PMV164ENEAR: 60 V, N-kanallı Trench MOSFET, SOT23 paketi, Lojik seviye uyumlu
Nexperia

PMV164ENEAR, Trench MOSFET teknolojisini kullanan bir N-kanallı geliştirme modu Alan Etkili Transistördür (FET). Kompakt bir SOT23 (TO-236AB) Yüzeye Monte Cihaz (SMD) plastik paketinde kapsüllenmiştir, bu da onu alanın kısıtlı olduğu çok çeşitli uygulamalar için uygun hale getirir. Bu bileşen, mantık seviyelerinde çalışacak şekilde tasarlanmıştır ve modern mikrodenetleyici arayüzleriyle uyumludur.

PMV164ENEAR'ın temel özellikleri arasında 175°C'ye kadar genişletilmiş çalışma sıcaklığı aralığı ve 2 kV HBM'yi (sınıf H2) aşan dahili Elektrostatik Deşarj (ESD) koruması bulunur. Ayrıca AEC-Q101 onaylıdır, bu da otomotiv uygulamalarında kullanıma uygunluğunu gösterir. Bu özellikler, cihazın düşük açık durum direnciyle birleştiğinde, onu güç yönetimi görevleri için verimli bir seçim haline getirir.

Temel Özellikler ve Nitelikler

  • Drain-Source Voltajı (VDS): 60 V
  • Gate-Source Voltajı (VGS): ±20 V
  • Drain Akımı (ID): VGS = 10 V, 25°C'de 1.6 A
  • Drain-Source İletim Direnci (RDSon): VGS = 10 V, ID = 1.6 A, 25°C'de 164 ila 218 mΩ
  • Toplam Güç Dağılımı (Ptot): 25°C'de 640 mW
  • Jonksiyon Sıcaklığı (Tj): -55 ila 175°C
  • ESD Koruması: > 2 kV HBM

PMV164ENEAR İkameleri
PMV164ENEAR için ikame olarak hizmet edebilecek eşdeğer alternatif bileşenler, en popüler bileşenler başta olmak üzere

Uygulamalar

  • Röle sürücüsü
  • Yüksek hızlı hat sürücüsü
  • Düşük taraf yük anahtarı
  • Anahtarlama devreleri

Kategori

Transistör

Genel bilgiler

N-kanallı MOSFET'ler, elektronik devrelerde anahtarlama ve yükseltme amaçları için yaygın olarak kullanılan bir Alan Etkili Transistör (FET) türüdür. Drenaj ve kaynak terminalleri arasındaki akım akışını kontrol etmek için bir elektrik alanı kullanarak çalışırlar. N-kanallı tanımı, kaynak ve drenaj arasında oluşan kanaldan hareket eden yük taşıyıcılarının (elektronlar) türünü ifade eder.

Bir N-kanallı MOSFET seçerken, maksimum akaç-kaynak gerilimi (VDS), taşıyabileceği maksimum akım (ID), kapı-kaynak gerilimi (VGS) ve akaç-kaynak açık durum direnci (RDSon) önemli hususlardır. Bu parametreler, verimlilik ve güç taşıma kapasiteleri de dahil olmak üzere cihazın belirli uygulamalar için uygunluğunu belirler.

MOSFET'ler modern elektroniğin ayrılmaz bir parçasıdır; güç dönüşümü, motor kontrolü ve çeşitli elektronik anahtar türlerinde kilit bileşenler olarak uygulama alanı bulurlar. Hızlı ve yüksek verimlilikle anahtarlama yetenekleri, onları özellikle güç yönetimi ve dijital devrelerde değerli kılar.

Mühendisler için doğru MOSFET'i seçmek, çalışma ortamı, güç seviyeleri ve anahtarlama hızları dahil olmak üzere uygulamalarının özel gereksinimlerini anlamayı içerir. Cihazın paketlemesi, termal özellikleri ve yerleşik koruma mekanizmaları gibi ek özellikler de seçim sürecini etkileyebilir.

PartsBox Popülerlik Endeksi

  • İşletme: 1/10
  • Hobi: 1/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components