BSS138LT3G fra onsemi er en N-kanal MOSFET som opererer på maksimalt 200 mA og 50 V, innkapslet i en kompakt SOT-23-pakke. Denne komponenten er designet for å håndtere lav til moderat strømkrav i elektroniske kretser, noe som gjør den egnet for et bredt spekter av applikasjoner.
Nøkkelegenskaper inkluderer en lav terskelspenning (VGS(th)) som varierer fra 0,85 V til 1,5 V, som muliggjør effektiv drift i lavspenningsscenarier. I tillegg er enheten kjennetegnet ved sin lave statiske drenering-til-kilde motstand (RDS(on)) på 3,5 Ω når VGS er 5,0 V og ID er 200 mA, som bidrar til dens effektivitet i å lede strøm. BSS138LT3G er også bemerkelsesverdig for sin robusthet, med et maksimalt drifts- og lagringstemperaturområde fra -55 til 150 °C, noe som sikrer pålitelig ytelse under ulike miljøforhold.
Transistor
N-kanal MOSFET-er er en type felteffekttransistor (FET) som er mye brukt i elektroniske kretser for bryting og forsterkning. Disse komponentene er kjennetegnet ved deres evne til å kontrollere høy strømflyt ved hjelp av en relativt lav spenning, noe som gjør dem essensielle i strømstyring og signalbehandlingsapplikasjoner.
Når du velger en N-kanal MOSFET, bør ingeniører vurdere parametere som drener-til-kilde-spenning (VDSS), port-til-kilde-spenning (VGS), drenerstrøm (ID) og statisk drener-til-kilde på-tilstandsmotstand (RDS(on)). Disse parameterne bestemmer MOSFETens evne til å håndtere spenning og strøm i spesifikke applikasjoner, samt dens effektivitet og varmeavledningsegenskaper.
En annen viktig vurdering er terskelspenningen (VGS(th)), som indikerer minimum gate-til-kilde-spenning som kreves for å slå enheten på. En lavere terskelspenning kan være fordelaktig i lavspenningsapplikasjoner, der strømeffektivitet er kritisk.
Pakke type spiller også en avgjørende rolle, spesielt i design med begrenset plass. SOT-23 pakken til BSS138LT3G, for eksempel, tilbyr en balanse mellom kompakthet og termisk ytelse, noe som gjør den egnet for en rekke applikasjoner, inkludert bærbare og batteridrevne enheter.