BAT54HT1G: Diodo de Barrera Schottky, 30V, SOD-323, Conmutación Rápida
onsemi

El BAT54HT1G es un diodo de barrera Schottky de onsemi, diseñado para aplicaciones que requieren velocidades de conmutación rápidas. Su construcción permite voltajes directos extremadamente bajos, reduciendo significativamente las pérdidas de conducción durante la operación. Esto lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, protección de circuitos y sujeción de voltaje.

Alojado en un paquete miniatura SOD-323, el BAT54HT1G está optimizado para aplicaciones con restricciones de espacio, como dispositivos portátiles y de mano. Su bajo voltaje directo de 0.35V (típico a IF = 10 mA) y su rápido tiempo de recuperación inversa aseguran un rendimiento eficiente en una variedad de circuitos. Además, el diodo está calificado según AEC-Q101, lo que lo hace adecuado para aplicaciones automotrices y otros escenarios que requieren estándares estrictos de confiabilidad.

Especificaciones y Características Clave

  • Encapsulado: SOD-323
  • Voltaje Inverso (VR): 30V
  • Voltaje Directo (VF): 0.35V (típico a IF = 10 mA)
  • Corriente Directa (IF): 200 mA
  • Corriente Directa Pico No Repetitiva (IFSM): 600 mA
  • Resistencia Térmica, Unión a Ambiente (RθJA): 635 °C/W
  • Rango de Temperatura de Funcionamiento: -55°C a +150°C

BAT54HT1G Hoja de Datos

BAT54HT1G hoja de datos (PDF)

BAT54HT1G Sustitutos
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BAT54HT1G, los componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Protección de circuitos
  • Sujeción de voltaje
  • Dispositivos portátiles y de mano

Categoría

Diodos

Información general

Los diodos de barrera Schottky son dispositivos semiconductores que exhiben una baja caída de voltaje directo y características de conmutación rápida. Son ampliamente utilizados en varios circuitos electrónicos para aplicaciones como rectificación, sujeción de voltaje y protección contra voltaje inverso. La baja caída de voltaje directo de los diodos Schottky los hace altamente eficientes en aplicaciones de conversión de energía, reduciendo la disipación de calor y mejorando el rendimiento general del sistema.

Al seleccionar un diodo Schottky, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje inverso máximo, la capacidad de corriente directa, el tipo de paquete y las características térmicas. La elección del diodo dependerá de los requisitos específicos de la aplicación, incluyendo el rango de voltaje de operación, la capacidad de manejo de corriente y las restricciones de espacio.

Los diodos Schottky son adecuados para aplicaciones de alta frecuencia debido a su velocidad de conmutación rápida. Esta característica es beneficiosa en circuitos que requieren una transición rápida entre estados de conducción y no conducción, como en fuentes de alimentación conmutadas y rectificadores de alta frecuencia.

Además de su rendimiento eléctrico, el tamaño físico y el tipo de paquete del diodo también son consideraciones importantes en el diseño de circuitos. Dispositivos como el BAT54HT1G, empaquetados en un formato compacto SOD-323, son particularmente útiles en aplicaciones con restricciones de espacio donde el uso eficiente del espacio en la PCB es crítico.

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