PMV37ENEAR: 60V、NチャネルトレンチMOSFET、SOT23、ロジックレベル互換

Nexperia

PMV37ENEAは、60V Nチャネルエンハンスメントモードフィールドエフェクトトランジスタ（FET）で、トレンチMOSFET技術を利用して高効率と性能を提供します。コンパクトなSOT23（TO-236AB）サーフェスマウントデバイス（SMD）プラスチックパッケージに収められており、幅広いアプリケーションに設計されています。この部品は、追加のドライバICなしでロジック回路によって直接駆動できるロジックレベルの互換性を特徴としています。さらに、最大175°Cまでの拡張温度範囲をサポートし、高温環境に適しています。

静電気放電（ESD）保護が2 kV HBM（クラスH2）を超え、AEC-Q101基準による資格を持つPMV37ENEAは、自動車およびその他の要求の厳しいアプリケーションでの信頼性と堅牢性のために設計されています。その低いオン状態抵抗と高効率は、リレー駆動、高速ライン駆動、低側負荷スイッチング、およびさまざまなスイッチング回路を含む電力管理タスクに優れた選択肢です。

• ドレイン-ソース電圧（VDS）：60 V
• ゲート-ソース電圧（VGS）：±20 V
• ドレイン電流（ID）：VGS = 10 V、25 °Cで3.5 A
• ドレイン-ソースオン状態抵抗（RDSon）：VGS = 10 V、ID = 3.5 A、25 °Cで37 mΩから49 mΩ
• 全電力散逸（Ptot）：25 °Cで710 mW
• 接合温度（Tj）：-55 °Cから175 °C
• ESD保護：> 2 kV HBM

• リレードライバ
• 高速ラインドライバ
• ローサイドロードスイッチ
• スイッチング回路

NチャネルMOSFETは、電子回路で信号のスイッチングと増幅に広く使用されているフィールドエフェクトトランジスタ（FET）の一種です。これらは、ドレインとソース端子間の電流の流れを制御するために電場を使用して動作します。Nチャネルは、デバイス内で電流を伝導する電荷キャリア（電子）のタイプを指します。

NチャネルMOSFETを選択する際、エンジニアはドレイン-ソース電圧（VDS）、ゲート-ソース電圧（VGS）、ドレイン電流（ID）、およびドレイン-ソースオン状態抵抗（RDSon）などのパラメータを考慮する必要があります。これらのパラメータは、電力管理、信号処理、および高周波スイッチングなど、異なるアプリケーションでのMOSFETの適合性を決定します。

トレンチMOSFET技術は、低いオン状態抵抗と高い効率の点で利点を提供し、高い電力密度と最小限の発熱を必要とするアプリケーションに適しています。ロジックレベルの互換性により、マイクロコントローラーやロジック回路との直接インターフェースが可能になり、設計が簡素化されます。

電気仕様に加えて、パッケージタイプ、熱特性、および保護機能（例えば、ESD保護）などの要因も重要です。これらの側面は、特定のアプリケーションでのMOSFETの性能および厳しい動作条件に耐える能力に影響を与えます。