BSS138LT3G: N 通道 MOSFET，200 mA，50 V，SOT-23

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onsemi 的 BSS138LT3G 是一款 N 通道 MOSFET，最大工作電流為 200 mA，電壓為 50 V，封裝在緊湊的 SOT-23 中。該元件設計用於處理電子電路中的低至中等功率需求，使其適用於廣泛的應用。

主要特點包括 0.85 V 至 1.5 V 的低閾值電壓 (VGS(th))，這允許在低電壓場景中高效運作。此外，該裝置的特點是當 VGS 為 5.0 V 且 ID 為 200 mA 時，其靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(on)) 低至 3.5 Ω，有助於其導通電流的效率。BSS138LT3G 還以其堅固性而著稱，最大工作和儲存溫度範圍為 -55 至 150 °C，確保在各種環境條件下可靠運作。

• 汲極-源極電壓 (VDSS)：50 V
• 閘極-源極電壓 (VGS)：±20 V
• 25°C 時的連續汲極電流 (ID)：200 mA
• 脈衝汲極電流 (IDM)：800 mA
• 靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(on))：3.5 Ω (VGS = 5.0 V, ID = 200 mA)
• 閘極-源極閾值電壓 (VGS(th))：0.85 V 至 1.5 V
• 25°C 時的總功耗 (PD)：225 mW
• 工作和儲存溫度範圍：-55 至 150 °C
• 熱阻，結到環境 (RθJA)：556 °C/W

• DC-DC 轉換器
• 可攜式和電池供電產品中的電源管理
  • 電腦
  • 印表機
  • PCMCIA 卡
  • 行動電話和無線電話

N 通道 MOSFET 是一種場效應電晶體 (FET)，廣泛用於電子電路中的開關和放大用途。這些元件的特點是能夠使用相對較低的電壓控制大電流流動，使其在電源管理和信號處理應用中至關重要。

在選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDSS)、閘極-源極電壓 (VGS)、汲極電流 (ID) 和靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(on)) 等參數。這些參數決定了 MOSFET 在特定應用中處理電壓和電流的能力，以及其效率和散熱特性。

另一個重要的考慮因素是閾值電壓 (VGS(th))，它表示開啟裝置所需的最小閘極-源極電壓。較低的閾值電壓在低電壓應用中可能是有利的，因為在這些應用中功率效率至關重要。

封裝類型也扮演著關鍵角色，特別是在空間受限的設計中。例如，BSS138LT3G 的 SOT-23 封裝在緊湊性和熱性能之間取得了平衡，使其適用於各種應用，包括可攜式和電池供電設備。