BSS138LT3G od onsemi to tranzystor MOSFET typu N-Channel, który pracuje przy maksymalnym prądzie 200 mA i napięciu 50 V, zamknięty w kompaktowej obudowie SOT-23. Ten komponent jest zaprojektowany do obsługi niskich do umiarkowanych wymagań mocy w obwodach elektronicznych, co czyni go odpowiednim do szerokiego zakresu aplikacji.
Kluczowe cechy obejmują niskie napięcie progowe (VGS(th)) w zakresie od 0,85 V do 1,5 V, co pozwala na efektywną pracę w scenariuszach niskiego napięcia. Ponadto, urządzenie charakteryzuje się niską statyczną rezystancją dren-źródło (RDS(on)) wynoszącą 3,5 Ω przy VGS = 5,0 V i ID = 200 mA, przyczyniając się do jego efektywności w przewodzeniu prądu. BSS138LT3G jest również godny uwagi ze względu na swoją wytrzymałość, z maksymalnym zakresem temperatur pracy i przechowywania od -55 do 150 °C, zapewniając niezawodną wydajność w różnych warunkach środowiskowych.
Tranzystor
Tranzystory MOSFET typu N to rodzaj tranzystora polowego (FET), który jest szeroko stosowany w obwodach elektronicznych do celów przełączania i wzmacniania. Te komponenty charakteryzują się zdolnością do kontrolowania dużego przepływu prądu przy stosunkowo niskim napięciu, co czyni je niezbędnymi w aplikacjach zarządzania mocą i przetwarzania sygnałów.
Podczas wyboru tranzystora MOSFET typu N-Channel, inżynierowie powinni brać pod uwagę parametry takie jak napięcie dren-źródło (VDSS), napięcie bramka-źródło (VGS), prąd drenu (ID) oraz statyczna rezystancja dren-źródło w stanie przewodzenia (RDS(on)). Parametry te określają zdolność MOSFET do obsługi napięcia i prądu w konkretnych zastosowaniach, jak również jego efektywność i charakterystyki rozpraszania ciepła.
Innym ważnym czynnikiem jest napięcie progowe (VGS(th)), które wskazuje minimalne napięcie bramka-źródło wymagane do włączenia urządzenia. Niższe napięcie progowe może być korzystne w aplikacjach niskonapięciowych, gdzie efektywność energetyczna jest kluczowa.
Typ obudowy odgrywa również kluczową rolę, szczególnie w projektach o ograniczonej przestrzeni. Na przykład obudowa SOT-23 diody BSS138LT3G oferuje równowagę między kompaktością a wydajnością termiczną, co czyni ją odpowiednią do różnorodnych zastosowań, w tym urządzeń przenośnych i zasilanych bateryjnie.