T2N7002BK,LM(T: NチャネルMOSFET、60V、400mA、SOT23、RDS(ON) 1.05Ω

Toshiba

T2N7002BKは、高速スイッチングアプリケーション向けに設計されたシリコンNチャネルMOSFETです。VGS = 10Vで1.05Ω（標準）という低いドレイン-ソース間オン抵抗（RDS(ON)）を特徴としており、様々な回路での効率的な電力管理に適しています。このコンポーネントはコンパクトなSOT23形式でパッケージ化されており、スペースに制約のある設計への統合を容易にします。

このMOSFETは、最大60Vのドレイン-ソース電圧（VDSS）をサポートし、最大400mAの連続ドレイン電流（ID）を処理でき、最大1200mAのパルスドレイン電流能力を備えています。また、HBMレベル2 kVのESD保護も組み込まれており、敏感な環境での信頼性が向上しています。T2N7002BKは、さまざまなゲート-ソース電圧でのパフォーマンスに最適化されており、さまざまな動作条件での汎用性を示しています。

• ドレイン-ソース間電圧 (VDSS): 60V
• ゲート-ソース間電圧 (VGSS): ±20V
• 連続ドレイン電流 (ID): 400mA
• パルスドレイン電流 (IDP): 1200mA
• ドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(ON)): 1.05 Ω (標準) @ VGS = 10V
• 許容損失 (PD): 320 mW ～ 1000 mW
• チャネル温度 (Tch): 150°C
• ESD保護: HBMレベル 2 kV

• 高速スイッチングアプリケーション

MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）は、電子設計における基本的なコンポーネントであり、スイッチングおよび増幅タスクに高い効率と信頼性を提供します。ドレイン端子とソース端子間の導電率を電圧制御することで動作し、電力管理、信号処理などに不可欠です。

MOSFETを選択する際の主要なパラメータには、ドレイン-ソース間電圧（VDSS）、ドレイン電流（ID）、ゲート-ソース間電圧（VGSS）、およびドレイン-ソース間オン抵抗（RDS(ON)）が含まれます。これらのパラメータは、MOSFETが高電圧、電流を処理する能力とその効率を決定します。さらに、パッケージング、熱管理、およびESD保護レベルも重要な考慮事項です。

高速スイッチングアプリケーションの場合、電力損失と発熱を最小限に抑えるために、低RDS(ON)のMOSFETが好まれます。ゲート-ソース電圧（VGSS）範囲の選択も、駆動回路との互換性に影響します。さらに、熱特性を理解し、適切な放熱を確保することは、信頼性の高い動作にとって重要です。

要約すると、適切なMOSFETを選択するには、電気的特性、熱的特性、およびアプリケーション要件を慎重に分析する必要があります。T2N7002BKのようなMOSFETは、低いRDS(ON)と堅牢な保護機能を備えており、性能と信頼性のために設計を最適化しようとしているエンジニアにとって魅力的な選択肢を提供します。