BSS138-7-F: MOSFET de Modo de Aprimoramento N-Channel, 50V, 200mA, 3,5Ω
Diodes Inc.

O BSS138-7-F é um MOSFET de Modo de Enriquecimento N-Canal projetado para aplicações de gerenciamento de energia de alta eficiência. Ele apresenta uma baixa resistência ligada (RDS(ON)) de 3,5Ω em VGS = 10V, o que minimiza a perda de potência enquanto mantém um desempenho de comutação superior. Este componente é caracterizado por sua baixa tensão de limiar de porta, alta velocidade de comutação e baixa corrente de entrada/saída de fuga, tornando-o adequado para aplicações de comutação de sistema e carga.

Este MOSFET é embalado em um pequeno invólucro SOT23, oferecendo uma solução compacta para designs com restrição de espaço. Ele é totalmente compatível com RoHS e designado como um dispositivo "Verde", indicando que é livre de halogênio e antimônio. O BSS138-7-F é ideal para engenheiros que procuram um interruptor confiável com baixo consumo de energia e alta eficiência de comutação.

Especificações e Características Chave

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 50V
  • Corrente de Dreno (ID): 200mA
  • Resistência Estática Dreno-Fonte (RDS(ON)): 3,5Ω a VGS = 10V
  • Tensão de Limiar de Porta (VGS(TH)): 0,5 - 1,5V
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 50pF
  • Dissipação de Potência (PD): 300mW
  • Faixa de Temperatura Operacional: -55 a +150°C

Ficha Técnica de BSS138-7-F

BSS138-7-F folha de dados (PDF)

BSS138-7-F Substitutos
Partes alternativas equivalentes que podem servir como substituto para BSS138-7-F, as partes mais populares primeiro

Aplicações

  • Aplicações de Chaveamento de Sistema/Carga
  • Gerenciamento de energia de alta eficiência

Categoria

Transistores

Informações gerais

MOSFETs de Canal N em Modo de Enriquecimento são um tipo de MOSFET projetado para a comutação de sinais eletrônicos. Esses componentes são amplamente utilizados em aplicações de gerenciamento de energia devido à sua eficiência e capacidade de lidar com níveis significativos de potência. MOSFETs de Canal N são caracterizados por sua capacidade de conduzir corrente entre o dreno e a fonte quando uma tensão positiva é aplicada ao portão em relação à fonte.

Ao selecionar um MOSFET N-Channel, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID) e resistência dreno-fonte estática (RDS(ON)). Esses parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência e eficiência necessários em um circuito. A tensão de limiar do portão (VGS(TH)) também é importante, pois afeta a tensão necessária para ligar o dispositivo.

Os MOSFETs N-Channel são usados em uma variedade de aplicações, incluindo circuitos de fornecimento de energia, controladores de motores e como interruptores em sistemas de gerenciamento de energia de alta eficiência. Sua baixa resistência de condução e capacidades de comutação rápida os tornam adequados para aplicações que exigem manuseio e controle eficientes de energia.

Além das especificações técnicas, embalagem e gerenciamento térmico também são considerações importantes. Dispositivos como o BSS138-7-F, com seu pacote compacto SOT23, oferecem uma solução para aplicações com limitações de espaço enquanto garantem dissipação de calor adequada para operação confiável.

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