BAT54,235: Diodos de barrera Schottky SOT23 con bajo voltaje directo y capacitancia
Nexperia

La serie Nexperia BAT54,235 consiste en diodos de barrera Schottky planos que incorporan un anillo de guarda integrado para protección contra estrés, haciéndolos robustos para diversas aplicaciones. Estos diodos están encapsulados en un pequeño paquete de plástico de Dispositivo de Montaje Superficial (SMD) SOT23 (TO-236AB), lo que permite una fácil integración en diseños compactos.

Con un bajo voltaje directo y baja capacitancia, estos diodos están optimizados para aplicaciones de conmutación de ultra alta velocidad. Ofrecen un rendimiento eficiente para terminación de línea, limitación de voltaje y protección contra polaridad inversa. Los diodos BAT54,235 son adecuados para diseños que requieren operación de alta velocidad y mínima pérdida de potencia.

Especificaciones y Características Clave

  • Paquete: SOT23 (TO-236AB)
  • Voltaje Inverso (VR): 30V máx
  • Voltaje Directo (VF): Hasta 800mV a 100mA
  • Corriente Inversa (IR): 2µA máx a 25V
  • Corriente Directa (IF): 200mA máx
  • Corriente Directa Pico Repetitiva (IFRM): 300mA máx
  • Corriente Directa Pico No Repetitiva (IFSM): 600mA máx
  • Disipación de Potencia Total (Ptot): 250mW máx
  • Temperatura de Unión (Tj): -55°C a 150°C
  • Resistencia Térmica, Unión a Ambiente (Rth(j-a)): 500 K/W máx

Sustitutos de BAT54,235
Componentes alternativos equivalentes que pueden servir como sustituto de BAT54,235, componentes más populares primero

Aplicaciones

  • Conmutación de ultra alta velocidad
  • Terminación de línea
  • Limitación de voltaje (clamping)
  • Protección de polaridad inversa

Categoría

Diodos

Información general

Los diodos de barrera Schottky son un tipo de diodo semiconductor caracterizado por una baja caída de tensión directa y una rápida velocidad de conmutación. Estas características los hacen ideales para aplicaciones de alta frecuencia, rectificación de potencia y como diodos de sujeción (clamping) para proteger circuitos de picos de tensión. La baja caída de tensión directa resulta en menores pérdidas de potencia en comparación con los diodos de unión p-n regulares, mejorando la eficiencia general en las aplicaciones.

Al seleccionar diodos de barrera Schottky, los ingenieros deben considerar parámetros como el voltaje inverso máximo, la corriente directa, la disipación de potencia y el tipo de paquete. La elección del diodo depende de los requisitos específicos de la aplicación, incluyendo la frecuencia de operación, los niveles de voltaje y las consideraciones térmicas.

El anillo de guarda integrado en algunos diodos Schottky, como la serie BAT54,235 de Nexperia, proporciona protección adicional contra el estrés y mejora la fiabilidad del diodo en condiciones adversas. Esta característica es particularmente importante en aplicaciones donde el diodo está expuesto a transitorios de alto voltaje o estrés mecánico.

En general, los diodos de barrera Schottky son componentes esenciales en los diseños electrónicos modernos, ofreciendo una combinación de eficiencia, velocidad y fiabilidad. Su selección e integración en circuitos requieren una comprensión profunda tanto de las demandas de la aplicación como de las características del diodo.

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