PRTR5V0U2X,215: Diode bảo vệ ESD đường ray kép điện dung cực thấp, 1pF, 8kV

Nexperia

PRTR5V0U2X, được sản xuất bởi Nexperia, là một diode bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD) đường ray-đến-đường ray điện dung cực thấp được thiết kế để bảo vệ hai đường dữ liệu tốc độ cao hoặc đường tín hiệu tần số cao khỏi ESD và các sự kiện thoáng qua khác. Linh kiện này có hai cặp diode đường ray-đến-đường ray điện dung cực thấp cùng với một diode bảo vệ ESD bổ sung, đảm bảo bảo vệ đường tín hiệu ngay cả khi không có điện áp cung cấp. Nó được đặt trong một gói nhựa Thiết bị Gắn Bề mặt (SMD) SOT143B nhỏ, làm cho nó phù hợp với các thiết kế nhỏ gọn.

Thiết bị này được đặc trưng bởi điện dung đầu vào/đầu ra xuống đất cực thấp là 1 pF, cung cấp độ méo tín hiệu tối thiểu, điều này rất quan trọng đối với các ứng dụng như giao diện USB 2.0 xử lý tốc độ dữ liệu lên đến 480 Mbit/s. Với khả năng bảo vệ ESD lên đến 8 kV và tuân thủ các tiêu chuẩn IEC 61000-4-2, cấp độ 4, PRTR5V0U2X cung cấp khả năng bảo vệ mạnh mẽ cho các thiết bị điện tử nhạy cảm.

• Điện áp đánh thủng ngược (VRWM): 5.5 V
• Điện dung Đầu vào/Đầu ra so với Đất (C(I/O-GND)): 1 pF
• Điện dung Chân nguồn so với Đất (Csup): 16 pF
• Bảo vệ ESD: Lên đến 8 kV
• Dòng điện ngược (IR): < 1 đến 100 nA
• Điện áp đánh thủng (VBR): 6 đến 9 V
• Điện áp thuận (VF): 0.7 V

• Cổng USB 2.0
• Giao diện Video Kỹ thuật số (DVI) / Giao diện Đa phương tiện Độ nét cao (HDMI)
• Điện thoại di động và không dây
• Trợ lý Kỹ thuật số Cá nhân (PDA)
• Máy ảnh kỹ thuật số
• Hệ thống Mạng diện rộng (WAN) / Mạng cục bộ (LAN)
• PC, máy tính xách tay, máy in và các thiết bị ngoại vi PC khác

Diode bảo vệ chống phóng tĩnh điện (ESD) là các linh kiện chuyên dụng được thiết kế để bảo vệ các mạch điện tử khỏi các xung dòng điện đột ngột và tức thời do ESD gây ra. Các diode này bảo vệ các linh kiện nhạy cảm bằng cách chuyển hướng các điện tích dư thừa ra khỏi mạch được bảo vệ. Các sự kiện ESD có thể xảy ra trong quá trình xử lý hoặc vận hành thiết bị, có khả năng làm hỏng hoặc làm suy giảm chất lượng các linh kiện điện tử.

Khi chọn điốt bảo vệ ESD, các kỹ sư nên xem xét các thông số như điện dung, điện áp đánh thủng, điện áp kẹp và mức bảo vệ ESD. Điện dung của điốt đặc biệt quan trọng trong các ứng dụng tốc độ cao, vì nó có thể ảnh hưởng đến tính toàn vẹn của tín hiệu. Các giá trị điện dung thấp hơn thường được ưu tiên để giảm thiểu biến dạng tín hiệu.

Điện áp đánh thủng cho biết điện áp tại đó diode bắt đầu dẫn điện xuống đất, bảo vệ mạch. Điện áp kẹp là mức điện áp tối đa mà đường dây được bảo vệ sẽ trải qua trong một sự kiện ESD, mức này phải thấp hơn ngưỡng hư hỏng của các linh kiện được bảo vệ.

Điốt bảo vệ ESD được sử dụng trong nhiều ứng dụng, bao gồm cổng USB, giao diện truyền thông và thiết bị di động, nơi chúng cung cấp sự bảo vệ quan trọng chống lại hư hỏng do ESD. Việc lựa chọn và bố trí thích hợp các điốt này là rất quan trọng để bảo vệ hiệu quả.