De BSS138 is een N-kanaals enhancement mode Field Effect Transistor (FET) geproduceerd met behulp van onsemi's eigen DMOS-technologie met hoge celdichtheid. Deze technologie stelt de BSS138 in staat om een lage aan-weerstand te bereiken met behoud van robuuste, betrouwbare en snelle schakelprestaties. Het apparaat is geoptimaliseerd voor toepassingen met lage spanning en lage stroom, waardoor het geschikt is voor kleine servomotorbesturing, vermogens-MOSFET-poortdrivers en andere schakeltoepassingen.
De BSS138, met een compacte industriestandaard SOT-23 surface-mount behuizing, is ontworpen om de aan-weerstand te minimaliseren, met waarden van 3,5Ω bij VGS = 10V en 6,0Ω bij VGS = 4,5V. Deze lage aan-weerstand wordt bereikt door onsemi's celontwerp met hoge dichtheid, wat bijdraagt aan de efficiëntie van het apparaat in zijn toepassingen. Bovendien wordt de BSS138 gekenmerkt door zijn robuustheid en betrouwbaarheid, wat zorgt voor prestaties in een verscheidenheid aan bedrijfsomstandigheden.
Het apparaat staat ook bekend als loodvrij en halogeenvrij, in overeenstemming met de huidige milieunormen voor elektronische componenten. Dit maakt de BSS138 een milieuvriendelijke keuze voor ingenieurs die duurzame producten willen ontwerpen.
Transistor
Veldeffecttransistoren (FET's) zijn een type transistor dat in elektronische circuits wordt gebruikt om de stroomstroom te regelen. Ze zijn sleutelcomponenten in een breed scala aan toepassingen, van energiebeheer tot signaalversterking. FET's werken door een elektrisch veld te gebruiken om de vorm en daarmee de geleidbaarheid van een 'kanaal' in een halfgeleidermateriaal te regelen. Dit maakt efficiënte schakeling en versterking van elektronische signalen mogelijk.
Bij het selecteren van een FET voor een bepaalde toepassing zijn verschillende parameters belangrijk om te overwegen. Deze omvatten de drain-source spanning, die de maximale spanning aangeeft die de FET aankan tussen zijn drain- en source-aansluitingen; de gate-source spanning, wat het spanningsverschil is dat nodig is bij de gate om de FET geleidend te maken; en de drainstroom, wat de maximale stroom is die door de FET kan stromen. De on-state weerstand is ook cruciaal, omdat deze de efficiëntie van de FET beïnvloedt door te bepalen hoeveel vermogen verloren gaat in de vorm van warmte wanneer de FET geleidt.
N-Channel FET's, zoals de BSS138, zijn bijzonder geschikt voor toepassingen die efficiënt energiebeheer en schakelen vereisen. Ze worden doorgaans gebruikt in laagspannings-, laagstroomtoepassingen vanwege hun vermogen om de stroomstroom efficiënt te regelen met minimaal vermogensverlies. Bij het kiezen van een N-Channel FET moeten ingenieurs rekening houden met de spannings- en stroomwaarden van het apparaat, de aan-weerstand, de schakelsnelheid en de thermische prestaties om ervoor te zorgen dat het voldoet aan de vereisten van hun toepassing.
De BSS138, met zijn lage aan-weerstand en ontwerp met hoge celdichtheid, is een voorbeeld van een N-kanaal FET ontworpen voor efficiënte prestaties in toepassingen met lage spanning en lage stroom. Zijn compacte SOT-23-behuizing en robuuste, betrouwbare prestaties maken hem geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder motorbesturing en vermogensschakeling.