BSS138LT1G: N 通道功率 MOSFET，200mA，50V，SOT-23 封裝

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onsemi 的 BSS138LT1G 是一款 N 通道功率 MOSFET，設計用於可攜式和電池供電設備中的高效電源管理。它在最大連續汲極電流 200mA 和汲極-源極電壓 50V 下運作。該元件的低閾值電壓 (0.85V 至 1.5V) 使其適用於低電壓應用，增強了其在現代電子電路中的實用性。

此 MOSFET 採用緊湊的 SOT-23 封裝，最佳化了密集封裝設計中的電路板空間。其特點是靜態汲極至源極導通電阻為 3.5Ω（在 VGS = 5.0V，ID = 200mA 時），確保高效運作。該裝置還具有快速切換特性，開啟和關閉延遲時間通常約為 20ns，有助於其在高速切換應用中的性能。

• 汲極-源極電壓 (VDSS)：50V
• 連續汲極電流 (ID)：200mA
• 脈衝汲極電流 (IDM)：800mA
• 靜態汲極-源極導通電阻 (rDS(on))：3.5Ω
• 閘極-源極閾值電壓 (VGS(th))：0.85V 至 1.5V
• 總功耗 (PD)：225mW
• 操作和儲存溫度範圍：-55°C 至 150°C
• 熱阻，接面至環境 (RθJA)：556°C/W

• DC-DC 轉換器
• 可攜式裝置中的電源管理
• 電池供電產品，如電腦、印表機、PCMCIA 卡、行動電話和無線電話

金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 是一種類型的電晶體，用於放大或切換電子訊號。它們是現代電子電路中的重要元件，提供高輸入阻抗和快速開關速度。N 通道 MOSFET，如 BSS138LT1G，通常用於在負極（或「汲極」）方向切換電子訊號。

在為設計選擇 MOSFET 時，有幾個參數需要考慮，包括汲極-源極電壓 (VDSS)、汲極電流 (ID) 和靜態汲極-源極導通電阻 (rDS(on))。這些參數決定了 MOSFET 處理所需功率水平的能力和電路的效率。此外，閘極-源極閾值電壓 (VGS(th)) 對於確定在給定閘極電壓下 MOSFET 開啟的難易程度至關重要，這會影響元件對低電壓應用的適用性。

MOSFET 廣泛應用於從電源管理和轉換到信號切換的各種應用中。它們能夠以最小的輸入功率高效控制高電流和電壓，使其在現代電子設備中不可或缺。封裝的選擇，例如 BSS138LT1G 的 SOT-23 封裝，在應用中也起著重要作用，影響熱性能和電路板空間利用率等因素。

總之，選擇 MOSFET 時，重要的是要使元件的規格與應用的要求緊密匹配。這包括考慮操作環境，因為溫度和熱管理會顯著影響 MOSFET 的性能和可靠性。