O BSS138LT3G da onsemi é um MOSFET N-Channel que opera a um máximo de 200 mA e 50 V, encapsulado em um compacto pacote SOT-23. Este componente é projetado para lidar com requisitos de potência baixos a moderados em circuitos eletrônicos, tornando-o adequado para uma ampla gama de aplicações.
Principais características incluem uma baixa tensão de limiar (VGS(th)) variando de 0.85 V a 1.5 V, que permite uma operação eficiente em cenários de baixa tensão. Além disso, o dispositivo é caracterizado por sua baixa resistência dreno-fonte estática (RDS(on)) de 3.5 Ω quando VGS é 5.0 V e ID é 200 mA, contribuindo para sua eficiência na condução de corrente. O BSS138LT3G também é notável por sua robustez, com uma faixa de temperatura de operação e armazenamento máxima de -55 a 150 °C, garantindo um desempenho confiável em várias condições ambientais.
Transistor
MOSFETs de Canal N são um tipo de transistor de efeito de campo (FET) amplamente utilizado em circuitos eletrônicos para fins de comutação e amplificação. Esses componentes são caracterizados por sua capacidade de controlar o fluxo de corrente alta usando uma tensão relativamente baixa, tornando-os essenciais em aplicações de gerenciamento de potência e processamento de sinal.
Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como tensão dreno-fonte (VDSS), tensão porta-fonte (VGS), corrente de dreno (ID) e resistência dreno-fonte estática (RDS(on)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com tensão e corrente em aplicações específicas, bem como suas características de eficiência e dissipação de calor.
Outra consideração importante é a tensão de limiar (VGS(th)), que indica a tensão mínima de porta-fonte necessária para ligar o dispositivo. Uma tensão de limiar mais baixa pode ser vantajosa em aplicações de baixa tensão, onde a eficiência energética é crítica.
O tipo de pacote também desempenha um papel crucial, especialmente em designs com restrição de espaço. O pacote SOT-23 do BSS138LT3G, por exemplo, oferece um equilíbrio entre compactação e desempenho térmico, tornando-o adequado para uma variedade de aplicações, incluindo dispositivos portáteis e alimentados por bateria.