Le Central Semiconductor 2N2222A est un transistor planaire épitaxial NPN en silicium conçu principalement pour les applications de commutation à petit signal et à usage général. Ce composant est encapsulé dans un boîtier métallique TO-18, offrant une empreinte compacte pour les conceptions où l'espace est limité.
Les caractéristiques clés du 2N2222A incluent sa capacité à gérer des courants de collecteur continus jusqu'à 800mA, ce qui le rend adapté à une large gamme d'applications. De plus, ses valeurs nominales maximales robustes, y compris une tension collecteur-émetteur (VCEO) de 40V et une dissipation de puissance (PD) de 500mW à une température ambiante de 25°C, garantissent un fonctionnement fiable dans diverses conditions. Le dispositif présente également de faibles tensions de saturation et un gain de courant élevé (hFE) dans une gamme de conditions de fonctionnement, améliorant encore sa polyvalence dans la conception de circuits.
Transistor
Les transistors NPN sont des composants fondamentaux dans les circuits électroniques, agissant comme amplificateurs ou commutateurs. Ces dispositifs sont constitués de trois couches de matériau semi-conducteur, les couches externes étant de type n et la couche centrale de type p, formant une configuration NPN. Le fonctionnement d'un transistor NPN est basé sur le contrôle du flux de courant du collecteur vers l'émetteur, modulé par le courant de base.
Lors de la sélection d'un transistor NPN, les considérations clés incluent les tensions maximales collecteur-émetteur et collecteur-base, le courant maximal de collecteur, la dissipation de puissance et le gain en courant. Ces paramètres déterminent l'adéquation du transistor pour des applications spécifiques, allant de l'amplification de signal à faible puissance à la commutation à haute puissance.
Le 2N2222A, avec son boîtier métallique compact TO-18, est particulièrement adapté aux applications où l'espace est limité et la fiabilité primordiale. Sa capacité à gérer des courants et des tensions relativement élevés, ainsi que son gain de courant élevé et ses faibles tensions de saturation, en font un choix polyvalent pour une large gamme d'applications.
Outre les spécifications électriques, les caractéristiques thermiques telles que la résistance thermique et la plage de température de fonctionnement sont également importantes. Ces facteurs influencent le choix du dissipateur thermique et la fiabilité globale du transistor dans diverses conditions de fonctionnement.