O BSS138W da onsemi é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de Canal N de Nível Lógico de Modo de Aprimoramento projetado para operação eficiente em aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Este MOSFET apresenta um pacote de montagem em superfície compacto SOT-323, tornando-o adequado para layouts densos de PCB. Ele é projetado para minimizar a resistência no estado ligado, oferecendo valores tão baixos quanto 3,5Ω em VGS = 10V, ID = 0,22A, garantindo assim uma gestão eficiente de energia em circuitos.
Seu design robusto e confiável, combinado com um design de célula de alta densidade para um RDS(on) extremamente baixo, torna o BSS138W uma escolha ideal para aplicações como controle de pequenos motores servo, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação. O dispositivo opera dentro de uma tensão de dreno a fonte (VDSS) de 50V, e pode lidar com correntes de dreno contínuas de até 0,21A, tornando-o versátil para uma gama de projetos eletrônicos.
Transistor
Transistores de efeito de campo (FETs), especificamente os MOSFETs de canal N, são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos por sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de energia. Eles operam usando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal, oferecendo alta impedância de entrada e velocidades de comutação rápidas. MOSFETs de canal N, como o BSS138W, são particularmente úteis em aplicações que exigem gerenciamento e controle eficientes de energia em um espaço compacto.
Ao selecionar um MOSFET N-Channel, fatores importantes a considerar incluem a tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGSS), corrente de dreno contínua (ID) e resistência dreno-fonte estática (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência e eficiência desejados. Além disso, o tipo de pacote e as características térmicas são cruciais para garantir que o componente se encaixe nas restrições físicas e térmicas do design.
O BSS138W é projetado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente, oferecendo um equilíbrio entre desempenho e tamanho. Sua baixa RDS(on) ajuda a reduzir as perdas de potência, tornando-o adequado para aplicações de alta eficiência. O compacto pacote SOT-323 permite layouts densos de PCB, proporcionando flexibilidade no design.
No geral, a seleção de um MOSFET de Canal N como o BSS138W deve ser baseada nos requisitos específicos da aplicação, incluindo especificações elétricas, tamanho físico e necessidades de gerenciamento térmico. Entender esses fatores ajudará os engenheiros a escolher o componente certo para seus designs, garantindo desempenho e confiabilidade ótimos.