanwendungen, da sie die Schaltgeschwindigkeit der Diode beeinflusst. Niedrigere trr-Werte deuten auf schnellere Schaltfähigkeiten hin. Zusätzlich beeinflusst der Gehäusetyp das thermische Management und die physische Integration der Diode in Leiterplatten.

Schnellschaltende Dioden werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, von Unterhaltungselektronik bis hin zu Automobilsystemen, wo schnelles Schalten erforderlich ist. Ihre Fähigkeit, Hochgeschwindigkeitssignale effizient zu verwalten, macht sie zu wesentlichen Komponenten im modernen elektronischen Design.

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