BSS138是一款由onsemi公司使用其专有的高密度DMOS技术生产的N沟道增强模式场效应晶体管（FET）。这项技术使BSS138在保持坚固、可靠和快速切换性能的同时，实现了低导通电阻。该器件针对低电压、低电流应用进行了优化，适用于小型伺服电机控制、功率MOSFET门驱动器和其他切换应用。
采用紧凑的行业标准SOT-23表面贴装封装，BSS138旨在最小化导通状态电阻，VGS = 10V时为3.5Ω，VGS = 4.5V时为6.0Ω。这种低导通状态电阻是通过onsemi的高密度单元设计实现的，有助于该器件在其应用中的效率。此外，BSS138以其坚固性和可靠性为特点，确保在各种操作条件下的性能。
该设备还以无铅和无卤素为特点，符合电子组件当前的环境标准。这使得BSS138成为工程师寻求设计可持续产品的环保选择。
晶体管
场效应晶体管（FET）是一种在电子电路中用于控制电流流动的晶体管。它们是从电源管理到信号放大的广泛应用中的关键组件。FET 通过使用电场来控制半导体材料中“通道”的形状，从而控制其导电性。这允许电子信号的高效切换和放大。
在选择特定应用的FET时，有几个参数是重要的考虑因素。这些包括漏源电压，它指示FET在其漏极和源极端子之间可以处理的最大电压；栅源电压，即使FET导通所需的栅极和源极之间的电压差；以及漏电流，即可以通过FET的最大电流。在导通状态下的电阻也至关重要，因为它通过确定FET在导通时以热量形式损失多少功率来影响FET的效率。
N 沟道 FET，如 BSS138，特别适用于需要高效电力管理和开关的应用。它们通常用于低电压、低电流应用，因为它们能够以最小的功率损失高效控制电流流动。选择 N 沟道 FET 时，工程师必须考虑设备的电压和电流额定值、导通电阻、开关速度和热性能，以确保它满足其应用的要求。
BSS138是一个N沟道FET的例子，其低导通电阻和高密度单元设计使其在低电压、低电流应用中表现出高效性能。其紧凑的SOT-23封装和坚固、可靠的性能使其适用于广泛的应用，包括电机控制和电源切换。