BAT54A-7-F: Diodo de Barrera Schottky SMT, 30V, 200mA, 0.8V máx VF, SOT23
Diodes Inc.

El BAT54A-7-F es un diodo Schottky de barrera de montaje superficial diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Presenta un bajo voltaje de encendido y un voltaje directo máximo de 0.8V, permitiendo una operación eficiente. El componente está encapsulado en un paquete SOT23, proporcionando una solución compacta para aplicaciones con restricciones de espacio. Este diodo está diseñado con un anillo de protección de unión PN, ofreciendo una protección mejorada contra eventos transitorios y descargas electrostáticas (ESD), haciéndolo adecuado para circuitos electrónicos sensibles.

El dispositivo cumple con las regulaciones RoHS, asegurando una opción ecológica para diseños electrónicos. Es capaz de manejar una corriente de salida rectificada promedio de 200mA y soporta un voltaje inverso repetitivo pico de 30V. El BAT54A-7-F se caracteriza por su capacidad de conmutación rápida, lo que lo convierte en una opción ideal para aplicaciones de alta frecuencia. Las propiedades mecánicas y térmicas del diodo están optimizadas para la fiabilidad, incluyendo un nivel de sensibilidad a la humedad de 1 y una disipación de potencia máxima de 200mW.

Especificaciones y Características Clave

  • Paquete: SOT23 (Estándar)
  • Voltaje inverso repetitivo pico (VRRM): 30V
  • Corriente rectificada promedio de salida (IO): 200mA
  • Voltaje directo (VFmax): 0.8V
  • Corriente de fuga inversa (IRmax): 2μA
  • Disipación de potencia (PD): 200mW
  • Resistencia térmica, unión al ambiente (RθJA): 500°C/W
  • Rango de temperatura de operación: -65 a +150°C

BAT54A-7-F Hoja de Datos

BAT54A-7-F hoja de datos (PDF)

BAT54A-7-F Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BAT54A-7-F, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Circuitos de suministro de energía
  • Convertidores DC-DC
  • Sistemas de gestión de baterías

Categoría

Diodo

Información general

Los diodos de barrera Schottky son dispositivos semiconductores que permiten el flujo de corriente en una dirección con una caída de voltaje directo muy baja, haciéndolos altamente eficientes para aplicaciones que requieren conmutación rápida y baja pérdida de energía. Se caracterizan por el uso de una unión metal-semiconductor como barrera del diodo, en lugar de la unión PN encontrada en diodos estándar. Esta configuración resulta en un voltaje directo más bajo y una velocidad de conmutación más rápida.

Al seleccionar un diodo de barrera Schottky, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje máximo inverso, la corriente directa, la caída de voltaje directo y el tipo de paquete. Estas características determinan la idoneidad del diodo para aplicaciones específicas, incluyendo conversión de energía, sujeción de voltaje y circuitos de protección. La baja caída de voltaje directo y la capacidad de conmutación rápida hacen que los diodos Schottky sean ideales para aplicaciones de alta frecuencia y alta eficiencia.

Otra consideración importante es el rendimiento térmico del diodo, ya que la conmutación de alta velocidad puede generar calor significativo. Las clasificaciones de resistencia térmica y disipación de potencia proporcionan información sobre la capacidad del diodo para gestionar el calor bajo condiciones operativas. Además, las características de protección como anillos de protección para transitorios y protección ESD son valiosas para mejorar la confiabilidad y longevidad de los circuitos electrónicos.

En general, los diodos Schottky de barrera son componentes versátiles que ofrecen ventajas significativas para una amplia gama de aplicaciones electrónicas. Su eficiencia, velocidad y factor de forma compacto los hacen esenciales para diseños electrónicos modernos, particularmente en circuitos de gestión de energía y procesamiento de señales.

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