SSM3K2615R,LF: NチャネルMOSFET、60V、2A、SOT-23F、低RDS(ON)

Toshiba

ToshibaのSSM3K2615R,LFは、電子回路の効率的な電力管理のために設計されたNチャネルMOSFETです。このコンポーネントは、スペースが限られているアプリケーションに適したコンパクトなSOT-23Fパッケージに収められています。最大60Vのドレイン-ソース電圧と、2Aの連続ドレイン電流を処理でき、パルスドレイン電流は最大6Aまで可能です。MOSFETは、10Vのゲート-ソース電圧で230mΩ、3.3Vで380mΩの範囲の低ドレイン-ソースオン抵抗（RDS(ON)）を特長とし、回路運用の効率を向上させます。

SSM3K2615R,LFはAEC-Q101に適合しており、自動車アプリケーションに適しています。3.3-Vのゲート駆動電圧に対応しており、低電圧ロジック信号との互換性があります。この部品は主に負荷スイッチやモータードライバーで使用され、さまざまなアプリケーションでの汎用性を示しています。低いRDS(ON)は運用中の電力損失を最小限に抑え、システムの全体的なエネルギー効率に寄与します。

• ドレイン-ソース電圧（VDSS）： 60V
• ゲート-ソース電圧（VGSS）： ±20V
• ドレイン電流（DC）： 2A
• パルスドレイン電流（IDP）： 6A
• 消費電力（PD）： 1W（10秒までのパルスに対して2W）
• チャネル温度（Tch）： 150°C
• ドレイン-ソースオン抵抗（RDS(ON)）： 230mΩから380mΩ
• ゲート駆動電圧： 3.3V

• 負荷スイッチ
• モータードライバー

NチャネルMOSFETは電子回路において重要な部品であり、電気電流の効率的なスイッチまたは増幅器として機能します。ゲート端子に電圧が印加されると、ドレインとソース端子間で電流が流れることを許可し、回路内の電気電力の流れを効果的に制御します。高速スイッチング、高効率、および信頼性が求められるアプリケーションでは、NチャネルMOSFETが好まれます。

NチャネルMOSFETを選択する際には、ドレイン-ソース電圧、ドレイン電流、消費電力、およびドレイン-ソースオン抵抗などのパラメータを考慮することが重要です。ドレイン-ソース電圧と電流の定格は、MOSFETが処理できる最大電圧と電流を決定し、オン抵抗は動作中の電力損失に影響を与えることで、デバイスの効率に影響を与えます。

熱管理もまた、過度の熱がMOSFETの性能と信頼性を低下させる可能性があるため、重要な側面です。したがって、熱特性を理解し、十分な熱放散を確保することが不可欠です。さらに、パッケージのタイプとサイズは、利用可能なスペースとアプリケーションの熱要件に基づいてMOSFETの選択に影響を与える可能性があります。

最後に、ゲートドライブ電圧は、回路の制御信号との互換性を決定する重要なパラメータです。適切なゲートドライブ電圧を持つMOSFETを選択することで、デバイスが回路のロジックレベルによって効率的に制御されることを保証します。