BAT54HT1G: Schottky-barriärdiod, 30V, SOD-323, snabb omkoppling

onsemi

BAT54HT1G är en Schottky-barriärdiod från onsemi, designad för applikationer som kräver snabba switchhastigheter. Dess konstruktion möjliggör extremt låga framspänningar, vilket avsevärt minskar ledningsförluster under drift. Detta gör den väl lämpad för höghastighetsswitchapplikationer, kretsskydd och spänningsbegränsning.

Inrymd i en miniatyr SOD-323-kapsel, är BAT54HT1G optimerad för utrymmesbegränsade applikationer, såsom bärbara och handhållna enheter. Dess låga framspänning på 0,35V (typiskt vid IF = 10 mA) och snabba återhämtningstid säkerställer effektiv prestanda i en mängd olika kretsar. Dessutom är dioden AEC-Q101-kvalificerad, vilket gör den lämplig för fordonstillämpningar och andra scenarier som kräver stränga tillförlitlighetsstandarder.

• Kapsling: SOD-323
• Backspänning (VR): 30V
• Framspänning (VF): 0,35V (typiskt vid IF = 10 mA)
• Framström (IF): 200 mA
• Icke-repetitiv toppframström (IFSM): 600 mA
• Termisk resistans, junction-till-omgivning (RθJA): 635 °C/W
• Drifttemperaturområde: -55°C till +150°C

• Höghastighetsswitchkretsar
• Kretsskydd
• Spänningsklämning
• Bärbara och handhållna enheter

Schottky-barriärdioder är halvledarkomponenter som uppvisar lågt framspänningsfall och snabba switchegenskaper. De används flitigt i olika elektroniska kretsar för applikationer som likriktning, spänningsbegränsning och skydd mot backspänning. Det låga framspänningsfallet hos Schottky-dioder gör dem mycket effektiva i kraftomvandlingsapplikationer, vilket minskar värmeutveckling och förbättrar systemets totala prestanda.

När man väljer en Schottky-diod bör ingenjörer överväga parametrar som maximal backspänning, framströmskapacitet, pakettyp och termiska egenskaper. Valet av diod beror på de specifika kraven för applikationen, inklusive driftspänningsområde, strömhanteringskapacitet och utrymmesbegränsningar.

Schottky-dioder är lämpliga för högfrekvensapplikationer på grund av deras snabba omkopplingshastighet. Denna egenskap är fördelaktig i kretsar som kräver snabb övergång mellan ledande och icke-ledande tillstånd, såsom i switchade nätaggregat och högfrekvenslikriktare.

Förutom deras elektriska prestanda är diodens fysiska storlek och kapslingstyp också viktiga överväganden vid kretsdesign. Enheter som BAT54HT1G, förpackade i ett kompakt SOD-323-format, är särskilt användbara i utrymmesbegränsade applikationer där effektiv användning av mönsterkortsytan är kritisk.