BAT54HT1G: Diodo de Barrera Schottky, 30V, SOD-323, Conmutación Rápida
onsemi

El BAT54HT1G es un diodo de barrera Schottky de onsemi, diseñado para aplicaciones que requieren velocidades de conmutación rápidas. Su construcción permite voltajes directos extremadamente bajos, reduciendo significativamente las pérdidas de conducción durante la operación. Esto lo hace muy adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, protección de circuitos y limitación de voltaje.

Alojado en un paquete miniatura SOD-323, el BAT54HT1G está optimizado para aplicaciones con limitaciones de espacio, como dispositivos portátiles y de mano. Su bajo voltaje directo de 0,35V (típico a IF = 10 mA) y su rápido tiempo de recuperación inversa aseguran un rendimiento eficiente en una variedad de circuitos. Además, el diodo está calificado AEC-Q101, lo que lo hace adecuado para aplicaciones automotrices y otros escenarios que requieren estándares de fiabilidad estrictos.

Especificaciones y Características Clave

  • Paquete: SOD-323
  • Voltaje Inverso (VR): 30V
  • Voltaje Directo (VF): 0.35V (típico a IF = 10 mA)
  • Corriente Directa (IF): 200 mA
  • Corriente Directa Pico No Repetitiva (IFSM): 600 mA
  • Resistencia Térmica, Unión a Ambiente (RθJA): 635 °C/W
  • Rango de Temperatura de Operación: -55°C a +150°C

Hoja de datos de BAT54HT1G

Hoja de datos de BAT54HT1G (PDF)

Sustitutos de BAT54HT1G
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BAT54HT1G, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Protección de circuitos
  • Limitación de voltaje (clamping)
  • Dispositivos portátiles y de mano

Categoría

Diodos

Información general

Los diodos de barrera Schottky son dispositivos semiconductores que exhiben una baja caída de voltaje directo y características de conmutación rápida. Se utilizan ampliamente en varios circuitos electrónicos para aplicaciones como rectificación, limitación de voltaje y protección contra voltaje inverso. La baja caída de voltaje directo de los diodos Schottky los hace altamente eficientes en aplicaciones de conversión de energía, reduciendo la disipación de calor y mejorando el rendimiento general del sistema.

Al seleccionar un diodo Schottky, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje inverso máximo, la capacidad de corriente directa, el tipo de encapsulado y las características térmicas. La elección del diodo dependerá de los requisitos específicos de la aplicación, incluido el rango de voltaje de operación, la capacidad de manejo de corriente y las limitaciones de espacio.

Los diodos Schottky son adecuados para aplicaciones de alta frecuencia debido a su rápida velocidad de conmutación. Esta característica es beneficiosa en circuitos que requieren una transición rápida entre estados de conducción y no conducción, como en fuentes de alimentación conmutadas y rectificadores de alta frecuencia.

Además de su rendimiento eléctrico, el tamaño físico y el tipo de paquete del diodo también son consideraciones importantes en el diseño de circuitos. Dispositivos como el BAT54HT1G, empaquetados en un formato compacto SOD-323, son particularmente útiles en aplicaciones con limitaciones de espacio donde el uso eficiente del espacio de la PCB es crítico.

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