BSS138 er en N-kanal enhancement mode felteffekttransistor (FET) produsert ved hjelp av onsemis proprietære DMOS-teknologi med høy celletetthet. Denne teknologien gjør at BSS138 kan oppnå lav på-motstand samtidig som den opprettholder robust, pålitelig og rask svitsjeytelse. Enheten er optimalisert for lavspennings-, lavstrømsapplikasjoner, noe som gjør den egnet for styring av små servomotorer, portdrivere for effekt-MOSFET-er og andre svitsjeapplikasjoner.
Med en kompakt industristandard SOT-23 overflatemontert pakke, er BSS138 designet for å minimere på-motstand, med verdier på 3,5Ω ved VGS = 10V og 6,0Ω ved VGS = 4,5V. Denne lave på-motstanden oppnås gjennom onsemis celledesign med høy tetthet, noe som bidrar til enhetens effektivitet i dens applikasjoner. Videre kjennetegnes BSS138 av sin robusthet og pålitelighet, noe som sikrer ytelse under en rekke driftsforhold.
Enheten er også kjent for å være blyfri og halogenfri, i tråd med gjeldende miljøstandarder for elektroniske komponenter. Dette gjør BSS138 til et miljøvennlig valg for ingeniører som ønsker å designe bærekraftige produkter.
Transistor
Felteffekttransistorer (FET-er) er en type transistor som brukes i elektroniske kretser for å kontrollere strømflyten. De er nøkkelkomponenter i et bredt spekter av applikasjoner, fra strømstyring til signalforsterkning. FET-er fungerer ved å bruke et elektrisk felt for å kontrollere formen og dermed ledningsevnen til en 'kanal' i et halvledermateriale. Dette muliggjør effektiv svitsjing og forsterkning av elektroniske signaler.
Når man velger en FET for en bestemt applikasjon, er flere parametere viktige å vurdere. Disse inkluderer drain-source spenning, som indikerer den maksimale spenningen FET-en kan håndtere mellom drain- og source-terminalene; gate-source spenning, som er spenningsforskjellen som kreves ved gaten for å gjøre FET-en ledende; og drain-strøm, som er den maksimale strømmen som kan flyte gjennom FET-en. På-motstanden er også avgjørende, da den påvirker FET-ens effektivitet ved å bestemme hvor mye effekt som går tapt i form av varme når FET-en leder.
N-kanal FET-er, som BSS138, er spesielt egnet for applikasjoner som krever effektiv strømstyring og svitsjing. De brukes typisk i lavspennings-, lavstrømsapplikasjoner på grunn av deres evne til effektivt å kontrollere strømflyten med minimalt effekttap. Når man velger en N-kanal FET, må ingeniører vurdere enhetens spennings- og strømklassifiseringer, på-tilstandsmotstand, svitsjehastighet og termisk ytelse for å sikre at den oppfyller kravene til applikasjonen.
BSS138, med sin lave på-motstand og høytetthets celledesign, er et eksempel på en N-kanal FET designet for effektiv ytelse i applikasjoner med lav spenning og lav strøm. Dens kompakte SOT-23-pakke og robuste, pålitelige ytelse gjør den egnet for et bredt spekter av applikasjoner, inkludert motorstyring og strømsvitsjing.