1N5819HW-7-F är en Schottky-barriärlikriktare designad för ytmonterade applikationer. Den har en maximal repetitiv backspänning (VRRM) på 40V och en genomsnittlig likriktad utström (IO) på 1,0A. Enheten erbjuder ett lågt framspänningsfall (VF) på maximalt 450mV, vilket bidrar till dess höga effektivitet och låga effektförlustegenskaper. Schottky-likriktaren uppvisar också en låg backläckström (IR) på maximalt 50µA, vilket förbättrar dess prestanda i miljöer med hög temperatur.
Konstruktion med skyddsring (guard ring) ger transientskydd, vilket säkerställer tillförlitlighet och stabilitet under transienta förhållanden. Likriktaren är inkapslad i en SOD123-kapsling, känd för sin kompakta storlek och hållbarhet. Kapslingsmaterialet är gjuten plast med en UL-brandfarlighetsklassificering på 94V-0, vilket indikerar dess lämplighet för användning i säkerhetskritiska applikationer.
Hög överspänningskapacitet, hög strömkapacitet och lågt framspänningsfall gör denna enhet idealisk för en mängd olika applikationer inklusive lågspännings-, högfrekvensomriktare, frihjulning och polaritetsskydd.
Diod
Schottky-barriärlikriktare är halvledardioder utformade med en metall-halvledarövergång snarare än en p-n-övergång, vilket är vanligt i standarddioder. Denna unika konstruktion gör att Schottky-dioder har mycket låga framspänningsfall och snabba switchningsegenskaper, vilket gör dem mycket effektiva för applikationer som kräver likriktning, spänningsbegränsning och skydd mot omvänd polaritet.
Vid val av en Schottky-barriärlikriktare bör ingenjörer överväga parametrar som den repetitiva toppbackspänningen, genomsnittlig likriktad utgångsström, framspänningsfall och backläckström. Dessa parametrar är avgörande för att säkerställa att dioden uppfyller applikationens krav på effekthantering, effektivitet och termiska egenskaper.
Schottky-dioder används ofta i strömförsörjningskretsar, spänningsregulatorer och DC-DC-omvandlare på grund av sin effektivitet och snabba respons. De används också i högfrekvensapplikationer, såsom RF-blandare och detektorer, där deras låga framspänningsfall och snabba switchhastigheter är fördelaktiga.
Förutom tekniska specifikationer är kapslingstyp och termiska egenskaper också viktiga överväganden. Kapslingen måste stödja applikationens krav på värmeavledning, och diodens drifttemperaturområde bör överensstämma med de miljöförhållanden där enheten ska användas.