BSS138LT1G: N-kanaal vermogens MOSFET, 200mA, 50V, SOT-23 behuizing
onsemi

De BSS138LT1G van onsemi is een N-kanaal Power MOSFET ontworpen voor efficiënt energiebeheer in draagbare en op batterijen werkende apparaten. Het werkt bij een maximale continue afvoerstroom van 200mA en een afvoer-naar-bron spanning van 50V. De lage drempelspanning van het component (0.85V tot 1.5V) maakt het geschikt voor laagspanningstoepassingen, waardoor het nuttig is in moderne elektronische circuits.

Deze MOSFET komt in een compact SOT-23-pakket, wat de ruimte op het bord optimaliseert in dicht opeengepakte ontwerpen. Het wordt gekenmerkt door een statische drain-tot-source weerstand van 3,5Ω (bij VGS = 5,0V, ID = 200mA), wat zorgt voor een efficiënte werking. Het apparaat heeft ook snelle schakelkenmerken, met aan- en uitschakelvertragingstijden die typisch rond de 20ns liggen, wat bijdraagt aan de prestaties in toepassingen met snelle schakeling.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-naar-Source Spanning (VDSS): 50V
  • Continue Drainstroom (ID): 200mA
  • Gepulseerde Drainstroom (IDM): 800mA
  • Statische Drain-naar-Source On-Weerstand (rDS(on)): 3.5Ω
  • Gate-Source Drempelspanning (VGS(th)): 0.85V tot 1.5V
  • Totale Vermogensdissipatie (PD): 225mW
  • Werk- en Opslagtemperatuurbereik: -55°C tot 150°C
  • Thermische Weerstand, Junction-naar-Ambient (RθJA): 556°C/W

BSS138LT1G Datasheet

BSS138LT1G datasheet (PDF)

BSS138LT1G Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor BSS138LT1G, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • DC-DC omzetters
  • Energiebeheer in draagbare apparaten
  • Op batterijen werkende producten zoals computers, printers, PCMCIA-kaarten, mobiele en draadloze telefoons

Categorie

MOSFET

Algemene informatie

Metaaloxide halfgeleider veldeffecttransistors (MOSFETs) zijn een type transistor gebruikt voor het versterken of schakelen van elektronische signalen. Ze zijn een essentieel onderdeel in moderne elektronische circuits, met een hoge ingangsimpedantie en snelle schakelsnelheden. N-kanaal MOSFETs, zoals de BSS138LT1G, worden typisch gebruikt voor het schakelen van elektronische signalen in de negatieve (of 'sink') richting.

Bij het selecteren van een MOSFET voor een ontwerp zijn verschillende parameters belangrijk om te overwegen, waaronder de drain-tot-source spanning (VDSS), drainstroom (ID) en statische drain-tot-source weerstand (rDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus te hanteren en de efficiëntie van het circuit. Daarnaast is de gate-source drempelspanning (VGS(th)) cruciaal voor het bepalen hoe gemakkelijk de MOSFET kan worden ingeschakeld bij een gegeven gate-spanning, wat de geschiktheid van het apparaat voor laagspanningstoepassingen beïnvloedt.

MOSFETs worden veel gebruikt in toepassingen variërend van vermogensbeheer en -omzetting tot signaalschakeling. Hun vermogen om hoge stromen en spanningen efficiënt te regelen met minimaal ingangsvermogen maakt ze onmisbaar in moderne elektronische apparaten. De keuze van de verpakking, zoals de SOT-23 verpakking voor de BSS138LT1G, speelt ook een belangrijke rol in de toepassing, en beïnvloedt factoren zoals thermische prestaties en ruimtegebruik op de printplaat.

Samengevat is het bij het kiezen van een MOSFET belangrijk om de specificaties van het component nauwkeurig af te stemmen op de vereisten van de toepassing. Dit omvat het overwegen van de bedrijfsomgeving, aangezien temperatuur en thermisch beheer een aanzienlijke invloed kunnen hebben op de prestaties en betrouwbaarheid van de MOSFET.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 4/10
  • Hobby: 4/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components