2N3904: Allgemeiner Zweck NPN-Transistor, 40V VCEO, 200mA IC, hFE1 ~ 200
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Der 2N3904 ist ein weit verbreiteter NPN-Transistor, der als grundlegender Baustein in elektronischen Schaltungen dient. Dieser Allzwecktransistor ist in der Lage, einen Kollektorstrom (IC) von bis zu 200 mA zu bewältigen, was ihn für eine breite Palette von Anwendungen geeignet macht. Er verfügt über eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) von 40V, die die maximale Spannung bestimmt, die der Transistor zwischen seinem Kollektor und Emitter bei offenem Basisanschluss handhaben kann.

Eines der Schlüsselmerkmale des 2N3904 ist sein Gleichstromverstärkungsfaktor (hFE1), der ungefähr 200 beträgt. Dieser Parameter ist entscheidend, um zu verstehen, wie viel der Transistor das Eingangssignal verstärken kann. Der Transistor hat auch eine Gesamtverlustleistung (Ptot) von 625 mW, was ihm erlaubt, in einem weiten Leistungsbereich zu arbeiten. Seine maximale Sperrschichttemperatur (Tjmax) beträgt 150°C, was Zuverlässigkeit unter verschiedenen Betriebsbedingungen gewährleistet.

Wichtige Spezifikationen und Merkmale

  • Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO): 40V
  • Kollektorstrom (IC): 200 mA
  • Gleichstromverstärkung (hFE1): ~200
  • Leistungsverlust (Ptot): 625 mW
  • Maximale Sperrschichttemperatur (Tjmax): 150°C
  • Kollektor-Basis-Spannung (VCBO): 60V
  • Emitter-Basis-Spannung (VEBO): 6V

2N3904 Ersatzteile
Äquivalente alternative Teile, die als Ersatz für 2N3904 dienen können, beliebteste Teile zuerst

Anwendungen

  • Signalverarbeitung
  • Schalten
  • Verstärkung

Kategorie

Transistor

Allgemeine Informationen

Transistoren sind grundlegende Bauteile in elektronischen Schaltungen und fungieren als Schalter oder Verstärker. Sie bestehen aus Halbleitermaterial und haben drei Anschlüsse: den Emitter, die Basis und den Kollektor. Der NPN-Transistor, wie der 2N3904, ist eine Art bipolarer Transistor (BJT), bei dem ein kleiner Basisstrom einen größeren Strom steuert, der vom Kollektor zum Emitter fließt.

Bei der Auswahl eines Transistors für eine bestimmte Anwendung sind mehrere Parameter wichtig, einschließlich der Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO), des Kollektorstroms (IC) und der Stromverstärkung (hFE). Diese Parameter bestimmen die Fähigkeit des Transistors, Spannungs- und Strompegel zu bewältigen, sowie seine Verstärkungsfähigkeit. Weitere Überlegungen umfassen den Leistungsverlust, der die Fähigkeit des Transistors zur Wärmebewältigung beeinflusst, und die maximale Sperrschichttemperatur, die die höchste Temperatur angibt, die der Transistor ohne Degradation aushalten kann.

Die Allzwecknatur des 2N3904 macht ihn geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen, von einfachen Schaltkreisen bis hin zu komplexeren Signalverstärkungsaufbauten. Seine Zuverlässigkeit und Leistungsparameter machen ihn zu einer beliebten Wahl unter Ingenieuren sowohl für Prototypen als auch für die Produktion.

Bei der Integration eines Transistors in ein Design ist es auch wichtig, die mechanischen und thermischen Eigenschaften zu berücksichtigen, wie den Gehäusetyp und den thermischen Widerstand. Diese Faktoren können das physische Layout der Schaltung und ihre thermische Managementstrategie beeinflussen. Der 2N3904, mit seinem TO-92-Gehäuse, bietet eine praktische Lösung für viele Schaltungsentwürfe und verbindet Benutzerfreundlichkeit mit effektiver Leistung.

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