BSS138 是使用 onsemi 專有的高電池密度 DMOS 技術生產的 N 通道增強模式場效應電晶體 (FET)。該技術使 BSS138 能夠實現低導通電阻，同時保持堅固、可靠和快速的開關性能。該元件針對低電壓、低電流應用進行了最佳化，使其適用於小型伺服馬達控制、功率 MOSFET 閘極驅動器和其他開關應用。
BSS138 採用緊湊的工業標準 SOT-23 表面黏著封裝，旨在最大限度地減少導通電阻，在 VGS = 10V 時值為 3.5Ω，在 VGS = 4.5V 時值為 6.0Ω。這種低導通電阻是透過 onsemi 的高密度電池設計實現的，有助於提高元件在其應用中的效率。此外，BSS138 的特點是其堅固性和可靠性，確保在各種操作條件下的性能。
該裝置還因無鉛和無鹵素而著稱，符合當前電子元件的環保標準。這使得 BSS138 成為尋求設計可持續產品的工程師的環保選擇。
電晶體
場效電晶體 (FET) 是一種用於電子電路中控制電流流動的電晶體。它們是從電源管理到訊號放大等廣泛應用中的關鍵元件。FET 的運作原理是利用電場來控制半導體材料中「通道」的形狀，進而控制其導電性。這允許對電子訊號進行高效的切換和放大。
在為特定應用選擇 FET 時，有幾個參數很重要。其中包括汲極-源極電壓，表示 FET 在其汲極和源極端子之間可以處理的最大電壓；閘極-源極電壓，即閘極所需的電壓差以使 FET 導通；以及汲極電流，即可以流過 FET 的最大電流。導通電阻也很關鍵，因為它決定了 FET 導通時以熱量形式損失多少功率，從而影響 FET 的效率。
N 通道 FET（如 BSS138）特別適合需要高效電源管理和開關的應用。由於它們能夠以最小的功率損耗有效地控制電流流動，因此通常用於低電壓、低電流應用。在選擇 N 通道 FET 時，工程師必須考慮元件的電壓和電流額定值、導通電阻、開關速度和熱性能，以確保其滿足應用要求。
BSS138 憑藉其低導通電阻和高密度單元設計，是專為低電壓、低電流應用中的高效性能而設計的 N 通道 FET 的一個例子。其緊湊的 SOT-23 封裝和堅固可靠的性能使其適用於廣泛的應用，包括馬達控制和電源開關。