2N7002L: N-kanals MOSFET, 60V, 200mA, SOT-23

onsemi

2N7002L är en N-kanals MOSFET tillverkad med onsemis DMOS-teknik med hög celldensitet. Denna komponent är utformad för att erbjuda låg resistans i påslaget läge samtidigt som den säkerställer robust, tillförlitlig och snabb switchprestanda. Den är särskilt lämpad för lågspännings- och lågströmsapplikationer, vilket gör den till ett mångsidigt val för olika elektroniska kretsar.

Med en celldesign med hög densitet uppnår 2N7002L låg RDS(on), vilket gör den till ett effektivt val för strömhanteringsuppgifter. Dess förmåga att fungera som en spänningsstyrd småsignalsomkopplare bidrar till dess flexibilitet i kretsdesign. Komponentens höga mättnadsströmskapacitet och robusthet gör den till ett pålitligt alternativ för krävande miljöer.

• Drain-to-Source Voltage (VDSS): 60 V
• Gate-Source Voltage (VGSS): ±20 V, Non-Repetitive (tp < 50 ms) ±40 V
• Maximum Drain Current (ID): 200 mA Continuous, 500 mA Pulsed
• Maximum Power Dissipation (PD): 400 mW, Derated above 25°C
• Thermal Resistance, Junction to Ambient (RθJA): 625 °C/W
• Gate Threshold Voltage (VGS(th)): 1 to 2,5 V
• Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)): 1,2 to 7,5 Ω
• Drain-Source On-Voltage (VDS(on)): 0,6 to 3,75 V

• Styrning av små servomotorer
• Gate-drivare för effekt-MOSFET
• Diverse omkopplingsapplikationer

N-kanals MOSFET:ar som 2N7002L är grundläggande komponenter i elektronisk design och erbjuder ett sätt att effektivt styra strömfördelning i kretsar. Dessa transistorer fungerar genom att tillåta ström att flyta mellan drain- och source-terminalerna när en spänning appliceras på gate-terminalen, vilket gör dem idealiska för att switcha och förstärka signaler.

Vid val av en N-kanals MOSFET inkluderar viktiga överväganden drain-to-source-spänning, gate-source-spänning, maximal drain-ström och effektförlustkapacitet. De termiska egenskaperna är också avgörande, eftersom de påverkar enhetens tillförlitlighet och prestanda under olika driftsförhållanden.

2N7002L:s låga på-resistans är fördelaktig för att minska effektförlust och förbättra effektiviteten i applikationer. Dess kompakta SOT-23-paket är lämpligt för utrymmesbegränsade konstruktioner. Ingenjörer bör också överväga omkopplingshastighet, gateladdning och kapacitansegenskaper för att säkerställa kompatibilitet med deras krets krav.

Sammanfattningsvis erbjuder 2N7002L en balans mellan prestanda, tillförlitlighet och effektivitet, vilket gör den till ett lämpligt val för ett brett utbud av lågspännings- och lågströmsapplikationer. Att förstå dess specifikationer och hur de stämmer överens med kraven för den avsedda applikationen är nyckeln till att göra ett informerat val.