O BSS138W da onsemi é um Transistor de Efeito de Campo de Modo de Enriquecimento de Nível Lógico de Canal N projetado para operação eficiente em aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Este MOSFET possui um encapsulamento compacto de montagem em superfície SOT-323, tornando-o adequado para layouts de PCB densos. Ele é projetado para minimizar a resistência no estado ligado, oferecendo valores tão baixos quanto 3,5Ω em VGS = 10V, ID = 0,22A, garantindo assim um gerenciamento de energia eficiente nos circuitos.
Seu design robusto e confiável, combinado com um design de célula de alta densidade para RDS(on) extremamente baixo, torna o BSS138W uma escolha ideal para aplicações como controle de pequenos servomotores, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação. O dispositivo opera dentro de uma tensão dreno para fonte (VDSS) de 50V e pode lidar com correntes de dreno contínuas de até 0,21A, tornando-o versátil para uma variedade de projetos eletrônicos.
Transístor
Transistores de efeito de campo (FETs), especificamente os MOSFETs de Canal N, são amplamente utilizados em circuitos eletrônicos por sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de energia. Eles operam usando um campo elétrico para controlar a condutividade de um canal, oferecendo alta impedância de entrada e velocidades de comutação rápidas. MOSFETs de Canal N, como o BSS138W, são particularmente úteis em aplicações que requerem gerenciamento e controle de energia eficientes em um footprint compacto.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, fatores importantes a considerar incluem a tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGSS), corrente de dreno contínua (ID) e resistência estática dreno-fonte no estado ligado (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência desejados e a eficiência. Além disso, o tipo de encapsulamento e as características térmicas são cruciais para garantir que o componente se encaixe nas restrições físicas e térmicas do projeto.
O BSS138W foi projetado para aplicações de baixa tensão e baixa corrente, oferecendo um equilíbrio entre desempenho e tamanho. O seu baixo RDS(on) ajuda a reduzir as perdas de energia, tornando-o adequado para aplicações de alta eficiência. O encapsulamento compacto SOT-323 permite layouts de PCB densos, proporcionando flexibilidade no design.
No geral, a seleção de um MOSFET de Canal N como o BSS138W deve basear-se nos requisitos específicos da aplicação, incluindo especificações elétricas, tamanho físico e necessidades de gestão térmica. Compreender estes fatores ajudará os engenheiros a escolher o componente certo para os seus projetos, garantindo um desempenho e fiabilidade ótimos.