BSS138LT3G: N-kanaals MOSFET, 200 mA, 50 V, SOT-23
onsemi

De BSS138LT3G van onsemi is een N-kanaal MOSFET die werkt bij maximaal 200 mA en 50 V, ingekapseld in een compacte SOT-23-behuizing. Dit component is ontworpen om lage tot matige vermogensvereisten in elektronische circuits aan te kunnen, waardoor het geschikt is voor een breed scala aan toepassingen.

Belangrijke kenmerken zijn onder meer een lage drempelspanning (VGS(th)) variërend van 0,85 V tot 1,5 V, wat een efficiënte werking in laagspanningsscenario's mogelijk maakt. Bovendien wordt het apparaat gekenmerkt door zijn lage statische drain-to-source aan-weerstand (RDS(on)) van 3,5 Ω wanneer VGS 5,0 V is en ID 200 mA is, wat bijdraagt aan de efficiëntie bij het geleiden van stroom. De BSS138LT3G staat ook bekend om zijn robuustheid, met een maximaal bedrijfs- en opslagtemperatuurbereik van -55 tot 150 °C, wat zorgt voor betrouwbare prestaties onder diverse omgevingscondities.

Belangrijkste specificaties en kenmerken

  • Drain-to-Source Voltage (VDSS): 50 V
  • Gate-to-Source Voltage (VGS): ±20 V
  • Continue Drain Current (ID) bij 25°C: 200 mA
  • Gepulseerde Drain Current (IDM): 800 mA
  • Statische Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)): 3,5 Ω bij VGS = 5,0 V, ID = 200 mA
  • Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)): 0,85 V tot 1,5 V
  • Totale vermogensdissipatie (PD) bij 25°C: 225 mW
  • Bedrijfs- en opslagtemperatuurbereik: -55 tot 150 °C
  • Thermische weerstand, junctie-naar-omgeving (RθJA): 556 °C/W

BSS138LT3G Datasheet

BSS138LT3G datasheet (PDF)

BSS138LT3G Vervangers
Equivalente alternatieve componenten die als vervanging kunnen dienen voor BSS138LT3G, populairste componenten eerst

Toepassingen

  • DC-DC converters
  • Energiebeheer in draagbare en batterijgevoede producten
    • Computers
    • Printers
    • PCMCIA-kaarten
    • Mobiele en draadloze telefoons

Categorie

Transistor

Algemene informatie

N-Channel MOSFETs zijn een type veldeffecttransistor (FET) die veel worden gebruikt in elektronische circuits voor schakel- en versterkingsdoeleinden. Deze componenten worden gekenmerkt door hun vermogen om hoge stroomstromen te regelen met een relatief lage spanning, waardoor ze essentieel zijn in energiebeheer- en signaalverwerkingstoepassingen.

Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten ingenieurs rekening houden met parameters zoals drain-source spanning (VDSS), gate-source spanning (VGS), drainstroom (ID) en statische drain-source aan-weerstand (RDS(on)). Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om spanning en stroom in specifieke toepassingen te verwerken, evenals de efficiëntie en warmteafvoerkarakteristieken.

Een andere belangrijke overweging is de drempelspanning (VGS(th)), die de minimale gate-source spanning aangeeft die nodig is om het apparaat in te schakelen. Een lagere drempelspanning kan voordelig zijn in laagspanningstoepassingen, waar energie-efficiëntie cruciaal is.

Het pakkettype speelt ook een cruciale rol, vooral in ontwerpen met beperkte ruimte. Het SOT-23 pakket van de BSS138LT3G biedt bijvoorbeeld een balans tussen compactheid en thermische prestaties, waardoor het geschikt is voor een verscheidenheid aan toepassingen, waaronder draagbare en batterijgevoede apparaten.

PartsBox Populariteitsindex

  • Bedrijf: 4/10
  • Hobby: 1/10

Database elektronische componenten

Popular electronic components