BSS138NL6327: N-kanal SIPMOS småsignaltransistor, 60V, 0,23A, 3,5Ω
Infineon

BSS138NL6327 er en N-kanals enhancement mode felteffekttransistor (FET) designet for bruk i svitsjeapplikasjoner. Den har en drain-source-spenning (VDS) på 60V og en kontinuerlig drain-strøm (ID) på 0,23A ved 25°C, noe som gjør den egnet for en rekke laveffektapplikasjoner. Enheten kjennetegnes av sin lave på-motstand (RDS(on)) på maksimalt 3,5Ω, som forbedrer effektiviteten i kretsoperasjoner.

Denne transistoren er optimalisert for logikknivå-styring, noe som gjør at den kan drives direkte av logikkretser uten behov for ekstra nivåskifting. Dens dv/dt-rating og ESD-følsomhetsklasse 0 gjør den robust for krevende miljøer. BSS138NL6327 er også bemerkelsesverdig for sin miljømessige samsvar, da den er blyfri, RoHS-kompatibel og halogenfri, i tillegg til å være kvalifisert i henhold til AEC Q101-standarder for bilapplikasjoner.

Nøkkelspesifikasjoner og funksjoner

  • Drain-Source-spenning (VDS): 60V
  • Kontinuerlig Drain-strøm (ID): 0,23A ved 25°C
  • Pulset Drain-strøm (ID,pulse): 0,92A
  • På-tilstand motstand (RDS(on)): Maks 3,5Ω
  • Gate-Source-spenning (VGS): ±20V
  • Effekttap (Ptot): 0,36W ved 25°C
  • Drifts- og lagringstemperatur: -55 til 150°C
  • Dynamiske egenskaper: Inngangskapasitans (Ciss) 32-41pF, Utgangskapasitans (Coss) 7,2-9,5pF, Revers overføringskapasitans (Crss) 2,8-3,8pF

BSS138NL6327 Datablad

BSS138NL6327 datablad (PDF)

BSS138NL6327 Erstatninger
Tilsvarende alternative komponenter som kan fungere som erstatning for BSS138NL6327, mest populære komponenter først

Applikasjoner

  • Svitsjeapplikasjoner
  • Logikknivå-drivkretser
  • Bilelektronikk
  • Strømstyring

Kategori

Transistor

Generell informasjon

Felteffekttransistorer (FET-er) er en type transistor som brukes i elektroniske kretser for å svitsje eller forsterke signaler. FET-er kjennetegnes ved sin spenningsstyrte drift, i motsetning til bipolare transistorer (BJT-er) som er strømstyrte. Dette gjør FET-er spesielt nyttige i applikasjoner der høy inngangsimpedans er ønskelig.

Når man velger en FET for en spesifikk applikasjon, inkluderer viktige hensyn drain-source-spenning (VDS), drain-strøm (ID), motstand i på-tilstand (RDS(on)) og gate-source-spenning (VGS). Disse parameterne bestemmer FET-ens evne til å håndtere effekt og dens effektivitet i kretsen. I tillegg er de termiske egenskapene og ESD-følsomheten også kritiske for å sikre påliteligheten og levetiden til enheten under ulike driftsforhold.

FET-er er mye brukt i en rekke applikasjoner, fra enkle brytere til komplekse logiske kretser og strømstyringssystemer. Deres lave strømforbruk, høye svitsjehastighet og kompatibilitet med logikknivåsignaler gjør dem spesielt egnet for moderne elektroniske enheter.

Oppsummert, når man velger en FET, må ingeniører nøye vurdere enhetens elektriske egenskaper, termiske ytelse og egnethet for den tiltenkte applikasjonen. Dette sikrer optimal ytelse og pålitelighet for det elektroniske systemet.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Bedrift: 1/10
  • Hobby: 0/10

Database for elektroniske komponenter

Popular electronic components