O BSS138 é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de Canal N de modo de aprimoramento produzido usando a tecnologia DMOS de alta densidade celular proprietária da onsemi. Esta tecnologia permite que o BSS138 alcance baixa resistência no estado ligado enquanto mantém desempenho de comutação robusto, confiável e rápido. O dispositivo é otimizado para aplicações de baixa tensão, baixa corrente, tornando-o adequado para controle de pequenos motores servo, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação.
Com um pacote compacto padrão da indústria SOT-23 de montagem em superfície, o BSS138 é projetado para minimizar a resistência no estado ligado, com valores de 3,5Ω em VGS = 10V e 6,0Ω em VGS = 4,5V. Essa baixa resistência no estado ligado é alcançada através do design de célula de alta densidade da onsemi, contribuindo para a eficiência do dispositivo em suas aplicações. Além disso, o BSS138 é caracterizado por sua robustez e confiabilidade, garantindo desempenho em uma variedade de condições operacionais.
O dispositivo também é notável por ser livre de Pb e Halogênio, alinhando-se com os padrões ambientais atuais para componentes eletrônicos. Isso torna o BSS138 uma escolha ecologicamente correta para engenheiros que procuram projetar produtos sustentáveis.
Transistor
Os Transistores de Efeito de Campo (FETs) são um tipo de transistor usado em circuitos eletrônicos para controlar o fluxo de corrente. Eles são componentes chave em uma ampla gama de aplicações, de gerenciamento de energia a amplificação de sinal. Os FETs operam usando um campo elétrico para controlar a forma e, portanto, a condutividade de um 'canal' em um material semicondutor. Isso permite a comutação e amplificação eficientes de sinais eletrônicos.
Ao selecionar um FET para uma aplicação específica, vários parâmetros são importantes a considerar. Estes incluem a tensão dreno-fonte, que indica a tensão máxima que o FET pode suportar entre seus terminais de dreno e fonte; a tensão porta-fonte, que é a diferença de tensão necessária na porta para tornar o FET condutivo; e a corrente de dreno, que é a corrente máxima que pode fluir através do FET. A resistência no estado ligado também é crucial, pois afeta a eficiência do FET ao determinar quanto poder é perdido na forma de calor quando o FET está conduzindo.
FETs de Canal N, como o BSS138, são particularmente adequados para aplicações que requerem gerenciamento de energia eficiente e comutação. Eles são tipicamente usados em aplicações de baixa tensão, baixa corrente devido à sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de corrente com perda de potência mínima. Ao escolher um FET de Canal N, os engenheiros devem considerar as classificações de tensão e corrente do dispositivo, resistência em estado ligado, velocidade de comutação e desempenho térmico para garantir que ele atenda aos requisitos de sua aplicação.
O BSS138, com sua baixa resistência no estado de condução e design de célula de alta densidade, é um exemplo de um FET de canal N projetado para desempenho eficiente em aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Seu compacto pacote SOT-23 e desempenho robusto e confiável o tornam adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo controle de motores e comutação de potência.