PMV37ENEAR: 60 V、NチャネルトレンチMOSFET、SOT23、ロジックレベル互換

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PMV37ENEAは、トレンチMOSFET技術を利用して高効率と高性能を提供する60V Nチャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ (FET) です。コンパクトなSOT23 (TO-236AB) 表面実装デバイス (SMD) プラスチックパッケージに封止されており、幅広いアプリケーション向けに設計されています。この部品はロジックレベルの互換性を特徴としており、追加のドライバICなしでロジック回路によって直接駆動できます。さらに、最大175°Cの拡張温度範囲をサポートしており、高温環境に適しています。

2 kV HBM（クラスH2）を超える静電気放電（ESD）保護とAEC-Q101規格に準拠した認定を備えたPMV37ENEAは、自動車やその他の要求の厳しいアプリケーションでの信頼性と堅牢性を考慮して設計されています。その低いオン抵抗と高効率により、リレードライブ、高速ラインドライブ、ローサイド負荷スイッチング、およびさまざまなスイッチング回路を含む電力管理タスクに最適です。

• ドレイン-ソース間電圧 (VDS): 60 V
• ゲート-ソース間電圧 (VGS): ±20 V
• ドレイン電流 (ID): 3.5 A (VGS = 10 V, 25 °C)
• ドレイン-ソース間オン抵抗 (RDSon): 37 mΩ ～ 49 mΩ (VGS = 10 V, ID = 3.5 A, 25 °C)
• 総許容損失 (Ptot): 710 mW (25 °C)
• ジャンクション温度 (Tj): -55 °C ～ 175 °C
• ESD保護: > 2 kV HBM

• リレードライバ
• 高速ラインドライバ
• ローサイドロードスイッチ
• スイッチング回路

NチャネルMOSFETは、電子回路で信号のスイッチングや増幅に広く使用される電界効果トランジスタ（FET）の一種です。これらは電界を使用してドレイン端子とソース端子間の電流の流れを制御することで動作します。Nチャネルとは、デバイス内で電流を伝導する電荷キャリア（電子）のタイプを指します。

NチャネルMOSFETを選択する際、エンジニアはドレイン-ソース間電圧（VDS）、ゲート-ソース間電圧（VGS）、ドレイン電流（ID）、ドレイン-ソース間オン抵抗（RDSon）などのパラメータを考慮する必要があります。これらのパラメータは、電力管理、信号処理、高周波スイッチングなど、さまざまなアプリケーションに対するMOSFETの適合性を決定します。

トレンチMOSFET技術は、オン抵抗の低減と効率の向上という点で利点があり、高い電力密度と最小限の発熱を必要とするアプリケーションに適しています。ロジックレベルの互換性により、マイクロコントローラやロジック回路との直接インターフェースが可能になり、設計が簡素化されます。

電気的仕様に加えて、パッケージタイプ、熱特性、および保護機能（ESD保護など）などの要素も重要です。これらの側面は、特定のアプリケーションでのMOSFETの性能と、過酷な動作条件に耐える能力に影響を与えます。