BSS138-7-F: N 通道增強模式 MOSFET,50V,200mA,3.5Ω
Diodes Inc.

BSS138-7-F 是一款 N 通道增強型 MOSFET,專為高效率電源管理應用而設計。其特點是在 VGS = 10V 時具有 3.5Ω 的低導通電阻 (RDS(ON)),可在保持卓越切換性能的同時將功率損耗降至最低。該元件具有低閘極閾值電壓、快速切換速度和低輸入/輸出漏電流的特點,適用於系統和負載開關應用。

此 MOSFET 採用小型 SOT23 封裝,為空間受限的設計提供了緊湊的解決方案。它完全符合 RoHS 標準並被指定為「綠色」設備,表示它不含鹵素和銻。BSS138-7-F 是尋求具有低功耗和高開關效率的可靠開關的工程師的理想選擇。

主要規格和功能

  • 汲極-源極電壓 (VDSS):50V
  • 汲極電流 (ID):200mA
  • 靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON)):3.5Ω (於 VGS = 10V)
  • 閘極閾值電壓 (VGS(TH)):0.5 - 1.5V
  • 輸入電容 (Ciss):50pF
  • 功耗 (PD):300mW
  • 工作溫度範圍:-55 至 +150°C

BSS138-7-F 規格書

BSS138-7-F 資料表 (PDF)

BSS138-7-F 個替代品
可作為 BSS138-7-F 替代品的等效替代元件,最受歡迎的元件優先

應用

  • 系統/負載開關應用
  • 高效率電源管理

類別

電晶體

一般資訊

N 通道增強型 MOSFET 是一種專為切換電子訊號而設計的 MOSFET。由於其效率和處理大功率的能力,這些元件廣泛用於電源管理應用。N 通道 MOSFET 的特點是當相對於源極對閘極施加正電壓時,能夠在汲極和源極之間導通電流。

在選擇 N 通道 MOSFET 時,工程師應考慮汲極-源極電壓 (VDSS)、汲極電流 (ID) 和靜態汲極-源極導通電阻 (RDS(ON)) 等參數。這些參數決定了 MOSFET 在電路中處理所需功率等級和效率的能力。閘極閾值電壓 (VGS(TH)) 也很重要,因為它影響開啟裝置所需的電壓。

N 通道 MOSFET 用於各種應用,包括電源電路、馬達控制器,以及作為高效電源管理系統中的開關。其低導通電阻和快速切換能力使其適用於需要高效電源處理和控制的應用。

除了技術規格外,封裝和熱管理也是重要的考慮因素。像 BSS138-7-F 這樣的裝置,憑藉其緊湊的 SOT23 封裝,為空間受限的應用提供了解決方案,同時確保足夠的散熱以實現可靠運作。

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