NSVBAT54HT1G: Diodo de Barrera Schottky, 30V, 200mA, SOD-323, Conmutación Rápida
onsemi

El NSVBAT54HT1G de onsemi es un diodo de barrera Schottky diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, protección de circuitos y limitación de voltaje. Presenta un voltaje directo extremadamente bajo, lo que reduce significativamente la pérdida por conducción, haciéndolo adecuado para aplicaciones de alta eficiencia. El paquete de montaje superficial en miniatura SOD-323 es ideal para aplicaciones portátiles y de mano donde el espacio es limitado.

Este diodo se caracteriza por su rápida velocidad de conmutación y bajo voltaje directo de típicamente 0.35V a 10mA de corriente directa. Está calificado para aplicaciones automotrices (AEC-Q101) y es capaz de PPAP, lo que indica su confiabilidad y calidad para aplicaciones críticas. El dispositivo también es libre de plomo, libre de halógenos/libre de BFR y cumple con RoHS, alineándose con los estándares ambientales.

Especificaciones y Características Clave

  • Voltaje Inverso (VR): 30V
  • Corriente Directa (IF): 200mA
  • Corriente Directa Pico No Repetitiva (IFSM): 600mA
  • Bajo Voltaje Directo: 0.35V (Típ) @ IF = 10mA
  • Fuga Inversa (IR): 0.5μA @ VR = 25V
  • Capacitancia Total (CT): 7.6pF @ VR = 1.0V, f = 1.0MHz
  • Tiempo de Recuperación Inversa (trr): <5ns
  • Paquete: SOD-323

Hoja de datos de NSVBAT54HT1G

Hoja de datos de NSVBAT54HT1G (PDF)

Sustitutos de NSVBAT54HT1G
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de NSVBAT54HT1G, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Circuitos de conmutación de alta velocidad
  • Protección de circuitos
  • Limitación de voltaje

Categoría

Diodos

Información general

Los diodos de barrera Schottky son dispositivos semiconductores diseñados para conducir corriente en una dirección, similar a otros diodos, pero con algunas ventajas distintas. Son conocidos por su baja caída de voltaje directo y capacidades de conmutación rápida. Estas características hacen que los diodos Schottky sean particularmente útiles en circuitos de suministro de energía de alta eficiencia, aplicaciones de RF y como rectificadores en inversores de baja tensión y alta frecuencia.

Al seleccionar un diodo Schottky para una aplicación específica, es importante considerar parámetros como el voltaje inverso máximo, la corriente directa, la disipación de potencia, el tipo de encapsulado y las características térmicas. La baja caída de voltaje directo de los diodos Schottky reduce la pérdida de potencia, haciéndolos adecuados para aplicaciones donde la eficiencia es crítica. Sin embargo, típicamente tienen corrientes de fuga inversa más altas que otros diodos, lo que puede ser un factor limitante en algunas aplicaciones.

La rápida velocidad de conmutación de los diodos Schottky es beneficiosa para aplicaciones de alta frecuencia, pero es importante asegurarse de que el dispositivo pueda manejar la corriente requerida sin sobrecalentarse. Pueden ser necesarias estrategias de gestión térmica en aplicaciones de alta potencia. Además, el tipo y tamaño del paquete pueden influir en el rendimiento térmico y la idoneidad para diseños compactos.

En general, los diodos Schottky son componentes versátiles que pueden mejorar la eficiencia y el rendimiento en una amplia gama de circuitos electrónicos. Comprender sus características y limitaciones es clave para seleccionar el diodo adecuado para su aplicación.

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