2N7002L: N-kanals MOSFET, 60V, 200mA, SOT-23

onsemi

2N7002L är en N-kanals MOSFET producerad med onsemis höga celltäthet, DMOS-teknologi. Denna komponent är designad för att erbjuda lågt på-tillståndsmotstånd samtidigt som den säkerställer robust, pålitlig och snabb omkopplingsprestanda. Den är särskilt lämplig för lågspännings-, lågströmsapplikationer, vilket gör den till ett mångsidigt val för olika elektroniska kretsar.

Med en högdensitetscellkonstruktion uppnår 2N7002L lågt RDS(on), vilket gör den till ett effektivt val för uppgifter inom kraftförvaltning. Dess förmåga att fungera som en spänningsstyrd liten signalbrytare lägger till dess flexibilitet i kretskonstruktion. Komponentens höga mättnadsströmkapacitet och robusthet gör den till ett pålitligt alternativ för krävande miljöer.

• Dränk-till-källspänning (VDSS): 60 V
• Grind-källspänning (VGSS): ±20 V, Icke-repetitiv (tp < 50 ms) ±40 V
• Maximal dränkström (ID): 200 mA Kontinuerlig, 500 mA Pulsad
• Maximal effektförbrukning (PD): 400 mW, Deraterad över 25°C
• Termiskt motstånd, skärningspunkt till omgivning (RθJA): 625 °C/W
• Grindtröskelspänning (VGS(th)): 1 till 2.5 V
• Statiskt dränk-källmotstånd (RDS(on)): 1.2 till 7.5 Ω
• Dränk-källpåspänning (VDS(on)): 0.6 till 3.75 V

• Liten servomotorstyrning
• Power MOSFET gate-drivers
• Olika switchapplikationer

N-kanals MOSFETs som 2N7002L är grundläggande komponenter i elektronisk design, som erbjuder ett sätt att effektivt kontrollera strömfördelningen i kretsar. Dessa transistorer fungerar genom att tillåta ström att flöda mellan dränerings- och källterminalerna när en spänning appliceras på grindterminalen, vilket gör dem idealiska för omkoppling och förstärkning av signaler.

När man väljer en N-kanals MOSFET är viktiga överväganden inkluderar dränk-till-källspänning, grind-källspänning, maximal dränkström och effektförlustkapaciteter. De termiska egenskaperna är också avgörande, eftersom de påverkar enhetens tillförlitlighet och prestanda under olika driftsförhållanden.

2N7002L:s låga på-tillståndsmotstånd är fördelaktigt för att minska effektförlust och förbättra effektiviteten i applikationer. Dess kompakta SOT-23-kapsel är lämplig för utrymmesbegränsade konstruktioner. Ingenjörer bör också överväga omkopplingshastighet, grindladdning och kapacitans egenskaper för att säkerställa kompatibilitet med deras krets krav.

Sammanfattningsvis erbjuder 2N7002L en balans av prestanda, tillförlitlighet och effektivitet, vilket gör den till ett lämpligt val för ett brett spektrum av lågspännings-, lågströmsapplikationer. Att förstå dess specifikationer och hur de överensstämmer med kraven för den avsedda applikationen är nyckeln till att göra ett informerat val.