BSS138LT3G: N-kanaal MOSFET, 200 mA, 50 V, SOT-23
onsemi

De BSS138LT3G van onsemi is een N-kanaal MOSFET die werkt met een maximum van 200 mA en 50 V, ingekapseld in een compacte SOT-23 behuizing. Dit component is ontworpen om lage tot matige vermogensvereisten in elektronische schakelingen te hanteren, waardoor het geschikt is voor een breed scala aan toepassingen.

Belangrijke kenmerken zijn onder andere een lage drempelspanning (VGS(th)) variërend van 0,85 V tot 1,5 V, wat zorgt voor efficiënte werking in scenario's met lage spanning. Daarnaast wordt het apparaat gekenmerkt door zijn lage statische drain-to-source weerstand (RDS(on)) van 3,5 Ω wanneer VGS 5,0 V is en ID 200 mA is, wat bijdraagt aan de efficiëntie bij het geleiden van stroom. De BSS138LT3G valt ook op door zijn robuustheid, met een maximale bedrijfs- en opslagtemperatuurbereik van -55 tot 150 °C, wat zorgt voor betrouwbare prestaties onder verschillende omgevingsomstandigheden.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-naar-bronspanning (VDSS): 50 V
  • Poort-naar-bronspanning (VGS): ±20 V
  • Continue drainstroom (ID) bij 25°C: 200 mA
  • Gepulseerde drainstroom (IDM): 800 mA
  • Statische drain-naar-bron weerstand (RDS(on)): 3,5 Ω bij VGS = 5,0 V, ID = 200 mA
  • Drempelspanning poort-bron (VGS(th)): 0,85 V tot 1,5 V
  • Totale vermogensdissipatie (PD) bij 25°C: 225 mW
  • Bedrijfs- en opslagtemperatuurbereik: -55 tot 150 °C
  • Thermische weerstand, junctie-naar-omgeving (RθJA): 556 °C/W

BSS138LT3G Datasheet

BSS138LT3G datasheet (PDF)

BSS138LT3G Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor BSS138LT3G, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • DC-DC omzetters
  • Energiebeheer in draagbare en batterijgevoede producten
    • Computers
    • Printers
    • PCMCIA kaarten
    • Mobiele en draadloze telefoons

Categorie

Transistor

Algemene informatie

N-kanaal MOSFET's zijn een type veld-effecttransistor (FET) die veel worden gebruikt in elektronische circuits voor schakel- en versterkingsdoeleinden. Deze componenten worden gekenmerkt door hun vermogen om een hoge stroomstroom te regelen met een relatief lage spanning, waardoor ze essentieel zijn in toepassingen voor energiebeheer en signaalverwerking.

Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten ingenieurs parameters zoals drain-to-source spanning (VDSS), gate-to-source spanning (VGS), drainstroom (ID) en statische drain-to-source weerstand (RDS(on)) overwegen. Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om spanning en stroom in specifieke toepassingen te hanteren, evenals de efficiëntie en warmteafvoerkenmerken.

Een andere belangrijke overweging is de drempelspanning (VGS(th)), die de minimale poort-naar-bronspanning aangeeft die nodig is om het apparaat in te schakelen. Een lagere drempelspanning kan voordelig zijn in toepassingen met lage spanning, waar energie-efficiëntie cruciaal is.

Het type behuizing speelt ook een cruciale rol, vooral in ontwerpen waar ruimte beperkt is. De SOT-23 behuizing van de BSS138LT3G biedt bijvoorbeeld een balans tussen compactheid en thermische prestaties, waardoor het geschikt is voor een verscheidenheid aan toepassingen, waaronder draagbare en op batterijen werkende apparaten.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 4/10
  • Hobby: 1/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components