PMV164ENEAR: 60V、NチャネルトレンチMOSFET、SOT23パッケージ、ロジックレベル互換

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PMV164ENEARは、トレンチMOSFET技術を利用したNチャネルエンハンスメントモード電界効果トランジスタ（FET）です。コンパクトなSOT23（TO-236AB）表面実装デバイス（SMD）プラスチックパッケージに封入されており、スペースが限られている幅広い用途に適しています。この電子部品はロジックレベルで動作するように設計されており、最新のマイクロコントローラインターフェースと互換性があります。

PMV164ENEARの主な機能には、最大175°Cの拡張動作温度範囲と、2 kV HBM（クラスH2）を超える内蔵静電気放電（ESD）保護が含まれます。また、AEC-Q101認定を受けており、自動車アプリケーションでの使用に適していることを示しています。これらの属性と、デバイスの低いオン抵抗を組み合わせることで、電力管理タスクに効率的な選択肢となります。

• ドレイン-ソース間電圧 (VDS): 60 V
• ゲート-ソース間電圧 (VGS): ±20 V
• ドレイン電流 (ID): 1.6 A (VGS = 10 V, 25°C)
• ドレイン-ソース間オン抵抗 (RDSon): 164〜218 mΩ (VGS = 10 V, ID = 1.6 A, 25°C)
• 全許容損失 (Ptot): 640 mW (25°C)
• 接合部温度 (Tj): -55〜175°C
• ESD保護: > 2 kV HBM

• リレードライバ
• 高速ラインドライバ
• ローサイドロードスイッチ
• スイッチング回路

NチャネルMOSFETは、電子回路でスイッチングや増幅の目的で広く使用されている電界効果トランジスタ（FET）の一種です。電界を使用してドレイン端子とソース端子の間の電流の流れを制御することで動作します。Nチャネルという名称は、ソースとドレインの間に形成されるチャネルを通って移動する電荷キャリア（電子）の種類を指します。

NチャネルMOSFETを選択する際、重要な考慮事項には、最大ドレイン-ソース間電圧（VDS）、扱える最大電流（ID）、ゲート-ソース間電圧（VGS）、およびドレイン-ソース間オン抵抗（RDSon）が含まれます。これらのパラメータは、効率や電力処理能力を含む、特定のアプリケーションへのデバイスの適合性を決定します。

MOSFETは現代の電子機器に不可欠であり、電力変換、モーター制御、およびさまざまな種類の電子スイッチの主要コンポーネントとして用途があります。迅速かつ高効率でスイッチングできる能力により、特に電力管理やデジタル回路において価値があります。

エンジニアにとって、適切なMOSFETを選択するには、動作環境、電力レベル、スイッチング速度など、アプリケーションの特定の要件を理解する必要があります。デバイスのパッケージング、熱特性、および内蔵保護メカニズムなどの追加機能も、選択プロセスに影響を与える可能性があります。