BSS138NL6327: N 通道 SIPMOS 小訊號電晶體,60V,0.23A,3.5Ω
Infineon

BSS138NL6327 是一款 N 通道增強型場效電晶體 (FET),專為開關應用而設計。其特點是在 25°C 時具有 60V 的汲極-源極電壓 (VDS) 和 0.23A 的連續汲極電流 (ID),使其適用於各種低功率應用。該元件的特點是最大 3.5Ω 的低導通電阻 (RDS(on)),這提高了其在電路運作中的效率。

此電晶體針對邏輯電平驅動進行了最佳化,使其能夠直接由邏輯電路驅動,而無需額外的電平轉換。其 dv/dt 額定值和 ESD 敏感度等級 0 使其在嚴苛環境中具有穩健性。BSS138NL6327 還因其環境合規性而著稱,無鉛、符合 RoHS 標準且無鹵素,此外還符合 AEC Q101 汽車應用標準。

主要規格和功能

  • 汲極-源極電壓 (VDS): 60V
  • 連續汲極電流 (ID): 0.23A (25°C 時)
  • 脈衝汲極電流 (ID,pulse): 0.92A
  • 導通電阻 (RDS(on)): 最大 3.5Ω
  • 閘極-源極電壓 (VGS): ±20V
  • 功率耗散 (Ptot): 0.36W (25°C 時)
  • 操作與儲存溫度: -55 至 150°C
  • 動態特性: 輸入電容 (Ciss) 32-41pF,輸出電容 (Coss) 7.2-9.5pF,反向傳輸電容 (Crss) 2.8-3.8pF

BSS138NL6327 規格書

BSS138NL6327 資料表 (PDF)

BSS138NL6327 個替代品
可作為 BSS138NL6327 替代品的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 切換應用
  • 邏輯電平驅動電路
  • 汽車電子
  • 電源管理

類別

電晶體

一般資訊

場效電晶體 (FET) 是一種用於電子電路中切換或放大訊號的電晶體。FET 的特點是電壓控制操作,這與電流控制的雙極性接面電晶體 (BJT) 相反。這使得 FET 在需要高輸入阻抗的應用中特別有用。

為特定應用選擇 FET 時,重要的考量因素包括汲極-源極電壓 (VDS)、汲極電流 (ID)、導通電阻 (RDS(on)) 和閘極-源極電壓 (VGS)。這些參數決定了 FET 處理功率的能力及其在電路中的效率。此外,熱特性和 ESD 敏感度對於確保元件在各種操作條件下的可靠性和壽命也至關重要。

FET 廣泛用於各種應用,從簡單的開關到複雜的邏輯電路和電源管理系統。它們的低功耗、高開關速度以及與邏輯電平訊號的相容性使其特別適合現代電子裝置。

總而言之,在選擇 FET 時,工程師必須仔細考慮元件的電氣特性、熱性能以及對預期應用的適用性。這確保了電子系統的最佳效能和可靠性。

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