BSS138-7-F: N通道增強模式MOSFET，50V，200mA，3.5Ω

Diodes Inc.

BSS138-7-F 是一款 N 通道增強模式 MOSFET，專為高效能功率管理應用而設計。它具有低導通電阻（RDS(ON)）為 3.5Ω 在 VGS = 10V 時，這最小化了功率損失，同時保持了卓越的切換性能。這個元件以其低門檻電壓、快速切換速度和低輸入/輸出漏電流為特點，使其適用於系統和負載開關應用。

這款 MOSFET 採用小型 SOT23 封裝，為空間受限的設計提供了緊湊的解決方案。它完全符合 RoHS 標準，被指定為“綠色”裝置，表明它不含鹵素和銻。BSS138-7-F 是工程師尋找低功耗和高切換效率的可靠開關的理想選擇。

• 漏源電壓（VDSS）：50V
• 漏電流（ID）：200mA
• 靜態漏源電阻（RDS(ON))：在VGS = 10V時3.5Ω
• 閘極臨界電壓（VGS(TH))：0.5 - 1.5V
• 輸入電容（Ciss）：50pF
• 功率耗散（PD）：300mW
• 工作溫度範圍：-55至+150°C

• 系統/負載開關應用
• 高效能電源管理

N-通道增強模式 MOSFET 是一種用於切換電子信號的 MOSFET。這些元件因其效率高且能夠處理顯著的功率水平而廣泛用於電源管理應用。N-通道 MOSFET 的特點是當相對於源極對閘極施加正電壓時，能夠在漏極和源極之間導通電流。

在選擇 N 通道 MOSFET 時，工程師應考慮漏源電壓（VDSS）、漏電流（ID）和靜態漏源導通電阻（RDS(ON)）等參數。這些參數決定了 MOSFET 處理所需功率水平和電路效率的能力。閘極臨界電壓（VGS(TH)）也很重要，因為它影響啟動裝置所需的電壓。

N通道MOSFET在多種應用中使用，包括電源電路、電機控制器，以及高效能源管理系統中的開關。它們的低導通電阻和快速切換能力使它們適用於需要高效能源處理和控制的應用。

除了技術規格外，包裝和熱管理也是重要考慮因素。像BSS138-7-F這樣的裝置，其緊湊的SOT23封裝為空間受限的應用提供了解決方案，同時確保了可靠操作的充分散熱。