2N7002L: NチャネルMOSFET、60V、200mA、SOT-23

onsemi

2N7002Lは、onsemiの高セル密度DMOS技術を使用して製造されたNチャネルMOSFETです。このコンポーネントは、低オン状態抵抗を提供しながら、頑丈で信頼性の高い、高速スイッチング性能を保証するように設計されています。低電圧、低電流アプリケーションに特に適しており、さまざまな電子回路での用途に柔軟な選択肢を提供します。

高密度セル設計を採用した2N7002Lは、低RDS(on)を実現し、電力管理タスクにおいて効率的な選択肢となります。電圧制御小信号スイッチとして機能する能力は、回路設計におけるその柔軟性を高めます。コンポーネントの高飽和電流能力と頑丈さは、要求の厳しい環境において信頼性の高いオプションとなります。

• ドレイン-ソース電圧（VDSS）： 60 V
• ゲート-ソース電圧（VGSS）： ±20 V、非繰り返し（tp < 50 ms）±40 V
• 最大ドレイン電流（ID）： 連続200 mA、パルス500 mA
• 最大消費電力（PD）： 400 mW、25°Cを超える場合は減少
• 熱抵抗、接合部から周囲まで（RθJA）： 625 °C/W
• ゲート閾値電圧（VGS(th)）： 1から2.5 V
• 静的ドレイン-ソースオン抵抗（RDS(on)）： 1.2から7.5 Ω
• ドレイン-ソースオン電圧（VDS(on)）： 0.6から3.75 V

• 小型サーボモータ制御
• パワーMOSFETゲートドライバ
• 様々なスイッチングアプリケーション

2N7002LのようなNチャネルMOSFETは、電子設計において基本的なコンポーネントであり、回路内の電力分配を効率的に制御する手段を提供します。これらのトランジスタは、ゲート端子に電圧が印加されるとドレインとソース端子間で電流が流れることを可能にすることで、信号のスイッチングおよび増幅に理想的です。

NチャネルMOSFETを選択する際に重要な考慮事項には、ドレインからソースへの電圧、ゲートからソースへの電圧、最大ドレイン電流、および電力散逸能力が含まれます。熱特性もまた重要であり、異なる動作条件下でのデバイスの信頼性と性能に影響を与えます。

2N7002Lの低オン状態抵抗は、アプリケーションでの電力損失を減らし、効率を向上させるのに有益です。そのコンパクトなSOT-23パッケージは、スペースが限られている設計に適しています。エンジニアは、スイッチング速度、ゲートチャージ、および容量特性も考慮する必要があります。

要約すると、2N7002Lは、パフォーマンス、信頼性、および効率のバランスを提供し、低電圧、低電流アプリケーションに適した選択肢です。その仕様を理解し、それらが意図したアプリケーションの要件とどのように一致するかを理解することが、情報に基づいた選択を行う鍵です。