BSS138LT1G firmy onsemi to N-kanałowy MOSFET mocy zaprojektowany do wydajnego zarządzania energią w urządzeniach przenośnych i zasilanych bateryjnie. Działa przy maksymalnym ciągłym prądzie drenu 200mA i napięciu dren-źródło 50V. Niskie napięcie progowe komponentu (0,85V do 1,5V) czyni go odpowiednim do aplikacji niskonapięciowych, zwiększając jego użyteczność w nowoczesnych obwodach elektronicznych.
Ten MOSFET jest dostępny w kompaktowej obudowie SOT-23, optymalizując przestrzeń na płytce w gęsto upakowanych projektach. Charakteryzuje się statyczną rezystancją włączenia dren-źródło wynoszącą 3,5 Ω (przy VGS = 5,0 V, ID = 200 mA), zapewniając wydajną pracę. Urządzenie posiada również szybką charakterystykę przełączania, z czasami opóźnienia włączenia i wyłączenia typowo około 20 ns, co przyczynia się do jego wydajności w aplikacjach szybkiego przełączania.
MOSFET
Tranzystory polowe metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) to rodzaj tranzystora używanego do wzmacniania lub przełączania sygnałów elektronicznych. Są one niezbędnym elementem nowoczesnych obwodów elektronicznych, oferując wysoką impedancję wejściową i duże prędkości przełączania. Tranzystory MOSFET z kanałem N, takie jak BSS138LT1G, są zwykle używane do przełączania sygnałów elektronicznych w kierunku ujemnym (lub 'sink').
Wybierając MOSFET do projektu, należy wziąć pod uwagę kilka parametrów, w tym napięcie dren-źródło (VDSS), prąd drenu (ID) i statyczną rezystancję włączenia dren-źródło (rDS(on)). Parametry te określają zdolność tranzystora MOSFET do obsługi wymaganych poziomów mocy i wydajności obwodu. Dodatkowo, napięcie progowe bramka-źródło (VGS(th)) jest kluczowe dla określenia, jak łatwo MOSFET może zostać włączony przy danym napięciu bramki, co wpływa na przydatność urządzenia do zastosowań niskonapięciowych.
Tranzystory MOSFET są szeroko stosowane w aplikacjach od zarządzania energią i konwersji po przełączanie sygnałów. Ich zdolność do wydajnego sterowania wysokimi prądami i napięciami przy minimalnej mocy wejściowej czyni je niezbędnymi w nowoczesnych urządzeniach elektronicznych. Wybór obudowy, takiej jak SOT-23 dla BSS138LT1G, również odgrywa znaczącą rolę w aplikacji, wpływając na czynniki takie jak wydajność termiczna i wykorzystanie miejsca na płytce.
Podsumowując, przy wyborze tranzystora MOSFET ważne jest ścisłe dopasowanie specyfikacji komponentu do wymagań aplikacji. Obejmuje to uwzględnienie środowiska pracy, ponieważ temperatura i zarządzanie termiczne mogą znacząco wpłynąć na wydajność i niezawodność tranzystora MOSFET.