2N7002K-T1-GE3は、Vishay Siliconix製のNチャネルMOSFETで、高速スイッチングアプリケーション向けに設計されています。ドレイン-ソース間電圧（VDS）60V、最大ドレイン電流（ID）0.3Aで動作します。このデバイスは、VGSが10Vのときに2オームという低いオン抵抗（RDS(on)）を特徴としており、回路動作の効率化に貢献します。さらに、2V（標準）という低い閾値電圧と25nsの高速スイッチング速度を誇り、高速回路での性能を向上させます。
このMOSFETはコンパクトなSOT-23 (TO-236) パッケージに封入されており、スペースに制約のあるアプリケーションに適しています。また、低い入力および出力リーク、25pFの低入力容量を提供し、2000VのESD保護を備えているため、さまざまな動作条件での信頼性が確保されます。2N7002K-T1-GE3は、高速スイッチングと低電圧動作を必要とするアプリケーション向けに設計されており、直接ロジックレベルインターフェース、ドライバ、バッテリー駆動システム、およびソリッドステートリレーに最適です。
MOSFET
NチャネルMOSFETは、電子回路で信号のスイッチングや増幅に広く使用される電界効果トランジスタ（FET）の一種です。半導体材料内のチャネルの導電率を制御するために電界を使用することで動作します。NチャネルMOSFETは、特に高い効率と高速スイッチング能力で知られています。
NチャネルMOSFETを選択する際には、ドレイン-ソース間電圧（VDS）、ゲート-ソース間電圧（VGS）、連続ドレイン電流（ID）、およびオン抵抗（RDS(on)）を含むいくつかの主要なパラメータを考慮する必要があります。これらのパラメータは、特定のアプリケーションで電圧と電流を処理するデバイスの能力を決定します。さらに、ターンオン時間とターンオフ時間で表されるスイッチング速度は、高速スイッチングを必要とするアプリケーションにとって重要です。
しきい値電圧（VGS(th)）も重要な要素であり、デバイスをオンにするために必要な最小ゲート-ソース間電圧を示します。低いしきい値電圧は、低電圧アプリケーションで有利になる場合があります。入力および出力容量は、スイッチング速度とスイッチングイベント中の消費電力に影響します。
NチャネルMOSFETは、電力管理や変換から信号処理や高速スイッチング回路まで、幅広いアプリケーションで使用されています。その汎用性と効率性により、現代の電子設計において不可欠なコンポーネントとなっています。