BSS138LT1G: N-kanal effekt-MOSFET, 200mA, 50V, SOT-23-pakke
onsemi

BSS138LT1G fra onsemi er en N-kanal effekt-MOSFET designet for effektiv strømstyring i bærbare og batteridrevne enheter. Den opererer ved en maksimal kontinuerlig drain-strøm på 200 mA og en drain-til-source-spenning på 50 V. Komponentens lave terskelspenning (0,85 V til 1,5 V) gjør den egnet for lavspenningsapplikasjoner, noe som forbedrer dens nytteverdi i moderne elektroniske kretser.

Denne MOSFET-en kommer i en kompakt SOT-23-pakke, som optimaliserer kortplass i tettpakkede design. Den kjennetegnes av en statisk drain-til-source på-motstand på 3,5Ω (ved VGS = 5,0V, ID = 200mA), noe som sikrer effektiv drift. Enheten har også raske svitsjeegenskaper, med inn- og utkoblingsforsinkelsestider typisk rundt 20ns, noe som bidrar til ytelsen i høyhastighets svitsjeapplikasjoner.

Nøkkelspesifikasjoner og funksjoner

  • Drain-til-Source spenning (VDSS): 50V
  • Kontinuerlig Drain-strøm (ID): 200mA
  • Pulset Drain-strøm (IDM): 800mA
  • Statisk Drain-til-Source på-motstand (rDS(on)): 3,5Ω
  • Gate-Source terskelspenning (VGS(th)): 0,85V til 1,5V
  • Total effekttap (PD): 225mW
  • Drifts- og lagringstemperaturområde: -55°C til 150°C
  • Termisk motstand, overgang-til-omgivelse (RθJA): 556°C/W

BSS138LT1G Datablad

BSS138LT1G datablad (PDF)

BSS138LT1G Erstatninger
Tilsvarende alternative komponenter som kan fungere som erstatning for BSS138LT1G, mest populære komponenter først

Applikasjoner

  • DC-DC-omformere
  • Strømstyring i bærbare enheter
  • Batteridrevne produkter som datamaskiner, skrivere, PCMCIA-kort, mobiltelefoner og trådløse telefoner

Kategori

MOSFET

Generell informasjon

Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET-er) er en type transistor som brukes til å forsterke eller svitsje elektroniske signaler. De er en essensiell komponent i moderne elektroniske kretser, og tilbyr høy inngangsimpedans og raske svitsjehastigheter. N-kanal MOSFET-er, som BSS138LT1G, brukes vanligvis for å svitsje elektroniske signaler i negativ (eller 'sink') retning.

Når man velger en MOSFET for et design, er det flere parametere som er viktige å vurdere, inkludert drain-source-spenning (VDSS), drain-strøm (ID) og statisk drain-source på-motstand (rDS(on)). Disse parameterne bestemmer MOSFET-ens evne til å håndtere de nødvendige effektnivåene og kretsens effektivitet. I tillegg er gate-source terskelspenning (VGS(th)) avgjørende for å bestemme hvor enkelt MOSFET-en kan slås på ved en gitt gatespenning, noe som påvirker enhetens egnethet for lavspenningsapplikasjoner.

MOSFET-er er mye brukt i applikasjoner som spenner fra strømstyring og konvertering til signalsvitsjing. Deres evne til effektivt å kontrollere høye strømmer og spenninger med minimal inngangseffekt gjør dem uunnværlige i moderne elektroniske enheter. Valget av innpakning, som SOT-23-pakken for BSS138LT1G, spiller også en betydelig rolle i applikasjonen, og påvirker faktorer som termisk ytelse og utnyttelse av kortplass.

Oppsummert, når man velger en MOSFET, er det viktig å matche komponentens spesifikasjoner nøye med applikasjonens krav. Dette inkluderer å vurdere driftsmiljøet, da temperatur og termisk styring kan påvirke MOSFET-ens ytelse og pålitelighet betydelig.

PartsBox Popularitetsindeks

  • Bedrift: 4/10
  • Hobby: 4/10

Database for elektroniske komponenter

Popular electronic components