BSS138-7-F: N-kanaal Enhancement Mode MOSFET, 50V, 200mA, 3.5Ω
Diodes Inc.

De BSS138-7-F is een N-kanaal Enhancement Mode MOSFET ontworpen voor hoogefficiënte energiebeheertoepassingen. Het kenmerkt zich door een lage weerstand (RDS(ON)) van 3.5Ω bij VGS = 10V, wat het vermogensverlies minimaliseert terwijl het superieure schakelprestaties behoudt. Dit component wordt gekenmerkt door zijn lage gate-drempelspanning, snelle schakelsnelheid en lage in-/uitgangslek, waardoor het geschikt is voor systeem- en lastschakeltoepassingen.

Deze MOSFET is verpakt in een kleine SOT23-behuizing, waardoor het een compacte oplossing biedt voor ontwerpen met beperkte ruimte. Het is volledig RoHS-compliant en aangeduid als een "Groen" apparaat, wat aangeeft dat het vrij is van halogenen en antimoon. De BSS138-7-F is ideaal voor ingenieurs die op zoek zijn naar een betrouwbare schakelaar met een laag energieverbruik en hoge schakelefficiëntie.

Belangrijke Specificaties en Kenmerken

  • Drain-Source Spanning (VDSS): 50V
  • Drainstroom (ID): 200mA
  • Statische Drain-Source Aan-weerstand (RDS(ON)): 3.5Ω bij VGS = 10V
  • Poortdrempelspanning (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Ingangscapaciteit (Ciss): 50pF
  • Vermogensdissipatie (PD): 300mW
  • Bedrijfstemperatuurbereik: -55 tot +150°C

BSS138-7-F Datasheet

BSS138-7-F datasheet (PDF)

BSS138-7-F Vervangingen
Equivalent alternatieve onderdelen die kunnen dienen als vervanging voor BSS138-7-F, meest populaire onderdelen eerst

Toepassingen

  • Systeem-/lastschakeltoepassingen
  • Hoog rendement energiebeheer

Categorie

Transistors

Algemene informatie

N-kanaal Enhancement Mode MOSFETs zijn een type MOSFET ontworpen voor het schakelen van elektronische signalen. Deze componenten worden veel gebruikt in toepassingen voor energiebeheer vanwege hun efficiëntie en het vermogen om aanzienlijke vermogensniveaus te hanteren. N-kanaal MOSFETs worden gekenmerkt door hun vermogen om stroom te geleiden tussen de drain en de bron wanneer een positieve spanning op de poort wordt toegepast ten opzichte van de bron.

Bij het selecteren van een N-kanaal MOSFET moeten ingenieurs parameters zoals de drain-source spanning (VDSS), drainstroom (ID) en statische drain-source weerstand (RDS(ON)) overwegen. Deze parameters bepalen het vermogen van de MOSFET om de vereiste vermogensniveaus en efficiëntie in een circuit te hanteren. De gate drempelspanning (VGS(TH)) is ook belangrijk, omdat het de spanning beïnvloedt die nodig is om het apparaat aan te zetten.

N-kanaal MOSFET's worden gebruikt in een verscheidenheid van toepassingen, waaronder voedingsschakelingen, motorcontrollers en als schakelaars in hoogefficiënte energiebeheersystemen. Hun lage weerstand in ingeschakelde toestand en snelle schakelmogelijkheden maken ze geschikt voor toepassingen die efficiënte energiebehandeling en -controle vereisen.

Naast de technische specificaties zijn verpakking en thermisch beheer ook belangrijke overwegingen. Apparaten zoals de BSS138-7-F, met zijn compacte SOT23-verpakking, bieden een oplossing voor toepassingen met beperkte ruimte en zorgen tegelijkertijd voor voldoende warmteafvoer voor betrouwbare werking.

PartsBox Populariteitsindex

  • Zakelijk: 5/10
  • Hobby: 3/10

Elektronische Componenten Database

Popular electronic components