BSS138是一款N通道增強模式場效應晶體管（FET），採用onsemi的專有高密度單元DMOS技術生產。這項技術使BSS138在保持堅固、可靠和快速切換性能的同時，達到低導通電阻。該裝置針對低電壓、低電流應用進行了優化，適用於小型伺服電機控制、功率MOSFET閘驅動器和其他切換應用。
採用緊湊的行業標準SOT-23表面貼裝封裝，BSS138旨在最小化導通電阻，VGS = 10V時的值為3.5Ω，VGS = 4.5V時為6.0Ω。通過onsemi的高密度單元設計實現低導通電阻，有助於該裝置在其應用中的效率。此外，BSS138以其堅固性和可靠性為特點，確保在各種操作條件下的性能。
該裝置還以無鉛和無鹵素為特點，符合電子元件當前的環境標準。這使得BSS138成為工程師尋求設計可持續產品的環保選擇。
晶體管
場效應晶體管（FETs）是在電子電路中用於控制電流流動的一種晶體管。它們是從功率管理到信號放大等廣泛應用中的關鍵元件。FETs通過使用電場來控制半導體材料中“通道”的形狀，從而控制其導電性。這允許高效地切換和放大電子信號。
在選擇特定應用的FET時，有幾個參數是重要的考慮因素。這些包括漏源電壓，它表示FET在其漏極和源極端子之間可以處理的最大電壓；閘源電壓，這是在閘極上需要的電壓差，使FET導通；以及漏電流，這是可以通過FET的最大電流。在導通狀態下的電阻也很關鍵，因為它通過確定FET導通時以熱量形式損失多少功率來影響FET的效率。
N通道FET，如BSS138，特別適用於需要高效電源管理和切換的應用。它們通常用於低電壓、低電流應用，因為它們能夠以最小的功耗高效控制電流流動。在選擇N通道FET時，工程師必須考慮設備的電壓和電流評級、導通電阻、切換速度和熱性能，以確保它滿足其應用的要求。
BSS138憑藉其低導通電阻和高密度單元設計，是一款專為低電壓、低電流應用而設計的N通道FET的例子。其緊湊的SOT-23封裝和堅固、可靠的性能使其適用於廣泛的應用，包括電機控制和電源切換。