PRTR5V0U2X,215: Điốt bảo vệ ESD đường kép cực thấp dung lượng, 1pF, 8kV

Nexperia

PRTR5V0U2X, do Nexperia sản xuất, là một diode bảo vệ ElectroStatic Discharge (ESD) đường kép cực thấp được thiết kế để bảo vệ hai dòng dữ liệu tốc độ cao hoặc dòng tín hiệu tần số cao khỏi ESD và các sự kiện xung đột khác. Linh kiện này có hai cặp diode cực thấp đường kép cùng với một diode bảo vệ ESD bổ sung, đảm bảo bảo vệ dòng tín hiệu ngay cả khi không có điện áp cung cấp. Nó được đặt trong một gói nhựa SMD SOT143B nhỏ gọn, làm cho nó phù hợp với các thiết kế nhỏ gọn.

Thiết bị được đặc trưng bởi dung lượng vào/ra đến mặt đất cực thấp là 1 pF, cung cấp sự biến dạng tín hiệu tối thiểu, điều này rất quan trọng cho các ứng dụng như giao diện USB 2.0 xử lý tốc độ dữ liệu lên đến 480 Mbit/s. Với bảo vệ ESD lên đến 8 kV và tuân thủ tiêu chuẩn IEC 61000-4-2, cấp độ 4, PRTR5V0U2X cung cấp bảo vệ mạnh mẽ cho thiết bị điện tử nhạy cảm.

• Điện áp chống đảo ngược (VRWM): 5.5 V
• Dung lượng đầu vào/đầu ra đến mặt đất (C(I/O-GND)): 1 pF
• Dung lượng chân cung cấp đến mặt đất (Csup): 16 pF
• Bảo vệ ESD: Lên đến 8 kV
• Dòng điện ngược (IR): < 1 đến 100 nA
• Điện áp đánh thủng (VBR): 6 đến 9 V
• Điện áp tiến (VF): 0.7 V

• Cổng USB 2.0
• Giao diện Digital Video Interface (DVI) / High Definition Multimedia Interface (HDMI)
• Điện thoại di động và không dây
• Trợ lý Kỹ thuật số Cá nhân (PDA)
• Máy ảnh kỹ thuật số
• Hệ thống Mạng Diện rộng (WAN) / Mạng Cục bộ (LAN)
• Máy tính cá nhân, máy tính xách tay, máy in và các phụ kiện PC khác

Diode bảo vệ phóng điện tĩnh (ESD) là các thành phần chuyên biệt được thiết kế để bảo vệ các mạch điện tử khỏi các đợt dòng điện đột ngột và tạm thời do ESD gây ra. Các diode này bảo vệ các thành phần nhạy cảm bằng cách chuyển hướng các điện tích dư thừa ra khỏi mạch được bảo vệ. Các sự kiện ESD có thể xảy ra trong quá trình xử lý hoặc hoạt động của thiết bị, có thể làm hỏng hoặc làm giảm chất lượng các thành phần điện tử.

Khi chọn diode bảo vệ ESD, các kỹ sư nên xem xét các thông số như dung lượng, điện áp đánh thủng, điện áp kẹp và mức bảo vệ ESD. Dung lượng của diode đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng tốc độ cao, vì nó có thể ảnh hưởng đến tính toàn vẹn của tín hiệu. Các giá trị dung lượng thấp hơn thường được ưa chuộng để giảm thiểu méo tín hiệu.

Điện áp đánh thủng chỉ ra điện áp mà diode bắt đầu dẫn điện xuống đất, bảo vệ mạch. Điện áp kẹp là mức điện áp tối đa mà dòng được bảo vệ sẽ trải qua dưới một sự kiện ESD, nên thấp hơn ngưỡng hư hỏng của các linh kiện được bảo vệ.

Các diode bảo vệ ESD được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm cổng USB, giao diện truyền thông, và thiết bị di động, nơi chúng cung cấp bảo vệ quan trọng chống lại hư hại do ESD. Việc chọn lựa và đặt các diode này một cách chính xác là quan trọng cho bảo vệ hiệu quả.