BSS138-7-F: N 沟道增强型 MOSFET，50V，200mA，3.5Ω

Diodes Inc.

BSS138-7-F 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，专为高效电源管理应用而设计。它具有 3.5Ω 的低导通电阻 (RDS(ON))（在 VGS = 10V 时），可在保持卓越开关性能的同时最大限度地减少功率损耗。该元件的特点是低栅极阈值电压、快速开关速度和低输入/输出漏电流，使其适用于系统和负载开关应用。

该 MOSFET 采用小型 SOT23 封装，为空间受限的设计提供了紧凑的解决方案。它完全符合 RoHS 标准，并被指定为“绿色”设备，表明它不含卤素和锑。BSS138-7-F 是寻求具有低功耗和高开关效率的可靠开关的工程师的理想选择。

• 漏源电压 (VDSS)：50V
• 漏极电流 (ID)：200mA
• 静态漏源导通电阻 (RDS(ON))：3.5Ω (VGS = 10V 时)
• 栅极阈值电压 (VGS(TH))：0.5 - 1.5V
• 输入电容 (Ciss)：50pF
• 功耗 (PD)：300mW
• 工作温度范围：-55 至 +150°C

• 系统/负载开关应用
• 高效电源管理

N 沟道增强型 MOSFET 是一种设计用于切换电子信号的 MOSFET。由于其效率和处理大功率水平的能力，这些组件广泛用于电源管理应用。N 沟道 MOSFET 的特点是当相对于源极在栅极施加正电压时，能够在漏极和源极之间传导电流。

在选择 N 沟道 MOSFET 时，工程师应考虑漏源电压 (VDSS)、漏极电流 (ID) 和静态漏源导通电阻 (RDS(ON)) 等参数。这些参数决定了 MOSFET 处理电路所需功率水平和效率的能力。栅极阈值电压 (VGS(TH)) 也很重要，因为它会影响开启器件所需的电压。

N 沟道 MOSFET 用于各种应用，包括电源电路、电机控制器以及作为高效电源管理系统中的开关。其低导通电阻和快速开关能力使其适用于需要高效功率处理和控制的应用。

除了技术规格外，封装和热管理也是重要的考虑因素。像 BSS138-7-F 这样的器件，凭借其紧凑的 SOT23 封装，为空间受限的应用提供了解决方案，同时确保足够的热耗散以实现可靠运行。