2N3906BU: Transistor au silicium PNP, VCEO 40V, IC 200mA, TO-92
onsemi

Le 2N3906BU, fabriqué par onsemi, est un transistor en silicium PNP encapsulé dans un boîtier TO-92. Ce composant est conçu pour des applications générales, avec une tension collecteur-émetteur (VCEO) de 40V et une capacité de courant collecteur continu (IC) allant jusqu'à 200mA. Il fonctionne efficacement dans une plage de température de jonction de -55 à +150°C, le rendant adapté à une large gamme de conditions environnementales.

Le transistor présente une tension collecteur-base (VCBO) de 40V et une tension émetteur-base (VEBO) de 5.0V. Sa dissipation totale de l'appareil à 25°C est évaluée à 625mW, avec une dérive au-dessus de 25°C de 5.0mW/°C. Pour les applications nécessitant une dissipation de puissance plus élevée, le dispositif peut dissiper jusqu'à 1.5W à une température de boîtier (TC) de 25°C, avec une dérive de 12mW/°C au-dessus de cette température. Ces caractéristiques rendent le 2N3906BU un composant polyvalent pour divers circuits électroniques.

Caractéristiques et spécifications clés

  • Tension collecteur-émetteur (VCEO) : 40V
  • Tension collecteur-base (VCBO) : 40V
  • Tension émetteur-base (VEBO) : 5.0V
  • Courant du collecteur - Continu (IC) : 200mA
  • Dissipation totale du dispositif (@ TA = 25°C) : 625mW
  • Plage de température de fonctionnement et de stockage (TJ, Tstg) : -55 à +150°C
  • Résistance thermique, jonction-ambiance (RΘJA) : 200°C/W
  • Résistance thermique, jonction-boîtier (RΘJC) : 83.3°C/W

2N3906BU Fiche technique

2N3906BU fiche technique (PDF)

Substituts de 2N3906BU
Pièces de rechange équivalentes qui peuvent servir de substitut à 2N3906BU, les composants les plus populaires en premier

Applications

  • Amplification de signal
  • Applications de commutation
  • Amplificateurs audio

Catégorie

Transistors

Informations générales

Les transistors sont des composants fondamentaux dans les circuits électroniques, agissant comme des interrupteurs ou des amplificateurs. Ils contrôlent le flux de courant électrique dans un circuit et sont essentiels à la création de dispositifs électroniques fonctionnels. Lors de la sélection d'un transistor, les considérations incluent le type (PNP ou NPN), les évaluations maximales (telles que la tension collecteur-émetteur, le courant collecteur), la dissipation de puissance et le type de boîtier.

Les transistors PNP, comme le 2N3906BU, sont un type de transistor à jonction bipolaire (BJT) qui utilisent des trous comme porteurs de charge majoritaires. Ils sont couramment utilisés dans les applications d'amplification de signal et de commutation. La tension collecteur-émetteur, le courant collecteur et les évaluations de dissipation de puissance sont des paramètres importants qui déterminent l'adéquation du transistor pour une application particulière. De plus, les caractéristiques thermiques, telles que la résistance thermique, sont cruciales pour assurer que le dispositif fonctionne dans des plages de température sûres.

Dans les applications, les transistors PNP sont souvent trouvés en paires complémentaires avec des transistors NPN pour créer des configurations d'amplificateurs push-pull, offrant des avantages en termes d'efficacité énergétique et d'intégrité du signal. Comprendre les caractéristiques électriques et les métriques de performance du transistor est essentiel pour l'intégrer efficacement dans les circuits électroniques.

Enfin, l'emballage d'un transistor, tel que le TO-92 pour le 2N3906BU, affecte ses capacités de dissipation thermique et comment il peut être monté sur une carte de circuit. Les ingénieurs doivent considérer les dimensions physiques et le style de montage du transistor pour assurer la compatibilité avec l'application prévue et la conception du circuit.

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