BSS138NL6327: N 通道 SIPMOS 小信號晶體管，60V，0.23A，3.5Ω

Infineon

BSS138NL6327是一款N通道增強模式場效應晶體管（FET），設計用於開關應用。它具有60V的漏源電壓（VDS）和在25°C時0.23A的連續漏電流（ID），適用於各種低功率應用。該裝置的低導通電阻（RDS(on)）最大為3.5Ω，這提高了其在電路操作中的效率。

這個電晶體針對邏輯級驅動進行了優化，使其可以直接由邏輯電路驅動，無需額外的電平轉換。其dv/dt評級和ESD敏感度等級0使其在要求嚴苛的環境中表現堅固。BSS138NL6327還因其環保合規性而著名，包括無鉛、符合RoHS標準和無鹵素，此外還根據AEC Q101標準進行了汽車應用的資格認證。

• 源極-漏極電壓（VDS）： 60V
• 連續漏極電流（ID）： 0.23A at 25°C
• 脈衝漏極電流（ID,pulse）： 0.92A
• 導通電阻（RDS(on)）： 最大3.5Ω
• 閘極-源極電壓（VGS）： ±20V
• 功率耗散（Ptot）： 0.36W at 25°C
• 操作和儲存溫度： -55至150°C
• 動態特性： 輸入電容（Ciss）32-41pF，輸出電容（Coss）7.2-9.5pF，反向轉移電容（Crss）2.8-3.8pF

• 切換應用
• 邏輯級驅動電路
• 汽車電子
• 電源管理

場效應電晶體（FETs）是一種在電子電路中用於開關或放大信號的電晶體。FETs 的特點是它們的操作由電壓控制，與電流控制的雙極接合電晶體（BJTs）不同。這使得 FETs 在需要高輸入阻抗的應用中特別有用。

在為特定應用選擇FET時，重要的考慮因素包括漏源電壓（VDS）、漏電流（ID）、導通電阻（RDS(on)）和閘源電壓（VGS）。這些參數決定了FET在電路中處理功率的能力和效率。此外，熱特性和ESD敏感性也對於確保裝置在各種操作條件下的可靠性和壽命至關重要。

FET在從簡單開關到複雜邏輯電路和電源管理系統的各種應用中廣泛使用。它們的低功耗、高切換速度和與邏輯級信號的兼容性使它們特別適合現代電子設備。

總結來說，選擇FET時，工程師必須仔細考慮設備的電氣特性、熱性能和適用性，以確保電子系統的最佳性能和可靠性。