1N4148W-13-F: Diodo de conmutación rápida SOD123, VRRM 100V, IFM 300mA, trr máx 4ns
Diodes Inc.

El 1N4148W-13-F de Diodes Inc. es un diodo de conmutación rápida de montaje superficial diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad. Este diodo presenta una baja caída de voltaje directo y un tiempo de recuperación inversa rápido, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta frecuencia. El paquete SOD123 está optimizado para procesos de inserción automatizada, mejorando la eficiencia de producción.

Los atributos clave incluyen un voltaje repetitivo inverso máximo (VRRM) de 100V, una corriente continua directa (IFM) de 300mA y un tiempo de recuperación inversa (trr) de hasta 4ns. Estas especificaciones hacen del 1N4148W-13-F una opción ideal para aplicaciones de conmutación de propósito general donde la velocidad es un factor crítico.

Especificaciones y Características Clave

  • Paquete: SOD123
  • Voltaje repetitivo inverso máximo (VRRM): 100V
  • Corriente continua directa (IFM): 300mA
  • Corriente de sobretensión directa máxima no repetitiva: 2A a 1µs, 1A a 1s
  • Disipación de potencia: 400mW
  • Resistencia térmica de unión a aire ambiente: 315°C/W
  • Rango de temperatura de funcionamiento y almacenamiento: -55 a +150°C
  • Voltaje de ruptura inversa: Mínimo 100V
  • Voltaje directo: Hasta 1,25V a 150mA
  • Corriente inversa máxima: Hasta 50µA a 75V, 150°C
  • Capacitancia total: Máximo 2pF
  • Tiempo de recuperación inversa: Máximo 4ns

Hoja de datos de 1N4148W-13-F

Hoja de datos de 1N4148W-13-F (PDF)

Sustitutos de 1N4148W-13-F
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de 1N4148W-13-F, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Circuitos de conmutación de alta frecuencia
  • Aplicaciones de conmutación de propósito general

Categoría

Diodo

Información general

Los diodos de conmutación rápida son dispositivos semiconductores que permiten que la corriente fluya en una dirección y pueden cortar el flujo de corriente rápidamente cuando se invierten. Se caracterizan por su capacidad para cambiar de estado conductor a no conductor y viceversa en un corto período de tiempo, típicamente de nanosegundos a microsegundos. Esto los hace adecuados para aplicaciones de conmutación de alta velocidad en circuitos digitales y analógicos.

Al seleccionar un diodo de conmutación rápida, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje inverso máximo, la corriente directa, la disipación de potencia, el tiempo de recuperación inversa y el tipo de encapsulado. Estas especificaciones determinan la idoneidad del diodo para aplicaciones específicas, incluido el procesamiento de señales, la gestión de energía y los circuitos de protección.

El tiempo de recuperación inversa (trr) es particularmente importante en aplicaciones de alta velocidad, ya que afecta la velocidad de conmutación del diodo. Valores de trr más bajos indican capacidades de conmutación más rápidas. Además, el tipo de paquete influye en la gestión térmica y la integración física del diodo en las placas de circuito.

Los diodos de conmutación rápida se utilizan ampliamente en una variedad de aplicaciones, desde electrónica de consumo hasta sistemas automotrices, donde se requiere una conmutación rápida. Su capacidad para gestionar eficientemente señales de alta velocidad los convierte en componentes esenciales en los diseños electrónicos modernos.

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