BSS138 是使用 onsemi 专有的高单元密度 DMOS 技术生产的 N 沟道增强型场效应晶体管（FET）。该技术使 BSS138 能够实现低导通电阻，同时保持坚固、可靠和快速的开关性能。该器件针对低电压、低电流应用进行了优化，使其适用于小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。
BSS138 采用紧凑的行业标准 SOT-23 表面贴装封装，旨在最大限度地减少导通电阻，在 VGS = 10V 时值为 3.5Ω，在 VGS = 4.5V 时值为 6.0Ω。这种低导通电阻是通过 onsemi 的高密度单元设计实现的，有助于提高器件在其应用中的效率。此外，BSS138 以其坚固性和可靠性为特征，确保在各种操作条件下都能保持性能。
该器件还因无铅和无卤素而著称，符合当前电子元件的环保标准。这使得 BSS138 成为希望设计可持续产品的工程师的环保选择。
晶体管
场效应晶体管 (FET) 是一种用于电子电路中控制电流流动的晶体管。它们是各种应用中的关键组件，从电源管理到信号放大。FET 通过使用电场来控制半导体材料中“通道”的形状，从而控制其导电性。这允许有效地切换和放大电子信号。
在为特定应用选择 FET 时，有几个参数很重要。其中包括漏源电压，它表示 FET 在其漏极和源极端子之间可以处理的最大电压；栅源电压，这是使 FET 导通所需的栅极电压差；以及漏极电流，这是可以流过 FET 的最大电流。导通电阻也很关键，因为它决定了 FET 导通时以热量形式损失多少功率，从而影响 FET 的效率。
N 沟道 FET（如 BSS138）特别适用于需要高效电源管理和开关的应用。由于它们能够以最小的功率损耗有效地控制电流流动，因此通常用于低电压、低电流应用。在选择 N 沟道 FET 时，工程师必须考虑器件的电压和电流额定值、导通电阻、开关速度和热性能，以确保其满足应用要求。
BSS138 具有低导通电阻和高密度单元设计，是专为低电压、低电流应用中的高效性能而设计的 N 沟道 FET 的示例。其紧凑的 SOT-23 封装和坚固可靠的性能使其适用于广泛的应用，包括电机控制和电源开关。