BSS138LT3G fra onsemi er en N-kanal MOSFET som opererer ved maksimalt 200 mA og 50 V, innkapslet i en kompakt SOT-23-pakke. Denne komponenten er designet for å håndtere lave til moderate strømkrav i elektroniske kretser, noe som gjør den egnet for et bredt spekter av applikasjoner.
Nøkkelfunksjoner inkluderer en lav terskelspenning (VGS(th)) fra 0,85 V til 1,5 V, som tillater effektiv drift i lavspenningsscenarioer. I tillegg kjennetegnes enheten av sin lave statiske drain-til-source på-motstand (RDS(on)) på 3,5 Ω når VGS er 5,0 V og ID er 200 mA, noe som bidrar til dens effektivitet i å lede strøm. BSS138LT3G er også bemerkelsesverdig for sin robusthet, med et maksimalt drifts- og lagringstemperaturområde på -55 til 150 °C, noe som sikrer pålitelig ytelse under ulike miljøforhold.
Transistor
N-kanal MOSFET-er er en type felteffekttransistor (FET) som er mye brukt i elektroniske kretser for svitsjing og forsterkning. Disse komponentene kjennetegnes ved deres evne til å kontrollere høy strømflyt ved hjelp av en relativt lav spenning, noe som gjør dem essensielle i strømstyrings- og signalbehandlingsapplikasjoner.
Når man velger en N-kanal MOSFET, bør ingeniører vurdere parametere som drain-til-source spenning (VDSS), gate-til-source spenning (VGS), drain-strøm (ID) og statisk drain-til-source på-motstand (RDS(on)). Disse parameterne bestemmer MOSFET-ens evne til å håndtere spenning og strøm i spesifikke applikasjoner, samt dens effektivitet og varmeavledningsegenskaper.
En annen viktig vurdering er terskelspenningen (VGS(th)), som indikerer den minste gate-til-source-spenningen som kreves for å slå på enheten. En lavere terskelspenning kan være fordelaktig i lavspenningsapplikasjoner, der strømeffektivitet er kritisk.
Pakketype spiller også en avgjørende rolle, spesielt i plassbegrensede design. SOT-23-pakken til BSS138LT3G, for eksempel, tilbyr en balanse mellom kompakthet og termisk ytelse, noe som gjør den egnet for en rekke applikasjoner, inkludert bærbare og batteridrevne enheter.