PMV164ENEAR: 60V、NチャネルトレンチMOSFET、SOT23パッケージ、ロジックレベル互換

Nexperia

PMV164ENEARは、トレンチMOSFET技術を利用したNチャネルエンハンスメントモードのフィールドエフェクトトランジスタ（FET）で、コンパクトなSOT23（TO-236AB）サーフェスマウントデバイス（SMD）プラスチックパッケージに封入されており、スペースが限られている幅広いアプリケーションに適しています。このコンポーネントはロジックレベルで動作するように設計されており、現代のマイクロコントローラーインターフェースと互換性があります。

PMV164ENEARの主な特徴には、最大175°Cの拡張動作温度範囲と、2kV HBM（クラスH2）を超える内蔵静電気放電（ESD）保護が含まれます。また、AEC-Q101に適合しており、自動車アプリケーションでの使用に適しています。これらの属性に加えて、デバイスの低オン状態抵抗は、電力管理タスクに効率的な選択をします。

• ドレイン-ソース電圧（VDS）： 60 V
• ゲート-ソース電圧（VGS）： ±20 V
• ドレイン電流（ID）： VGS = 10 V, 25°Cで1.6 A
• ドレイン-ソースオン状態抵抗（RDSon）： VGS = 10 V, ID = 1.6 A, 25°Cで164から218 mΩ
• 全体の消費電力（Ptot）： 25°Cで640 mW
• 接合温度（Tj）： -55から175°C
• ESD保護： > 2 kV HBM

• リレードライバ
• 高速ラインドライバ
• ローサイドロードスイッチ
• スイッチング回路

NチャネルMOSFETは、スイッチングおよび増幅目的で電子回路で広く使用されているフィールド効果トランジスタ（FET）の一種です。これらは、ドレインとソース端子間の電流の流れを制御するために電場を使用して動作します。Nチャネルの指定は、ソースとドレイン間に形成されたチャネルを通って移動する電荷キャリア（電子）のタイプを指します。

NチャネルMOSFETを選択する際の重要な考慮事項には、最大ドレイン-ソース電圧（VDS）、最大電流（ID）、ゲート-ソース電圧（VGS）、およびドレイン-ソースオン状態抵抗（RDSon）が含まれます。これらのパラメータは、特定のアプリケーションにおけるデバイスの適合性、効率、および電力処理能力を決定します。

MOSFETは現代の電子機器に不可欠であり、電力変換、モータ制御、さまざまなタイプの電子スイッチの主要コンポーネントとしてのアプリケーションがあります。高速で効率的にスイッチングできる能力は、電力管理およびデジタル回路において特に価値があります。

エンジニアにとって、適切なMOSFETを選択することは、動作環境、電力レベル、およびスイッチング速度など、アプリケーションの特定の要件を理解することを含みます。デバイスのパッケージ、熱特性、および内蔵保護メカニズムなどの追加機能も、選択プロセスに影響を与える可能性があります。