O BSS138LT1G da onsemi é um MOSFET de Potência N-Channel projetado para gerenciamento eficiente de energia em dispositivos portáteis e alimentados por bateria. Ele opera com uma corrente de dreno contínua máxima de 200mA e uma tensão de dreno-fonte de 50V. A baixa tensão de limiar do componente (0.85V a 1.5V) o torna adequado para aplicações de baixa tensão, aumentando sua utilidade em circuitos eletrônicos modernos.
Este MOSFET vem em um pacote SOT-23 compacto, otimizando o espaço da placa em designs densamente empacotados. É caracterizado por uma resistência de dreno-fonte estática de 3,5Ω (a VGS = 5.0V, ID = 200mA), garantindo operação eficiente. O dispositivo também apresenta características de comutação rápida, com tempos de atraso de ligação e desligamento tipicamente em torno de 20ns, contribuindo para seu desempenho em aplicações de comutação de alta velocidade.
MOSFET
Transistores de Efeito de Campo de Óxido Metálico-Semicondutor (MOSFETs) são um tipo de transistor usado para amplificar ou comutar sinais eletrônicos. Eles são um componente essencial em circuitos eletrônicos modernos, oferecendo alta impedância de entrada e velocidades de comutação rápidas. MOSFETs N-Channel, como o BSS138LT1G, são tipicamente usados para comutar sinais eletrônicos na direção negativa (ou 'sink').
Ao selecionar um MOSFET para um design, vários parâmetros são importantes a considerar, incluindo a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID) e resistência dreno-fonte estática (rDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência requeridos e a eficiência do circuito. Adicionalmente, a tensão de limiar porta-fonte (VGS(th)) é crucial para determinar quão facilmente o MOSFET pode ser ativado em uma determinada tensão de porta, afetando a adequação do dispositivo para aplicações de baixa tensão.
MOSFETs são amplamente utilizados em aplicações que vão desde gerenciamento de energia e conversão até comutação de sinais. Sua capacidade de controlar eficientemente altas correntes e tensões com potência de entrada mínima os torna indispensáveis em dispositivos eletrônicos modernos. A escolha do encapsulamento, como o pacote SOT-23 para o BSS138LT1G, também desempenha um papel significativo na aplicação, afetando fatores como desempenho térmico e utilização do espaço na placa.
Em resumo, ao escolher um MOSFET, é importante combinar de perto as especificações do componente com os requisitos da aplicação. Isso inclui considerar o ambiente operacional, pois a temperatura e o gerenciamento térmico podem impactar significativamente o desempenho e a confiabilidade do MOSFET.