BSS138LT1G: N沟道功率MOSFET，200mA，50V，SOT-23封装

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onsemi生产的BSS138LT1G是一款N沟道功率MOSFET，专为便携式和电池供电设备中的高效功率管理而设计。它在最大连续漏电流为200mA和漏源电压为50V下运行。组件的低阈值电压（0.85V至1.5V）使其适用于低电压应用，增强了其在现代电子电路中的实用性。

这款MOSFET采用紧凑的SOT-23封装，优化了密集设计中的板空间。它以在VGS = 5.0V、ID = 200mA时的静态漏源导通电阻3.5Ω为特点，确保高效运行。该设备还具有快速开关特性，开启和关闭延迟时间通常约为20ns，有助于其在高速开关应用中的性能。

• 漏源电压（VDSS）：50V
• 持续漏电流（ID）：200mA
• 脉冲漏电流（IDM）：800mA
• 静态漏源导通电阻（rDS(on)）：3.5Ω
• 栅源阈值电压（VGS(th)）：0.85V至1.5V
• 总功耗（PD）：225mW
• 工作和储存温度范围：-55°C至150°C
• 热阻，结-环境（RθJA）：556°C/W

• 直流-直流转换器
• 便携设备中的电源管理
• 电池供电的产品，如计算机、打印机、PCMCIA卡、手机和无绳电话

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是一种用于放大或切换电子信号的晶体管。它们是现代电子电路中的基本组件，提供高输入阻抗和快速切换速度。N-Channel MOSFET，如BSS138LT1G，通常用于以负（或“下沉”）方向切换电子信号。

在设计中选择MOSFET时，几个参数非常重要，包括漏源电压（VDSS）、漏电流（ID）和静态漏源导通电阻（rDS(on)）。这些参数决定了MOSFET处理所需功率水平和电路效率的能力。此外，栅源阈值电压（VGS(th)）对于确定在给定栅极电压下MOSFET的开启容易程度至关重要，影响器件适用于低电压应用的适用性。

MOSFET广泛应用于从电源管理和转换到信号开关的应用中。它们能够以最小的输入功率高效控制大电流和电压，使其在现代电子设备中不可或缺。封装的选择，如BSS138LT1G的SOT-23封装，也在应用中起着重要作用，影响着诸如热性能和板空间利用等因素。

总之，在选择MOSFET时，重要的是要密切匹配元件的规格与应用的要求。这包括考虑操作环境，因为温度和热管理可以显著影响MOSFET的性能和可靠性。