BAT54J,115: Diodo simple de barrera Schottky, paquete SOD323F, 30V, 200mA
Nexperia

El Nexperia BAT54J,115 es un diodo simple de barrera Schottky encapsulado en un paquete de plástico para Dispositivo de Montaje Superficial (SMD) muy pequeño y plano SOD323F (SC-90). Cuenta con un anillo de guarda integrado para protección contra estrés, lo que contribuye a su robustez y fiabilidad en diversas aplicaciones. El diodo se caracteriza por su bajo voltaje directo y baja capacitancia, haciéndolo adecuado para aplicaciones de alta eficiencia donde la pérdida de potencia debe minimizarse.

Este componente está diseñado para tecnología de montaje superficial (SMT), beneficiándose de cables planos que aseguran una excelente coplanaridad y un comportamiento térmico mejorado. El BAT54J,115 puede manejar una corriente directa de hasta 200mA y un voltaje inverso de hasta 30V. Su baja capacitancia es particularmente beneficiosa en aplicaciones que requieren conmutación rápida y baja pérdida de potencia.

Especificaciones y Características Clave

  • Paquete: SOD323F (SC-90)
  • Corriente Directa (IF): 200 mA
  • Voltaje Inverso (VR): 30 V
  • Voltaje Directo (VF): 320 mV a 1 mA
  • Corriente Directa Pico Repetitiva (IFRM): 300 mA
  • Corriente Directa Pico No Repetitiva (IFSM): 600 mA
  • Disipación de Potencia Total (Ptot): 550 mW a 25 °C
  • Temperatura de Unión (Tj): 150 °C
  • Resistencia Térmica, Unión a Ambiente (Rth(j-a)): 230 K/W
  • Corriente Inversa (IR): 2 µA a 25 V
  • Capacitancia del Diodo (Cd): 10 pF a 1 V, 1 MHz

Sustitutos de BAT54J,115
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BAT54J,115, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Limitación de voltaje
  • Terminación de línea
  • Protección de polaridad inversa

Categoría

Diodos

Información general

Los diodos Schottky son un tipo de diodo semiconductor con una baja caída de voltaje directo y una acción de conmutación muy rápida. Llevan el nombre del físico alemán Walter H. Schottky. La característica única del diodo de barrera Schottky es la unión metal-semiconductor que forma, a diferencia de la unión p-n de los diodos tradicionales. Esto resulta en una menor caída de voltaje directo y tiempos de conmutación más rápidos, lo que hace que los diodos Schottky sean ideales para aplicaciones de alta frecuencia y alta eficiencia.

Al seleccionar un diodo Schottky, los ingenieros deben considerar parámetros como la corriente directa, el voltaje inverso, la caída de voltaje directo, la disipación de potencia y el tipo de encapsulado. Las aplicaciones a menudo dictan la elección de características específicas; por ejemplo, una alta corriente directa y una baja caída de voltaje directo son críticas para la rectificación de potencia, mientras que una baja capacitancia es importante para aplicaciones de alta frecuencia.

Los diodos Schottky se utilizan comúnmente en fuentes de alimentación, convertidores DC-DC y como rectificadores en varios circuitos electrónicos. También sirven en aplicaciones que requieren baja caída de voltaje y protección contra polaridad inversa. Comprender las características térmicas del diodo y asegurar una disipación de calor adecuada es esencial para prevenir el sobrecalentamiento y garantizar una operación confiable.

En general, los diodos Schottky ofrecen un equilibrio entre eficiencia y velocidad, lo que los convierte en un componente versátil en el diseño de circuitos electrónicos. Su selección debe alinearse con los requisitos específicos de la aplicación, incluidas las características eléctricas y las limitaciones físicas.

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