BSS138LT3G: N沟道MOSFET，200毫安，50伏，SOT-23

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onsemi的BSS138LT3G是一款在最大200 mA和50 V下工作的N沟道MOSFET，封装在紧凑的SOT-23封装中。这个元件设计用于处理电子电路中的低至中等功率需求，适用于广泛的应用。

主要特点包括低阈值电压（VGS(th)）范围从0.85 V到1.5 V，允许在低电压场景中高效运行。此外，该设备以其在VGS为5.0 V且ID为200 mA时的低静态漏源导通电阻（RDS(on)）3.5 Ω而著称，有助于其在导电方面的效率。BSS138LT3G还以其鲁棒性著称，具有-55至150°C的最大操作和存储温度范围，确保在各种环境条件下的可靠性能。

• 漏源电压（VDSS）：50 V
• 栅源电压（VGS）：±20 V
• 25°C时的连续漏电流（ID）：200 mA
• 脉冲漏电流（IDM）：800 mA
• 静态漏源导通电阻（RDS(on)）：3.5 Ω，VGS = 5.0 V，ID = 200 mA
• 栅源阈值电压（VGS(th)）：0.85 V至1.5 V
• 25°C时的总功率耗散（PD）：225 mW
• 工作和储存温度范围：-55至150 °C
• 结-环境热阻（RθJA）：556 °C/W

• DC-DC 转换器
• 便携式和电池供电产品中的电源管理
  • 电脑
  • 打印机
  • PCMCIA 卡
  • 移动电话和无绳电话

N沟道MOSFET是一种在电子电路中广泛用于开关和放大目的的场效应晶体管（FET）。这些元件的特点是能够使用相对低的电压控制高电流流动，使它们在功率管理和信号处理应用中不可或缺。

在选择N沟道MOSFET时，工程师应考虑参数，如漏源电压（VDSS）、栅源电压（VGS）、漏电流（ID）和静态漏源导通电阻（RDS(on)）。这些参数决定了MOSFET在特定应用中处理电压和电流的能力，以及其效率和散热特性。

另一个重要考虑因素是阈值电压（VGS(th)），它表示打开器件所需的最小栅极-源极电压。在低电压应用中，较低的阈值电压可能是有利的，因为在这些应用中，功率效率至关重要。

封装类型也起着至关重要的作用，尤其是在空间受限的设计中。例如，BSS138LT3G 的 SOT-23 封装提供了紧凑性和热性能之间的平衡，适用于包括便携式和电池供电设备在内的多种应用。