BSS138LT3G: N-通道 MOSFET，200 mA，50 V，SOT-23

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onsemi 的 BSS138LT3G 是一款在最大 200 mA 和 50 V 下操作的 N-通道 MOSFET，封裝在一個緊湊的 SOT-23 封裝中。這個元件旨在處理電子電路中的低至中等功率要求，適用於廣泛的應用。

關鍵特點包括低門檻電壓（VGS(th)）範圍從0.85 V到1.5 V，允許在低電壓情況下高效運行。此外，該裝置以其在VGS為5.0 V且ID為200 mA時的低靜態漏源導通電阻（RDS(on)）為3.5 Ω而著稱，有助於其在導通電流時的效率。BSS138LT3G還以其堅固性著稱，具有-55到150 °C的最大操作和儲存溫度範圍，確保在各種環境條件下的可靠性能。

• 漏源電壓（VDSS）：50 V
• 閘源電壓（VGS）：±20 V
• 25°C時的連續漏電流（ID）：200 mA
• 脈衝漏電流（IDM）：800 mA
• 靜態漏源導通電阻（RDS(on)）：在VGS = 5.0 V，ID = 200 mA時為3.5 Ω
• 閘源閾值電壓（VGS(th)）：0.85 V至1.5 V
• 25°C時的總功率耗散（PD）：225 mW
• 工作和儲存溫度範圍：-55至150 °C
• 結至周圍的熱阻（RθJA）：556 °C/W

• DC-DC轉換器
• 便攜式和電池供電產品中的電源管理
  • 電腦
  • 打印機
  • PCMCIA卡
  • 手機和無線電話

N-通道 MOSFET 是一種廣泛用於電子電路中的場效應晶體管（FET），用於開關和放大目的。這些元件的特點是能夠使用相對低的電壓控制高電流流動，使它們在電源管理和信號處理應用中不可或缺。

選擇 N-通道 MOSFET 時，工程師應考慮參數，如源極至漏極電壓 (VDSS)、閘極至源極電壓 (VGS)、漏電流 (ID) 和靜態源極至漏極電阻 (RDS(on))。這些參數決定了 MOSFET 在特定應用中處理電壓和電流的能力，以及其效率和散熱特性。

另一個重要考慮因素是閾值電壓（VGS(th)），它指示打開設備所需的最小門源電壓。在低電壓應用中，較低的閾值電壓可能是有利的，其中功率效率至關重要。

封裝類型在空間受限的設計中也扮演著關鍵角色。例如，BSS138LT3G的SOT-23封裝提供了緊湊性與熱性能之間的平衡，使其適用於包括便攜式和電池供電設備在內的多種應用。