T2N7002BK,LM(T: NチャネルMOSFET、60V、400mA、SOT23、RDS（ON）1.05Ω

Toshiba

T2N7002BKは、高速スイッチングアプリケーション用に設計されたシリコンNチャネルMOSFETです。VGS = 10Vでの低ドレイン-ソースオン抵抗（RDS(ON)）1.05 Ω（典型）を特長とし、さまざまな回路での効率的な電力管理に適しています。この部品は、スペースが限られた設計に簡単に統合できるコンパクトなSOT23パッケージで提供されます。

このMOSFETは、最大60Vのドレイン-ソース電圧（VDSS）をサポートし、最大400mAの連続ドレイン電流（ID）を処理でき、パルスドレイン電流能力は最大1200mAまでです。また、2kVのHBMレベルでのESD保護を組み込んでおり、敏感な環境での信頼性を向上させます。T2N7002BKは、さまざまな動作条件でのパフォーマンスを最適化するために、さまざまなゲート-ソース電圧の範囲で動作します。

• ドレイン-ソース電圧（VDSS）： 60V
• ゲート-ソース電圧（VGSS）： ±20V
• 連続ドレイン電流（ID）： 400mA
• パルスドレイン電流（IDP）： 1200mA
• ドレイン-ソースオン抵抗（RDS(ON)）： VGS = 10Vで1.05 Ω（典型）
• 消費電力（PD）： 320 mWから1000 mW
• チャネル温度（Tch）： 150°C
• ESD保護： HBMレベル2 kV

• 高速スイッチングアプリケーション

MOSFET（金属酸化物半導体フィールドエフェクトトランジスタ）は、電子設計における基本的なコンポーネントであり、スイッチングおよび増幅タスクにおいて高効率と信頼性を提供します。ドレインとソース端子間の導電性を電圧で制御することにより動作し、電力管理、信号処理などに不可欠です。

MOSFETを選択する際の主要なパラメータには、ドレイン-ソース電圧（VDSS）、ドレイン電流（ID）、ゲート-ソース電圧（VGSS）、およびドレイン-ソースオン抵抗（RDS(ON)）が含まれます。これらのパラメータは、MOSFETが高電圧、電流を処理する能力およびその効率を決定します。さらに、パッケージング、熱管理、およびESD保護レベルも重要な考慮事項です。

高速スイッチングアプリケーションでは、電力損失と発熱を最小限に抑えるために、低RDS(ON)のMOSFETが好まれます。ゲート・ソース間電圧（VGSS）範囲の選択も、駆動回路との互換性に影響します。さらに、熱特性を理解し、十分な熱放散を確保することは、信頼性の高い動作に不可欠です。

適切なMOSFETを選択するには、電気特性、熱特性、およびアプリケーション要件の慎重な分析が必要です。低RDS(ON)と堅牢な保護機能を備えたT2N7002BKのようなMOSFETは、性能と信頼性を最適化するための設計を求めるエンジニアにとって魅力的な選択肢を提供します。