BSS138LT1G: N-kanal Power MOSFET, 200mA, 50V, SOT-23 pakke
onsemi

BSS138LT1G fra onsemi er en N-kanal Power MOSFET designet for effektiv strømstyring i bærbare og batteridrevne enheter. Den opererer med en maksimal kontinuerlig dreneringsstrøm på 200mA og en drener-til-kilde-spenning på 50V. Komponentens lave terskelspenning (0,85V til 1,5V) gjør den egnet for lavspenningsapplikasjoner, noe som øker dens nytte i moderne elektroniske kretser.

Denne MOSFETen kommer i en kompakt SOT-23 pakke, som optimaliserer plass på kretskortet i tett pakkede design. Den er karakterisert ved en statisk drain-til-source på-motstand på 3.5Ω (ved VGS = 5.0V, ID = 200mA), noe som sikrer effektiv drift. Enheten har også raske bryteregenskaper, med på- og av-brytingstider typisk rundt 20ns, noe som bidrar til dens ytelse i applikasjoner med høyhastighetsbryting.

Nøkkelspesifikasjoner og Funksjoner

  • Drain-til-Source Spenning (VDSS): 50V
  • Kontinuerlig Drain Strøm (ID): 200mA
  • Pulsert Drain Strøm (IDM): 800mA
  • Statisk Drain-til-Source På-Motstand (rDS(on)): 3.5Ω
  • Gate-Source Terskelspenning (VGS(th)): 0.85V til 1.5V
  • Total Effektdissipasjon (PD): 225mW
  • Drifts- og Lagringstemperaturområde: -55°C til 150°C
  • Termisk Motstand, Junction-til-Omgivelse (RθJA): 556°C/W

BSS138LT1G Datablad

BSS138LT1G datablad (PDF)

BSS138LT1G Erstatninger
Ekvivalente alternative komponenter som kan tjene som en erstatning for BSS138LT1G, mest populære komponenter først

Applikasjoner

  • DC-DC omformere
  • Strømstyring i bærbare enheter
  • Batteridrevne produkter som datamaskiner, skrivere, PCMCIA-kort, mobil- og trådløse telefoner

Kategori

MOSFET

Generell informasjon

Metall-Oksid Halvleder Felt-Effekt Transistorer (MOSFETer) er en type transistor brukt for å forsterke eller bytte elektroniske signaler. De er en essensiell komponent i moderne elektroniske kretser, som tilbyr høy inngangsimpedans og raske byttehastigheter. N-kanals MOSFETer, som BSS138LT1G, brukes typisk for å bytte elektroniske signaler i den negative (eller 'synke') retningen.

Når du velger en MOSFET for et design, er flere parametere viktige å vurdere, inkludert drener-til-kilde-spenningen (VDSS), drenerstrømmen (ID), og statisk drener-til-kilde-motstand (rDS(on)). Disse parameterne bestemmer MOSFET-ens evne til å håndtere de nødvendige kraftnivåene og effektiviteten til kretsen. I tillegg er terskelspenningen for port-til-kilde (VGS(th)) avgjørende for å bestemme hvor lett MOSFET-en kan slås på ved en gitt portspenning, noe som påvirker enhetens egnethet for lavspenningsapplikasjoner.

MOSFETer er mye brukt i applikasjoner som spenner fra strømstyring og konvertering til signalbryting. Deres evne til effektivt å kontrollere høye strømmer og spenninger med minimal inngangskraft gjør dem uunnværlige i moderne elektroniske enheter. Valget av pakking, som SOT-23-pakken for BSS138LT1G, spiller også en betydelig rolle i applikasjonen, som påvirker faktorer som termisk ytelse og plassutnyttelse på kortet.

Oppsummert, når man velger en MOSFET, er det viktig å nøye matche komponentens spesifikasjoner med applikasjonens krav. Dette inkluderer å vurdere driftsmiljøet, ettersom temperatur og termisk styring kan ha betydelig innvirkning på MOSFETens ytelse og pålitelighet.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Forretning: 4/10
  • Hobby: 4/10

Elektronisk Komponentdatabase

Popular electronic components