BSS138LT1G: N 沟道功率 MOSFET，200mA，50V，SOT-23 封装

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onsemi 的 BSS138LT1G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，专为便携式和电池供电设备中的高效电源管理而设计。它的最大连续漏极电流为 200mA，漏源电压为 50V。该元件的低阈值电压（0.85V 至 1.5V）使其适用于低压应用，增强了其在现代电子电路中的实用性。

这款 MOSFET 采用紧凑的 SOT-23 封装，优化了密集封装设计中的电路板空间。其特点是静态漏源导通电阻为 3.5Ω（在 VGS = 5.0V，ID = 200mA 时），确保了高效运行。该器件还具有快速开关特性，开启和关断延迟时间通常约为 20ns，有助于其在高速开关应用中的性能。

• 漏源电压 (VDSS)：50V
• 连续漏极电流 (ID)：200mA
• 脉冲漏极电流 (IDM)：800mA
• 静态漏源导通电阻 (rDS(on))：3.5Ω
• 栅源阈值电压 (VGS(th))：0.85V 至 1.5V
• 总功耗 (PD)：225mW
• 工作和存储温度范围：-55°C 至 150°C
• 结至环境热阻 (RθJA)：556°C/W

• DC-DC 转换器
• 便携式设备中的电源管理
• 电池供电产品，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、蜂窝电话和无绳电话

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 是一种用于放大或开关电子信号的晶体管。它们是现代电子电路中的重要元器件，具有高输入阻抗和快速开关速度。N 沟道 MOSFET（如 BSS138LT1G）通常用于在负极（或“汇”）方向切换电子信号。

在为设计选择 MOSFET 时，需要考虑几个重要参数，包括漏源电压 (VDSS)、漏极电流 (ID) 和静态漏源导通电阻 (rDS(on))。这些参数决定了 MOSFET 处理所需功率水平的能力和电路的效率。此外，栅源阈值电压 (VGS(th)) 对于确定 MOSFET 在给定栅极电压下开启的难易程度至关重要，这会影响器件对低电压应用的适用性。

MOSFET 广泛应用于从电源管理和转换到信号开关的各种应用中。它们能够以最小的输入功率高效控制高电流和电压，使其在现代电子设备中不可或缺。封装的选择（例如 BSS138LT1G 的 SOT-23 封装）在应用中也起着重要作用，影响热性能和电路板空间利用率等因素。

总之，在选择 MOSFET 时，重要的是使元件的规格与应用要求紧密匹配。这包括考虑工作环境，因为温度和热管理会显着影响 MOSFET 的性能和可靠性。