1N4148W-13-F: Diodo de Conmutación Rápida SOD123, VRRM 100V, IFM 300mA, trr máx 4ns
Diodes Inc.

El 1N4148W-13-F de Diodes Inc. es un diodo de conmutación rápida de montaje superficial diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Este diodo presenta una baja caída de voltaje directo y un rápido tiempo de recuperación inversa, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia. El encapsulado SOD123 está optimizado para procesos de inserción automatizados, mejorando la eficiencia de producción.

Los atributos clave incluyen un voltaje repetitivo inverso máximo (VRRM) de 100V, una corriente adelante continua (IFM) de 300mA y un tiempo de recuperación inversa (trr) de hasta 4ns. Estas especificaciones hacen que el 1N4148W-13-F sea una elección ideal para aplicaciones de conmutación de propósito general donde la velocidad es un factor crítico.

Especificaciones y Características Clave

  • Paquete: SOD123
  • Voltaje Inverso Repetitivo Máximo (VRRM): 100V
  • Corriente Continua Hacia Adelante (IFM): 300mA
  • Corriente de Sobretensión Hacia Adelante No Repetitiva: 2A a 1µs, 1A a 1s
  • Disipación de Potencia: 400mW
  • Resistencia Térmica de la Unión al Aire Ambiente: 315°C/W
  • Rango de Temperatura de Operación y Almacenamiento: -55 a +150°C
  • Voltaje de Ruptura Inversa: Mínimo 100V
  • Voltaje Hacia Adelante: Hasta 1.25V a 150mA
  • Corriente Inversa de Pico: Hasta 50µA a 75V, 150°C
  • Capacitancia Total: Máximo 2pF
  • Tiempo de Recuperación Inversa: Máximo 4ns

1N4148W-13-F Hoja de Datos

1N4148W-13-F hoja de datos (PDF)

1N4148W-13-F Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de 1N4148W-13-F, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Circuitos de conmutación de alta frecuencia
  • Aplicaciones de conmutación de propósito general

Categoría

Diodo

Información general

Los diodos de conmutación rápida son dispositivos semiconductores que permiten el flujo de corriente en una dirección y pueden interrumpir el flujo de corriente rápidamente cuando se invierte. Se caracterizan por su capacidad para conmutar del estado conductor al no conductor y viceversa en un corto período de tiempo, típicamente nanosegundos a microsegundos. Esto los hace adecuados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en circuitos digitales y analógicos.

Al seleccionar un diodo de conmutación rápida, los ingenieros deben considerar parámetros como la tensión inversa máxima, la corriente hacia adelante, la disipación de potencia, el tiempo de recuperación inversa y el tipo de paquete. Estas especificaciones determinan la idoneidad del diodo para aplicaciones específicas, incluyendo el procesamiento de señales, la gestión de potencia y los circuitos de protección.

El tiempo de recuperación inversa (trr) es particularmente importante en aplicaciones de alta velocidad, ya que afecta la velocidad de conmutación del diodo. Valores más bajos de trr indican capacidades de conmutación más rápidas. Además, el tipo de paquete influye en la gestión térmica y la integración física del diodo en las placas de circuito.

Los diodos de conmutación rápida son ampliamente utilizados en una variedad de aplicaciones, desde electrónica de consumo hasta sistemas automotrices, donde se requiere conmutación rápida. Su capacidad para manejar señales de alta velocidad de manera eficiente los hace componentes esenciales en diseños electrónicos modernos.

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