BSS138-7-F: MOSFET de Modo de Aprimoramento Canal N, 50V, 200mA, 3,5Ω
Diodes Inc.

O BSS138-7-F é um MOSFET de Modo de Aprimoramento de Canal N projetado para aplicações de gerenciamento de energia de alta eficiência. Ele apresenta uma baixa resistência no estado ligado (RDS(ON)) de 3.5Ω a VGS = 10V, o que minimiza a perda de energia enquanto mantém um desempenho de comutação superior. Este componente é caracterizado por sua baixa tensão de limiar de porta, velocidade de comutação rápida e baixo vazamento de entrada/saída, tornando-o adequado para aplicações de sistema e interruptor de carga.

Este MOSFET é embalado em um pequeno invólucro SOT23, oferecendo uma solução compacta para designs com restrição de espaço. É totalmente compatível com RoHS e designado como um dispositivo "Verde", indicando que é livre de halogênio e antimônio. O BSS138-7-F é ideal para engenheiros que procuram um interruptor confiável com baixo consumo de energia e alta eficiência de comutação.

Principais Especificações e Recursos

  • Tensão Dreno-Fonte (VDSS): 50V
  • Corrente de Dreno (ID): 200mA
  • Resistência Estática Dreno-Fonte Ligado (RDS(ON)): 3.5Ω a VGS = 10V
  • Tensão de Limiar de Gate (VGS(TH)): 0.5 - 1.5V
  • Capacitância de Entrada (Ciss): 50pF
  • Dissipação de Potência (PD): 300mW
  • Faixa de Temperatura de Operação: -55 a +150°C

Datasheet BSS138-7-F

Datasheet BSS138-7-F (PDF)

Substitutos de BSS138-7-F
Componentes alternativos equivalentes que podem servir como substitutos para BSS138-7-F, componentes mais populares primeiro

Aplicações

  • Aplicações de Sistema/Interruptor de Carga
  • Gerenciamento de energia de alta eficiência

Categoria

Transistores

Informação geral

Os MOSFETs de Modo de Melhoramento de Canal N são um tipo de MOSFET concebido para comutar sinais eletrónicos. Estes componentes são amplamente utilizados em aplicações de gestão de energia devido à sua eficiência e capacidade de lidar com níveis de potência significativos. Os MOSFETs de Canal N caracterizam-se pela sua capacidade de conduzir corrente entre o dreno e a fonte quando é aplicada uma tensão positiva na porta em relação à fonte.

Ao selecionar um MOSFET de Canal N, os engenheiros devem considerar parâmetros como a tensão dreno-fonte (VDSS), corrente de dreno (ID) e resistência estática dreno-fonte ligada (RDS(ON)). Estes parâmetros determinam a capacidade do MOSFET de lidar com os níveis de potência e eficiência necessários num circuito. A tensão de limiar da porta (VGS(TH)) também é importante, pois afeta a tensão necessária para ligar o dispositivo.

MOSFETs de Canal N são usados em uma variedade de aplicações, incluindo circuitos de fonte de alimentação, controladores de motor e como interruptores em sistemas de gerenciamento de energia de alta eficiência. A sua baixa resistência no estado ligado (on-resistance) e capacidades de comutação rápida tornam-nos adequados para aplicações que requerem manuseio e controle de energia eficientes.

Além das especificações técnicas, o encapsulamento e o gerenciamento térmico também são considerações importantes. Dispositivos como o BSS138-7-F, com seu encapsulamento compacto SOT23, oferecem uma solução para aplicações com restrição de espaço, garantindo ao mesmo tempo dissipação de calor adequada para uma operação confiável.

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