2N7002ET7G: N-Kanal MOSFET, 60V, 310mA, SOT-23, Düşük RDS(on)
onsemi

onsemi tarafından tasarlanan 2N7002ET7G, verimli güç yönetimi ve anahtarlama uygulamaları için tasarlanmış bir N-Kanal MOSFET'tir. Drenaj-kaynak gerilimi (VDS) 60V ve maksimum sürekli drenaj akımı (ID) 310mA özellikleriyle, çeşitli düşük güç uygulamaları için uygundur. Bu bileşen, düşük açık-direnç (RDS(on)) değerleri elde etmek için hendek teknolojisini kullanır: 10V'da 2.5Ω ve 4.5V'da 3.0Ω, verimli çalışmayı ve düşük güç tüketimini sağlar.

Kompakt SOT-23 paketi, yüksek yoğunluklu PCB düzenleri için optimize edilmiştir. 2N7002ET7G, AEC-Q101 kalifiye edilmiş ve PPAP yeteneklidir, güvenilirliğini ve otomotiv uygulamaları için uygunluğunu gösterir. Ayrıca, kurşunsuz, halojensiz/BFR'siz ve RoHS uyumludur, elektronik tasarımlar için çevre dostu bir seçenek yapar.

Ana Özellikler ve Özellikler

  • Akım Kaynağından Akım Boşaltma Gerilimi (VDS): 60V
  • Sürekli Akım Boşaltma Akımı (ID): 310mA
  • Açık-Direnç (RDS(on)): 10V'da 2.5Ω, 4.5V'da 3.0Ω
  • Kapıdan Kaynağa Gerilim (VGS): ±20V
  • Güç Dağılımı: 300mW sabit durum, <5s için 420mW
  • Çalışma Bağlantı Sıcaklık Aralığı: -55°C ile +150°C arası
  • Paket: SOT-23

2N7002ET7G Veri Sayfası

2N7002ET7G veri sayfası (PDF)

2N7002ET7G Yerine Geçenler
2N7002ET7G için alternatif eşdeğer parçalar, en popüler parçalar önce

Uygulamalar

  • Düşük taraf yük anahtarı
  • Seviye kaydırma devreleri
  • DC-DC dönüştürücüler
  • Taşınabilir uygulamalar (örn., dijital kameralar, PDA'lar, cep telefonları)

Kategori

MOSFET

Genel bilgiler

MOSFET'ler (Metal-Oksit-Yarıiletken Alan-Etki Transistörleri), elektronik sinyalleri yükseltmek veya anahtarlama için kullanılan bir transistör türüdür. Yüksek verimlilikleri ve hızlı anahtarlama yetenekleri nedeniyle geniş bir elektronik cihaz yelpazesinde temel bir bileşendir. N-Kanal MOSFET'ler, yük akımlarının kapı terminaline uygulanan bir voltajla kontrol edilmesi gereken uygulamalarda tipik olarak kullanılır.

Bir MOSFET seçerken, drenaj-kaynak voltajı (VDS), kapı-kaynak voltajı (VGS), sürekli drenaj akımı (ID) ve açık direnç (RDS(on)) gibi birkaç parametre önemlidir. Bu parametreler, MOSFET'in gerekli güç seviyelerini yönetme yeteneğini ve devredeki verimliliğini belirler.

Paket tipi, özellikle termal yönetim ve PCB üzerindeki ayak izi açısından bileşenin performansında önemli bir rol oynar. Yüksek güvenilirlik gerektiren uygulamalar için, örneğin otomotiv veya endüstriyel, bileşenin endüstri standartlarına ve kalifikasyonlara uygunluğunu da göz önünde bulundurmak önemlidir.

Genel olarak, bir MOSFET'in seçimi, kullanıldığı elektronik cihazın performansı, verimliliği ve güvenilirliği üzerinde önemli bir etkiye sahip olacaktır. Bu nedenle, bileşenin özelliklerinin ve uygulamanın gereksinimleri ile nasıl uyumlu olduğunun derinlemesine anlaşılması, optimal tasarım için hayati öneme sahiptir.

PartsBox Popülerlik İndeksi

  • İş: 0/10
  • Hobi: 0/10

Elektronik Bileşen Veritabanı

Popular electronic components