Le Central Semiconductor 2N2222A est un transistor planaire épitaxial NPN en silicium conçu principalement pour les applications de commutation de petits signaux, à usage général. Ce composant est encapsulé dans un boîtier métallique TO-18, offrant une empreinte compacte pour les conceptions où l'espace est limité.
Les caractéristiques clés du 2N2222A incluent sa capacité à gérer des courants de collecteur continus jusqu'à 800mA, le rendant adapté à une large gamme d'applications. De plus, ses évaluations maximales robustes, incluant une tension collecteur-émetteur (VCEO) de 40V et une dissipation de puissance (PD) de 500mW à une température ambiante de 25°C, assurent un fonctionnement fiable dans diverses conditions. Le dispositif présente également des tensions de saturation faibles et un gain de courant élevé (hFE) dans une gamme de conditions de fonctionnement, améliorant davantage sa polyvalence dans la conception de circuits.
Transistor
Les transistors NPN sont des composants fondamentaux dans les circuits électroniques, agissant comme des amplificateurs ou des interrupteurs. Ces dispositifs se composent de trois couches de matériau semi-conducteur, les couches extérieures étant de type n et la couche intermédiaire de type p, formant une configuration NPN. Le fonctionnement d'un transistor NPN est basé sur le contrôle du flux de courant du collecteur à l'émetteur, modulé par le courant de base.
Lors de la sélection d'un transistor NPN, les considérations clés incluent les tensions maximales collecteur-émetteur et collecteur-base, le courant maximal du collecteur, la dissipation de puissance et le gain en courant. Ces paramètres déterminent l'adéquation du transistor pour des applications spécifiques, allant de l'amplification de signal de faible puissance à la commutation de haute puissance.
Le 2N2222A, avec son boîtier métallique compact TO-18, est particulièrement adapté aux applications où l'espace est limité et la fiabilité est primordiale. Sa capacité à gérer des courants et des tensions relativement élevés, ainsi que son gain de courant élevé et ses faibles tensions de saturation, en font un choix polyvalent pour une large gamme d'applications.
En plus des spécifications électriques, les caractéristiques thermiques telles que la résistance thermique et la plage de température de fonctionnement sont également importantes. Ces facteurs influencent le choix du dissipateur thermique et la fiabilité globale du transistor dans diverses conditions de fonctionnement.