BSS138LT1G: N通道功率MOSFET，200mA，50V，SOT-23封裝

onsemi

BSS138LT1G 由 onsemi 提供，是一款 N-通道功率 MOSFET，專為便攜式和電池供電設備中的高效能源管理而設計。它在最大連續漏電流為 200mA 和漏源電壓為 50V 下運行。元件的低閾值電壓（0.85V 至 1.5V）使其適用於低電壓應用，增強了其在現代電子電路中的實用性。

這款MOSFET採用緊湊的SOT-23封裝，優化了在密集打包設計中的板空間。它以3.5Ω的靜態漏至源電阻（在VGS = 5.0V, ID = 200mA時）為特點，確保了高效運行。該裝置還具有快速切換特性，開啟和關閉延遲時間通常約為20ns，有助於其在高速切換應用中的性能。

• 漏至源電壓（VDSS）：50V
• 連續漏電流（ID）：200mA
• 脈衝漏電流（IDM）：800mA
• 靜態漏至源電阻（rDS(on)）：3.5Ω
• 閘至源閾值電壓（VGS(th)）：0.85V至1.5V
• 總功率耗散（PD）：225mW
• 操作和儲存溫度範圍：-55°C至150°C
• 熱阻，接合至環境（RθJA）：556°C/W

• 直流-直流轉換器
• 便攜設備中的電源管理
• 電池供電產品，如電腦、打印機、PCMCIA卡、手機和無線電話

金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種用於放大或切換電子信號的晶體管。它們是現代電子電路中不可或缺的組件，提供高輸入阻抗和快速切換速度。N-通道 MOSFET，如 BSS138LT1G，通常用於負向（或“下沉”）方向切換電子信號。

在為設計選擇 MOSFET 時，幾個重要的參數需要考慮，包括汲極至源極電壓（VDSS）、汲極電流（ID）和靜態汲極至源極導通電阻（rDS(on)）。這些參數決定了 MOSFET 能夠處理所需的功率水平和電路的效率。此外，閘極-源極閾值電壓（VGS(th)）對於確定 MOSFET 在給定閘極電壓下的開啟容易程度至關重要，影響裝置適用於低電壓應用的適合性。

MOSFET在從電源管理和轉換到信號切換的應用中廣泛使用。它們能夠以最小的輸入功率高效控制高電流和電壓，使它們在現代電子設備中不可或缺。包裝的選擇，如BSS138LT1G的SOT-23包裝，也在應用中發揮重要作用，影響因素如熱性能和板空間利用。

總結來說，選擇MOSFET時，重要的是要密切匹配元件的規格與應用的要求。這包括考慮操作環境，因為溫度和熱管理可以顯著影響MOSFET的性能和可靠性。