De BSS138 is een N-kanaal verrijkingstype veld-effecttransistor (FET) geproduceerd met onsemi's eigen, hoog cel dichtheid, DMOS-technologie. Deze technologie stelt de BSS138 in staat om een lage weerstand in ingeschakelde toestand te bereiken terwijl het robuust, betrouwbaar en snel schakelgedrag behoudt. Het apparaat is geoptimaliseerd voor laagspanning, laagstroomtoepassingen, waardoor het geschikt is voor kleine servomotorbesturing, power MOSFET gate drivers en andere schakeltoepassingen.
Met een compacte industrie-standaard SOT-23 oppervlaktemontageverpakking is de BSS138 ontworpen om de weerstand in ingeschakelde toestand te minimaliseren, met waarden van 3.5Ω bij VGS = 10V en 6.0Ω bij VGS = 4.5V. Deze lage weerstand in ingeschakelde toestand wordt bereikt door het ontwerp met hoge dichtheid cellen van onsemi, wat bijdraagt aan de efficiëntie van het apparaat in zijn toepassingen. Bovendien wordt de BSS138 gekenmerkt door zijn robuustheid en betrouwbaarheid, wat zorgt voor prestaties in een verscheidenheid aan bedrijfsomstandigheden.
Het apparaat staat ook bekend als loodvrij en halogeenvrij, in lijn met de huidige milieunormen voor elektronische componenten. Dit maakt de BSS138 een milieuvriendelijke keuze voor ingenieurs die duurzame producten willen ontwerpen.
Transistor
Veld Effect Transistors (FETs) zijn een type transistor gebruikt in elektronische circuits om de stroomstroom te regelen. Ze zijn sleutelcomponenten in een breed scala aan toepassingen, van energiebeheer tot signaalversterking. FETs werken door het gebruik van een elektrisch veld om de vorm en dus de geleidbaarheid van een 'kanaal' in een halfgeleidermateriaal te regelen. Dit maakt de efficiënte schakeling en versterking van elektronische signalen mogelijk.
Bij het selecteren van een FET voor een bepaalde toepassing zijn verschillende parameters belangrijk om te overwegen. Deze omvatten de drain-source spanning, die de maximale spanning aangeeft die de FET kan hanteren tussen zijn drain- en source-terminals; de gate-source spanning, die het spanningsverschil is dat vereist is bij de gate om de FET geleidend te maken; en de drainstroom, die de maximale stroom is die door de FET kan stromen. De weerstand in geleidingstoestand is ook cruciaal, omdat het de efficiëntie van de FET beïnvloedt door te bepalen hoeveel vermogen verloren gaat in de vorm van warmte wanneer de FET geleidend is.
N-kanaal FET's, zoals de BSS138, zijn bijzonder geschikt voor toepassingen die efficiënt energiebeheer en schakeling vereisen. Ze worden doorgaans gebruikt in toepassingen met lage spanning en lage stroom vanwege hun vermogen om de stroomstroom efficiënt te regelen met minimaal vermogensverlies. Bij het kiezen van een N-kanaal FET moeten ingenieurs de spannings- en stroomwaarderingen van het apparaat, de weerstand in ingeschakelde toestand, schakelsnelheid en thermische prestaties overwegen om ervoor te zorgen dat het voldoet aan de vereisten van hun toepassing.
De BSS138, met zijn lage weerstand in geleidingstoestand en hoogdichtheidscelontwerp, is een voorbeeld van een N-kanaal FET ontworpen voor efficiënte prestaties in toepassingen met lage spanning en lage stroom. Zijn compacte SOT-23 behuizing en robuuste, betrouwbare prestaties maken hem geschikt voor een breed scala aan toepassingen, waaronder motorbesturing en vermogensschakeling.