BSS138LT3G: N 沟道 MOSFET，200 mA，50 V，SOT-23

onsemi

安森美 (onsemi) 的 BSS138LT3G 是一款 N 沟道 MOSFET，最大工作电流为 200 mA，电压为 50 V，封装在紧凑的 SOT-23 封装中。该组件旨在处理电子电路中的低到中等功率需求，使其适用于广泛的应用。

主要特性包括 0.85 V 至 1.5 V 的低阈值电压 (VGS(th))，这允许在低电压场景下高效运行。此外，该器件的特点是当 VGS 为 5.0 V 且 ID 为 200 mA 时，其静态漏源导通电阻 (RDS(on)) 低至 3.5 Ω，有助于提高其导通电流的效率。BSS138LT3G 还以其坚固性而著称，最大工作和存储温度范围为 -55 至 150 °C，确保在各种环境条件下可靠运行。

• 漏源电压 (VDSS): 50 V
• 栅源电压 (VGS): ±20 V
• 25°C 时的连续漏极电流 (ID): 200 mA
• 脉冲漏极电流 (IDM): 800 mA
• 静态漏源导通电阻 (RDS(on)): 3.5 Ω (VGS = 5.0 V, ID = 200 mA)
• 栅源阈值电压 (VGS(th)): 0.85 V 至 1.5 V
• 25°C 时的总功耗 (PD): 225 mW
• 工作和存储温度范围: -55 至 150 °C
• 热阻，结到环境 (RθJA): 556 °C/W

• DC-DC 转换器
• 便携式和电池供电产品的电源管理
  • 计算机
  • 打印机
  • PCMCIA 卡
  • 蜂窝电话和无绳电话

N 沟道 MOSFET 是一种场效应晶体管 (FET)，广泛用于电子电路中的开关和放大用途。这些元器件的特点是能够使用相对较低的电压控制大电流流动，使其在电源管理和信号处理应用中至关重要。

在选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师应考虑漏源电压 (VDSS)、栅源电压 (VGS)、漏极电流 (ID) 和静态漏源导通电阻 (RDS(on)) 等参数。这些参数决定了 MOSFET 在特定应用中处理电压和电流的能力，以及其效率和散热特性。

另一个重要的考虑因素是阈值电压 (VGS(th))，它表示开启器件所需的最小栅源电压。较低的阈值电压在低压应用中具有优势，因为在这些应用中电源效率至关重要。

封装类型也起着至关重要的作用，尤其是在空间受限的设计中。例如，BSS138LT3G 的 SOT-23 封装在紧凑性和热性能之间取得了平衡，使其适用于各种应用，包括便携式和电池供电设备。