Vishay Siliconixの2N7002K-T1-GE3は、高速切り替えアプリケーション用に設計されたNチャネルMOSFETです。ドレイン・ソース間電圧（VDS）は60Vで、最大ドレイン電流（ID）は0.3Aです。VGSが10Vのときの低オン抵抗（RDS(on)）は2オームで、回路動作の効率に貢献します。さらに、典型的な閾値電圧は2Vで、高速切り替え速度は25nsで、高速回路での性能を向上させます。
このMOSFETは、コンパクトなSOT-23（TO-236）パッケージに封入されており、スペースが限られたアプリケーションに適しています。また、低入力および出力リーク、25pFの低入力容量を提供し、2000VのESD保護を装備しているため、さまざまな動作条件での信頼性を確保します。2N7002K-T1-GE3は、高速スイッチングと低電圧動作を必要とするアプリケーションに理想的な選択肢であり、直接ロジックレベルインターフェース、ドライバー、バッテリー駆動システム、および固体リレーに適しています。
MOSFET
NチャネルMOSFETは、電子回路でのスイッチングや信号の増幅に広く使用されているフィールドエフェクトトランジスタ（FET）の一種です。これらは、半導体材料のチャネルの導電性を制御するために電場を使用することによって動作します。NチャネルMOSFETは、特にその高効率と高速スイッチング能力で知られています。
NチャネルMOSFETを選択する際には、ドレインソース電圧（VDS）、ゲートソース電圧（VGS）、連続ドレイン電流（ID）、およびオン抵抗（RDS（on））を含むいくつかの重要なパラメータを考慮する必要があります。これらのパラメータは、特定のアプリケーションでの電圧および電流の処理能力を決定します。さらに、高速スイッチングが必要なアプリケーションには、オンおよびオフ時間によって表されるスイッチング速度が重要です。
しきい値電圧（VGS(th)）は、デバイスをオンにするために必要な最小ゲート-ソース電圧を示す別の重要な要素です。低いしきい値電圧は、低電圧アプリケーションで有利です。入力および出力容量は、スイッチングイベント中のスイッチング速度と消費電力に影響します。
NチャネルMOSFETは、電力管理および変換から信号処理および高速スイッチング回路まで、幅広いアプリケーションで使用されます。その汎用性と効率性は、現代の電子設計において不可欠なコンポーネントです。