BSS138NL6327: N-kanaal SIPMOS Kleinsignaal-Transistor, 60V, 0.23A, 3.5Ω
Infineon

De BSS138NL6327 is een N-kanaal enhancement mode veld-effecttransistor (FET) ontworpen voor gebruik in schakeltoepassingen. Het heeft een drain-source spanning (VDS) van 60V en een continue drainstroom (ID) van 0.23A bij 25°C, waardoor het geschikt is voor een verscheidenheid aan laagvermogen toepassingen. Het apparaat wordt gekenmerkt door zijn lage weerstand in geleiding (RDS(on)) van maximaal 3.5Ω, wat de efficiëntie in circuitwerking verbetert.

Deze transistor is geoptimaliseerd voor logische niveau-aandrijving, waardoor deze direct kan worden aangestuurd door logische circuits zonder de noodzaak voor extra niveauverschuiving. Zijn dv/dt-beoordeling en ESD-gevoeligheidsklasse 0 maken het robuust voor veeleisende omgevingen. De BSS138NL6327 valt ook op door zijn milieuvriendelijkheid, omdat het loodvrij, RoHS-conform en halogeenvrij is, naast dat het gekwalificeerd is volgens AEC Q101-normen voor auto-toepassingen.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-Source Spanning (VDS): 60V
  • Continue Drainstroom (ID): 0.23A bij 25°C
  • Gepulseerde Drainstroom (ID,pulse): 0.92A
  • Weerstand in Ingeschakelde Toestand (RDS(on)): Max 3.5Ω
  • Gate-Source Spanning (VGS): ±20V
  • Vermogensdissipatie (Ptot): 0.36W bij 25°C
  • Bedrijfs- en Opslagtemperatuur: -55 tot 150°C
  • Dynamische Kenmerken: Ingangscapaciteit (Ciss) 32-41pF, Uitgangscapaciteit (Coss) 7.2-9.5pF, Omgekeerde Overdrachtscapaciteit (Crss) 2.8-3.8pF

BSS138NL6327 Datasheet

BSS138NL6327 datasheet (PDF)

BSS138NL6327 Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor BSS138NL6327, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • Schakeltoepassingen
  • Logische niveau-aandrijfcircuits
  • Auto-elektronica
  • Energiebeheer

Categorie

Transistor

Algemene informatie

Veld-Effect Transistors (FETs) zijn een type transistor gebruikt in elektronische schakelingen voor het schakelen of versterken van signalen. FETs worden gekenmerkt door hun spanningsgestuurde werking, in tegenstelling tot Bipolaire Junctie Transistors (BJTs) die stroomgestuurd zijn. Dit maakt FETs bijzonder nuttig in toepassingen waar een hoge ingangsimpedantie wenselijk is.

Bij het selecteren van een FET voor een specifieke toepassing, zijn belangrijke overwegingen de drain-source spanning (VDS), de drainstroom (ID), de weerstand in aan-toestand (RDS(on)), en de gate-source spanning (VGS). Deze parameters bepalen het vermogen van de FET om vermogen te hanteren en de efficiëntie in het circuit. Daarnaast zijn de thermische kenmerken en ESD-gevoeligheid ook cruciaal voor het waarborgen van de betrouwbaarheid en levensduur van het apparaat onder verschillende bedrijfsomstandigheden.

FET's worden veel gebruikt in een verscheidenheid aan toepassingen, van eenvoudige schakelaars tot complexe logische schakelingen en vermogensbeheersystemen. Hun lage stroomverbruik, hoge schakelsnelheid en compatibiliteit met logica-niveau signalen maken ze bijzonder geschikt voor moderne elektronische apparaten.

Samengevat moeten ingenieurs bij het kiezen van een FET zorgvuldig de elektrische kenmerken, thermische prestaties en geschiktheid voor de beoogde toepassing overwegen. Dit zorgt voor optimale prestaties en betrouwbaarheid van het elektronische systeem.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 1/10
  • Hobby: 0/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components