BSS138: MOSFET de Canal N, 50V, 0.22A, SOT-23-3
onsemi

O BSS138 é um Transistor de Efeito de Campo (FET) de Canal N de modo de aprimoramento produzido usando a tecnologia DMOS de alta densidade celular proprietária da onsemi. Esta tecnologia permite que o BSS138 alcance baixa resistência no estado ligado enquanto mantém desempenho de comutação robusto, confiável e rápido. O dispositivo é otimizado para aplicações de baixa tensão, baixa corrente, tornando-o adequado para controle de pequenos motores servo, drivers de porta de MOSFET de potência e outras aplicações de comutação.

Com um pacote compacto padrão da indústria SOT-23 de montagem em superfície, o BSS138 é projetado para minimizar a resistência no estado ligado, com valores de 3,5Ω em VGS = 10V e 6,0Ω em VGS = 4,5V. Essa baixa resistência no estado ligado é alcançada através do design de célula de alta densidade da onsemi, contribuindo para a eficiência do dispositivo em suas aplicações. Além disso, o BSS138 é caracterizado por sua robustez e confiabilidade, garantindo desempenho em uma variedade de condições operacionais.

O dispositivo também é notável por ser livre de Pb e Halogênio, alinhando-se com os padrões ambientais atuais para componentes eletrônicos. Isso torna o BSS138 uma escolha ecologicamente correta para engenheiros que procuram projetar produtos sustentáveis.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 50V
  • Tensão Porta-Fonte (VGSS): ±20V
  • Corrente de Dreno – Contínua (ID): 0.22A
  • Corrente de Dreno – Pulsada: 0.88A
  • Dissipação Máxima de Potência (PD): 0.36W
  • Resistência em Estado Ligado (RDS(on)): 3.5Ω a VGS = 10V, 6.0Ω a VGS = 4.5V
  • Faixa de Temperatura de Operação e Armazenamento: -55 a +150°C
  • Pacote: SOT-23-3

Ficha Técnica de BSS138

BSS138 folha de dados (PDF)

BSS138 Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para BSS138, as partes mais populares primeiro

Aplicações

  • Controle de pequenos servomotores
  • Drivers de portão de MOSFET de potência
  • Aplicações de comutação

Categoria

Transistor

Informações gerais

Os Transistores de Efeito de Campo (FETs) são um tipo de transistor usado em circuitos eletrônicos para controlar o fluxo de corrente. Eles são componentes chave em uma ampla gama de aplicações, de gerenciamento de energia a amplificação de sinal. Os FETs operam usando um campo elétrico para controlar a forma e, portanto, a condutividade de um 'canal' em um material semicondutor. Isso permite a comutação e amplificação eficientes de sinais eletrônicos.

Ao selecionar um FET para uma aplicação específica, vários parâmetros são importantes a considerar. Estes incluem a tensão dreno-fonte, que indica a tensão máxima que o FET pode suportar entre seus terminais de dreno e fonte; a tensão porta-fonte, que é a diferença de tensão necessária na porta para tornar o FET condutivo; e a corrente de dreno, que é a corrente máxima que pode fluir através do FET. A resistência no estado ligado também é crucial, pois afeta a eficiência do FET ao determinar quanto poder é perdido na forma de calor quando o FET está conduzindo.

FETs de Canal N, como o BSS138, são particularmente adequados para aplicações que requerem gerenciamento de energia eficiente e comutação. Eles são tipicamente usados em aplicações de baixa tensão, baixa corrente devido à sua capacidade de controlar eficientemente o fluxo de corrente com perda de potência mínima. Ao escolher um FET de Canal N, os engenheiros devem considerar as classificações de tensão e corrente do dispositivo, resistência em estado ligado, velocidade de comutação e desempenho térmico para garantir que ele atenda aos requisitos de sua aplicação.

O BSS138, com sua baixa resistência no estado de condução e design de célula de alta densidade, é um exemplo de um FET de canal N projetado para desempenho eficiente em aplicações de baixa tensão e baixa corrente. Seu compacto pacote SOT-23 e desempenho robusto e confiável o tornam adequado para uma ampla gama de aplicações, incluindo controle de motores e comutação de potência.

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